美科学家拟研制新式真空晶体管突破摩尔定律限制

据物理学家组织网近日报道,美国科学家在近日出版的《自然—纳米技术》杂志上宣称,他们打算用真空替代硅电子设备作为电子传输媒介,据此研发出的新式真空管有望突破摩尔定律的藩篱,彻底改变电子学的面貌。 科学家们于1947年研制出了半导体晶体管,以替代笨重且低效的真空管。此后,科学家们一直在不断研制运行速度更快、效率更高的半导体,以制造出性能更优异的电子设备。摩尔定律指出,当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。新研究的首席研究员、匹兹堡大学纳米科学与工程研究所的金洪古(音译)表示:“晶体管的尺寸限制让科学家们很难研制出性能更好的电子设备,我们希望通过研究晶体管和其先辈——真空管来改变这一情况。” 金洪古解释道,晶体管的极限速度由“电子转移时间”(一个电子从一个设备到达另一个设备所耗费的时间)所决定。然而,在半导体设备内行进的电子通常会遇到障碍而且在固体媒介中会发生散射。金......阅读全文

延续摩尔定律,二维晶体管潜力如何?

  自20世纪60年代以来,电子电路上可容纳的元器件数量每两年便增加一倍,这种趋势就是著名的摩尔定律。随着晶体管越来越小,硅芯片上可容纳的元器件数量在不断增加。但目前看来,硅晶体管正接近它的物理极限。只有开发出全新类型的材料和设备,才能释放下一代计算机的潜力。单分子厚晶体管芯片或许能用来驱动下一代计

美科学家拟研制新式真空晶体管突破摩尔定律限制

  据物理学家组织网近日报道,美国科学家在近日出版的《自然—纳米技术》杂志上宣称,他们打算用真空替代硅电子设备作为电子传输媒介,据此研发出的新式真空管有望突破摩尔定律的藩篱,彻底改变电子学的面貌。   科学家们于1947年研制出了半导体晶体管,以替代笨重且低效的真空管。此后,科学家们一直在不断研制

3D结构晶体管首次问世-为摩尔定律注入新活力

22纳米制程技术实现突破5月5日,英特尔公司宣布,自50多年前硅晶体管发明以来,3-D结构的晶体管首次问世。该公司推出的三栅极(Tri-Gate)3-D晶体管设计成功实现了22纳米制程技术的突破,从而推翻了摩尔定律即将走到尽头的判断。  据英特尔技术与制造事业部亚洲区发言人柯必杰介绍

分子大小的晶体管新鲜出炉-尺寸或已达摩尔定律极限

砷化铟晶体管的中心是酞菁染料分子,其周围环绕着12个带正电的铟原子。  在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。  新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日

摩尔定律:50岁依然年轻

1965年4月19日,36岁的戈登·摩尔在《电子杂志》中预言:集成电路中的晶体管数量大约每年就会增加一倍。十年过后,摩尔根据实际情况对预言进行了修正,把“每年增加一倍”改为“每两年增加一倍”。半导体行业的“传奇定律”——摩尔定律就此诞生,它不仅揭示了信息技术进步的速度,更在接下来的半个实际中,犹如一

英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈

  随着背面供电技术的完善和新型2D通道材料的采用,英特尔正致力于继续推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。  包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。  12月9日,英特尔在IEDM 2023(2

英特尔:将继续推动摩尔定律的创新

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/490898.shtm未来晶体管的发展是否依旧遵循摩尔定律?在近日举行的2022 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2022)上,英特尔给出了肯定的回答。12月8日,在接受《中国科学报》等记者采访时,英

摩尔去世,影响世界的摩尔定律还活着吗?

  英特尔公司联合创始人戈登·摩尔3月24日去世,享年94岁。作为半导体行业的先驱,他提出的“摩尔定律”预言了芯片行业日新月异的发展进程。  现在人们熟知的“摩尔定律”是指:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数目每隔18-24个月增加一倍,性能也将提升一倍。事实上,摩尔并没有说过“每18个月翻一

英特尔芯片将首次采用三维晶体管

  据英国广播公司(BBC)5月4日报道,美国英特尔公司4日表示,该公司已研发出可大规模生产的三栅(Tri-Gate)三维结构晶体管,配备了新晶体管的芯片在能耗大幅降低的同时,性能也得到了改进。分析人士指出,这是集成电路问世后计算机领域最重要的转变。   英特尔当天还展示了名为“常

全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世

  中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作,首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管,相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。  过去几十年来,微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展,按照摩尔定律的预测,集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避

首个竖放晶体管计算机芯片问世

  据《科学》消息,美国万国商业机器公司(IBM)和三星的研究人员已经制造出首个将晶体管竖立在两端的计算机芯片原型,即垂直传输场效应晶体管。这一变化将使电路的封装更加紧密,并使更快或更节能的设备成为可能。一种新的具有垂直传输场效应的晶体管  业界知名硬件拆解与分析机构TechInsights半导体行

清华团队首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管

  晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管,并带来性能上的提升。近日,清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题,在

我国学者首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管

晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管,并带来性能上的提升。近日,清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题,在线发

