选择性地从钛碳化硅蚀刻出硅来获得碳化钛薄片
MXenes金属具有导电性和亲水性，所以它们是可充电电池和超级电容器中电极的不二选择，在其他方面也广泛应用，如光热癌症治疗、电磁屏蔽、水净化和气体感应。在Angewandte Chemie杂志中，研究人员推出了一种新的生产方法。抛开传统的、昂贵的钛碳化铝，选择性地从钛碳化硅（一种更廉价和更常见的碳化钛化合物）中蚀刻出硅来获得碳化钛。 与普通三维材料相比，几个原子厚度极薄层组成的二维材料具有完全不同的特殊性能。 最典型的的二维材料就是石墨烯，它由单层碳原子组成。2011年，费城德雷塞尔大学（美国宾夕法尼亚州）合成了一种新的二维材料。这种材料便是MXenes，由过渡金属碳化物和氮化物合成，其中M代表过渡金属，如钛、钒或钼，X表示碳或氮，并且有多种合成组分可供选择（约30 种组分已经被实验证明，预计还会有数十种）。其中一种MXene是碳化钛Ti3C2。 获得所需的MXene通常涉及到迂回过程：用氢氟酸选择......阅读全文
碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术
随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
关于锂电池碳基材料碳化硅的分析应用
碳化硅材料由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐热冲击性、高的比刚度、高度的尺寸稳定性等一系列优良的物理性质，受到越来越多的重视，普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域。尤其在半导体领域，国产替代空间巨大，国内企业有望在政策的推动下实现
攻关克难－宁波材料所碳化硅先驱体研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐辐照、强度大、硬度高、热膨胀率小等优异的综合性能，在能源安全领域扮演着重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用传统的粉末方法，即从微粉制备、成型（包括压延、挤塑、干压、等静压、浇注、注射等方式）、烧结到加工这一过程。近30年来，陶瓷材
天科合达成为英飞凌国产碳化硅材料供应商
5月3日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称天科合达）与英飞凌公司签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产碳化硅（SiC）半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。据悉，天科合达孵化于中国科学院物理研究所（以下简称物理所），英飞凌公司前身是西门子集团
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（三）
图8：100％扭力电流下每个开关的功率耗损图8则是在100％扭力电流下以同样方式进行比较。功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减
国内首套碳化硅材继电保护检查装置投入使用
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497460.shtm 科技日报石家庄3月30日电 （实习记者陈汝健 通讯员刘清泉 李泽）在河北保定市220千伏司仓变电站，随着技术人员将试验电源缓缓降低至零，该站中低压二次回路向量检查试验圆满完成，标
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（一）
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
宁波材料所高品质碳化硅陶瓷先驱体研制获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀、耐辐照、抗氧化、热膨胀率小和热导率高等优异的综合性能，在航空航天、核电、高速机车、武器装备等关键领域具有重要的应用价值。SiC陶瓷因其极高的热稳定性和强度，成型加工困难。 目前，国际上陶瓷材料的制备主要采用传统的粉末成型方法，包括微粉制备、成型（
6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（二）
3．静态与动态效能以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ ＝ 110 °C。图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V－I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。即使碳化硅MOSFET必须要有VG
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素
1引言 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、
美科学家将农业“弃儿”转化成“工业宠儿”碳化硅
全球每年要产生数量庞大的农业废弃物，如何挖掘这些废弃物中的资源？美国海军研究实验室的科研人员正在想办法将其转化为高价值的碳化硅，后者可以用于多种电子设备和结构应用。 通常来说，人们认为像谷壳、玉米秸秆、高粱叶子、小麦壳、花生壳这样的农业废弃物没什么价值，经常将其重新放回土地；有时则是一烧了之，
2024第21届北京国际碳化硅与加工设备展览会
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（四）
想要电动机启动，可不是合上闸这么简单。想要实现远程控制和多点控制，需要做的还有很多。本文列举几个最基本的电动机控制回路，除了在生产中的机械控制需要用到外，在设计PLC电路时，这些也是必备单元。 本文将由易到难逐一讲解。 电动机控制回路常用元件 按钮▼ 按钮分为启动按钮、停止按
分析碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用;CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高，因此
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半
宁波材料所在碳化硅复合材料绿色低成本技术取得进展
先驱体转化碳化硅陶瓷基复合材料（CMCs）主要应用于制备具有耐高温、抗氧化、耐磨性好、热膨胀率小、导电导热性好、硬度高和耐腐蚀等优异性能的，并可近净尺寸成型的高性能陶瓷材料和纤维增强陶瓷基复合材料；目前已被广泛应用于高端科技与国防军事领域，如空间遥感成像光学系统轻量化支撑结构件、航空航天发动机热
我国科研团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
记者从哈尔滨工业大学（深圳）获悉，该校集成电路学院教授宋清海、周宇团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破，将进一步推进集成光量子信息技术在量子网络和量子传感领域的应用。相关研究成果于近日发表在《自然·通讯》上。波导集成的碳化硅电子－核量子纠缠示意图。（科研团队供图）研究团队通过在绝缘体上碳化硅
石墨烯，碳化硅一类的样品微波消解能够消解完全吗
可以消解完全的，但需要更高的温度，大概250以上，同时加高氯酸，我们用一家奥地利的可以消解完全。
中国科大大幅增强单个碳化硅自旋色心的荧光亮度
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500732.shtm
我国研制成功四米口径碳化硅反射镜坯
4月27日，制造团队成员与反射镜坯合影。新华社记者张楠摄 4月27日，两名工作人员在清理反射镜坯。新华社记者张楠摄 近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（简称长春光机所）成功自主研制出直径4.03米的单体碳化硅反射镜坯，将其应用于望远镜或卫星上成像，将大大提高分辨率。现代大型光学望
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术
碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统
第三代半导体碳化硅材料快速发展 近年来，5G通信、新能源汽车、光伏行业推动了第三代半导体材料碳化硅（SiC）技术的快速发展。相较于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁带宽、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优良的物理化学特性，是制备高温、高压、高频、大功率器件的理想材料，如电力转换器、光伏