碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术的SiC CMOS电路更是受到了广泛的关注。 虽然目前碳化硅材料、场效应器件技术已取得很大的进展,但在理论模型及器件工艺方面仍有较多问题亟待解决。理论上,从器件物理的角度出发,建立和完善SiC场效应器件模型,以利于器件结构和电路设计,是目前SiC理论研究需要解决的问题。工艺上,受到实际水平的限制,即使在制造设备较为发达的国外,研究文献表明器件的制造工艺仍处于研发阶段,具体的工艺环节也在摸索之中。国内关于SiC基础工艺的研究刚刚起步,鉴于工艺条件和实践经验上的限制,需要对SiC场效应器件关键工艺技术进行实验研究以获得大量的工艺数据。 本......阅读全文
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
遥感跨模态基础模型关键技术研究项目获批
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500252.shtm近日，科技创新2030—“新一代人工智能”重大项目中的“遥感跨模态基础模型关键技术研究”项目获批。 ?为落实国务院印发的《新一代人工智能发展规划》总体部署，科技部启动实施科
无源集成元器件关键技术研究取得成效
无源电子元件是一大类重要的电子信息产品。无源元件与有源器件（集成电路等半导体产品）共同构成电路的核心部分，是各类电子信息产品的基础。在新型电子产品中，集成电路和无源元件占全部电子元器件及零部件的生产总成本的46.1%和9.1%，而在总安装成本中却分别占12.7%和55.1%，甚至某些片式元件的
“用于计量的微纳集成器件关键技术研究”课题通过验收
3月28日，由中国计量科学研究院（以下简称“中国计量院”）承担的国家科技支撑计划项目“微纳技术计量标准和物质研究”项目课题“用于计量的微纳集成器件关键技术研究”顺利通过由国家质检总局组织的专家组验收。 课题验收会上，清华大学金国藩院士、北京航空航天大学姚骏恩院士等技术专家组成员听取了课题组的
基于碳化硅的量子器件获重大突破
记者从中国科大获悉，该校郭光灿院士团队李传锋、许金时等人与合作者合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同时具有高自旋读出对比度和高单光子发光亮度的固态色心，该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的
“通信光电子器件关键工艺与支撑技术”项目通过验收
2013年7月30日，“十一五”信息领域国家科技支撑计划“通信光电子器件的关键工艺与支撑技术研究”项目验收会在武汉顺利召开。会议由科技部高新司组织召开，湖北省科技厅、项目责任专家及相关课题承担单位研究人员参加了会议。 该项目由武汉邮电科学研究院、华中科技大学等国内多家优势单位共同承担。目前
“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”验收
近期，科技部高新司在苏州组织召开了“十二五”国家863计划主题项目“能源高效转换高压大容量新型功率器件研发与应用”验收会。该项目共设4个课题，由西电集团、浙江大学、中电集团五十五所、冶金自动化研究院、中科院电工所等多家单位共同完成。 项目经过多年攻关，研制了基于自主碳化硅外延材料的4500
关键海域中尺度物理海洋过程预报模式及关键技术研究
日前，中科院重大项目“关键海域中尺度物理海洋过程的预报模式及关键技术研究”在青岛进行了中期评估，中科院资环局局长范蔚茗、副局长常旭以及大气海洋处处长任小波参加会议。经专家评审，该项目立项科学合理，进展超前，成果丰硕，中期评估获得全票通过。 “关键海域中尺度物理海洋过程的预报模式
西北高原所“牦犀胶制备工艺关键技术研究”项目通过鉴定
4月7日，青海省科学技术厅组织有关专家，对中国科学院西北高原生物研究所主持，与青海信成医药集团有限公司合作完成的“牦犀胶制备工艺关键技术研究”项目进行了成果评价。专家委员会经审阅材料，听取汇报，质疑和讨论后，一致认为该项成果达到国内领先水平。 该项目通过建立氢氧化钠直接脱毛、熟
集成光学元器件的工艺技术介绍
集成光学元器件的工艺技术主要涉及成膜与光路微加工。通常采用外延、质子轰击、离子注入、固态扩散、离子交换、高频溅射、真空蒸发、等离子聚合等作为成膜工艺；采用光刻、电子束曝光、全息曝光、同步辐射、光锁定、化学刻蚀、溅射刻蚀(离子铣)、反应离子刻蚀作为光路微加工技术。另外，高速脉冲技术，则是测试及在应用中
电子器件的光伏逆变器研制及示范应用项目通过验收
近日，科技部高新司在厦门组织召开了“十二五”国家863计划“基于国产宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”项目验收会。 项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷SiC外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及MOSFET
真空电子器件制造相关工艺简介
玻璃封接工艺 玻璃之间和玻璃与金属之间的熔封是常用的工艺之一，多已实现自动化操作。利用这种技术制成电极引线或芯柱，并将管壳与芯柱封接在一起。 铟封工艺 两种膨胀系数相差很大的玻璃或玻璃与各种晶体、玻璃与金属间的真空密封，可用高纯铟作焊料冷压而成。这种工艺常用于摄像管窗口和管壳间的封接。它适
打开石墨烯带隙，开启石墨烯芯片制造领域大门