美物理学家称摩尔定律将在十年内崩溃

  北京时间5月3日凌晨消息,据美国IT网站ComputerWorld报道,一位知名的理论物理学家称,计算机行业中的关键理论“摩尔定律”(Moore"s Law)即将崩溃。   纽约市立大学理论物理教授加来道雄(Michio Kaku)在接受BigThink.com网站的视频采访时称,这项延续了4

IBM新型碳纳米管芯片:单芯片上制造上万晶体管

        美国IBM公司使用标准的主流半导体工艺,将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内,并且通过了测试。多年来,我们的芯片都根据摩尔定律发展:从以前的微米单位到现在的纳米单位,从以往的90纳

“向上生长”的芯片,突破摩尔定律限制

随着芯片制造商不断缩小其产品的尺寸,他们正面临将大量计算能力塞进一块芯片的极限。一款打破纪录的芯片巧妙地避开了这个问题,这可能会促使电子设备的制造更加可持续。自20世纪60年代以来,要让电子产品性能更强,关键在于将其基本构建单元晶体管做得更小,并更密集地集成在芯片上。这一趋势被著名的摩尔定律所概括,

认识晶体管

晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)又称晶体三极管,简称三极管,是一种固体半导体器件,可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关.基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可用作电流的开关。和一般

摩尔定律难以为继?新型二维材料有话说

近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明,新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后,这次发表在《纳米通讯》上的研究,通过

碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管

  据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道,该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管,首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑,将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。  碳纳米管管壁只有一个原子厚,是最好的导电材料之一,

美开发出迄今最小砷化铟镓晶体管

  硅半导体作为微芯片之王的日子已经屈指可数了,据物理学家组织网近日报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管,长度仅为22纳米。研究团队近日在旧金山举行的国际电子设备会议上介绍了该项研究成果。   麻省理工学院电气工程和计算

技术分享:晶体管以类似水龙头控制水流的方式控制电流

晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor,BJT)又称晶体三极管,简称三极管,是一种固体半导体器件,可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关.基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可用作电流的开关

新材料将令芯片更小-硅时代进入倒计时

  硅基晶体管无法一直缩小下去,芯片公司已经考虑用其它材料取代硅,其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。   加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数,下一代或下下一代人将不会再使用硅,将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去,芯片公司已经考虑用其它材料取代硅,其中的热

彭练矛院士:没有芯片,就没有中国未来的现代化

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm当前,云、大数据、人工智能、个性化医疗和健康监控领域,未来数字化和智慧化的发展,都离不开芯片。毫不夸张地说,芯片就是现代技术的驱动力,中国未来如果没有芯片,就没有中国未来的现代化。集

晶体管图示仪

  半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线的仪器,并可测量低频静态参数。是从事半导体管研究制造及无线电领域工作者的一种必不可少的仪器。具有双簇显示功能特有场效应管配对和测试功能,5kV高压测试台。   技术参数:   集电极范围 20uA/DIV~1A/DIV 分15档,误差不

一篇文章说清半导体制程发展史(一)

半导体制造工艺节点是如何演进的?晶体管的架构是怎样发展成如今模样的?下面告诉你...半导体制造的工艺节点,涉及到多方面的问题,如制造工艺和设备,晶体管的架构、材料等。下面,我们就具体介绍并分析一下,供大家参考。首先,技术节点是什么意思呢?常听说的,诸如,台积电16nm工艺的Nvidia GP

英特尔创始人、“摩尔定律”提出者戈登·摩尔去世

  当地时间2023年3月24日,英特尔和戈登和贝蒂·摩尔基金会宣布,英特尔公司联合创始人、摩尔定律提出者戈登·摩尔(Gordon Moore)去世,享年94岁。  贝蒂·摩尔基金报告称,Moore于2023年3月24日星期五在夏威夷的家中被家人包围,平静地去世。  基金会主席Harvey Fine

Science:IBM科学家造出世界上最小的晶体管

  巨头英特尔(Intel)创始人之一Gordon Moore在1965年提出了业界著名的“摩尔定律(Moore's Law)”,大意为:集成电路上的元器件(例如晶体管)数目,每隔18个月至两年便会增加一倍,性能也将提升一倍。摩尔定律在一定程度上反映了现代电子工业的飞速发展,但时至今日,随着

工业硅片上长出“完美”二维超薄材料

  据发表在最新一期《自然》杂志上的论文,美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法,在工业硅晶圆上生长出纯净的、无缺陷的二维材料,以制造越来越小的晶体管。  根据摩尔定律,自20世纪60年代以来,微芯片上的晶体管数量每年都会翻一番。但这一趋势预计很快就会趋于平缓,因为用硅制成的器件一旦

微处理器、智能手机与技术创新

从不久前沸沸扬扬的中兴事件中,国人大体上都了解到微处理器芯片的极其重要性。没有微处理器芯片,就没有智能手机和许多创新产品。但是,许多人可能并不了解微处理器变迁和发展的速度有多快。2018年5月16日微软首席执行官峰会上,艾德·拉佐斯卡教授(Ed Lazowska,华盛顿大学保罗·G·艾伦计算机科学与

一篇文章说清半导体制程发展史(五)

14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图,大家感受一下,fin的宽度平均只有9nm。当然,在所有后代的技术节点中,前代的技术也是继续整合采用的。所以现在,在业界和研究界,一般听到的晶体管,都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14