天津大学纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授团队攻克了长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题，在保证石墨烯优良特性的前提下，打开了石墨烯带隙，成为开启石墨烯芯片制造领域大门的重要里程碑。该研究成果论文《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》1月3日在线发表于国际期刊《自然》。 据介
科技部：第三代半导体器件制备及评价技术获突破
从科技部公布的信息了解到，近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究，开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术，并实现智能家居演示系统的试制。 专家介绍
LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素
1引言 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、
环境监测关键计量标准及测量技术研究项目启动
日前，国家科技支撑项目“环境监测关键计量标准及测量技术研究”在中国计量院正式启动。该项目的完成将对提升我国环境监测领域测量水平提供有力的计量技术支持。 从中国计量院获悉，该项目将针对环境领域急需解决的关键计量问题开展研究。项目总体目标为：初步建立涉及环境和气候监测科目的
石墨烯高性能光学器件研究获进展－实现非局部光电探测
近日，普渡大学、密西根大学和宾夕法尼亚州立大学的研究团队声称，已解决阻碍石墨烯高性能光学器件的发展问题，石墨烯高性能光学器件可用于成像、显示、传感器和高速通信。题为“由碳化硅衬底与微米量级石墨烯结合制成的光电晶体管的位置依赖和毫米范围光电探测”的论文发表在《自然纳米技术》杂志。该项目受到美国
自旋电子器件制造工艺获新突破
美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的《先
自旋电子器件制造工艺获新突破
美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的
国家863计划先进能源技术领域2014年度备选项目征集指南
一、指南方向与内容 1.太阳能发电 1.1喷墨打印制备超细栅电极太阳电池中试线关键技术研究 下设1个研究方向。 1.1.1喷墨打印制备超细栅电极太阳电池中试线关键技术研究(前沿技术类，国拨经费控制额1000万元，企业牵头) 研发适用于晶硅、薄膜等不同类型太阳电池的低
反渗透机理模型和工艺流程
反渗透机理模型 1.优先吸附毛细孔模型：弱点干态电镜下，没发现孔。湿态膜标本不是电镜的样品。 2.溶解扩散模型：不认为有孔。 3.干闭湿开模型：上工世纪80，90年代，国人邓宇等提出的，能够解释1和2模型的统一的现代最贴切的逆渗透机理模型。既“干闭湿开”反渗透模型，统一了两个最经典的反渗透
响应设备更新政策－|－半导体制造工艺、结构与表征解决方案
半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损
“环境监测关键计量标准及技术研究”项目顺利通过验收
近日，国家科技支撑计划“环境监测关键计量标准及技术研究”项目顺利通过验收。项目针对大气环境成分量、水体中微生物、土壤中重金属、空间电磁辐射等环境指标监测中对于计量的需求，构建了烟气流量、大气中温室气体成分、比吸收率、在线监测水质等量值溯源体系，攻克了激光多普勒测量大口径气体流量的难题，解决了利用
举办“2020药品制备工艺开发与工艺控制关键技术
关于办“2020药品制备工艺开发与工艺控制关键技术” 专题培训班通知各有关单位： 随着《药品管理法》的全面实施,以及药品审评审批制度改革鼓励创新发展的不断深入，特别是MAH制度的实施与推广, 越来越多的药品上市许可持有人选择将药品生产委托给第三方企业进行制造
我国科研团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破
记者从哈尔滨工业大学（深圳）获悉，该校集成电路学院教授宋清海、周宇团队在碳化硅集成光量子纠缠器件领域取得新突破，将进一步推进集成光量子信息技术在量子网络和量子传感领域的应用。相关研究成果于近日发表在《自然·通讯》上。波导集成的碳化硅电子－核量子纠缠示意图。（科研团队供图）研究团队通过在绝缘体上碳化硅
突破传统！这种材料如何实现纳秒级开关？
碳化硅单晶基光导开关因具有传统开关器件不可比拟的特性，已显现出在高技术领域中的广阔应用前景，近些年来得到国际科技界和工业界越来越多的关注。近期，中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部在开展碳化硅晶锭制备和晶圆片加工的同时，与相关应用单位紧密合作，持续开展碳化硅基光导开关原理研究和器件制备实验
化学所在有机场效应光电功能集成器件方面取得新进展
有机场效应晶体管(OFET)是有机电路的基本构筑基元，在驱动显示，柔性、可印刷大面积电子学，可穿戴电子等方面具有重要应用前景。高性能有机场效应晶体管器件的构筑是推动实现其真正应用的重要研究目标。 在中国科学院先导项目和国家自然科学基金委支持下，中科院化学研究所有机固体重点实验室董焕丽课题组与天
我国第三代半导体材料制造设备取得新突破
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高
基于ADS的射频微波元器件模型库构建（二）
3.3.1 线性模型提取对于线性模型，通常可以使用n端口散射矩阵（S参数）来进行描述。S参数使用入射电压波和反射电压波的方式定义网络的输入、输出关系，从而表征整个网络的特性。S参数采用Touchstone文件格式，也被称作SnP文件。使用矢量网络分析仪，可以直接生成SnP文件。大多数无源器件都可以使