选择性地从钛碳化硅蚀刻出硅来获得碳化钛薄片
MXenes金属具有导电性和亲水性，所以它们是可充电电池和超级电容器中电极的不二选择，在其他方面也广泛应用，如光热癌症治疗、电磁屏蔽、水净化和气体感应。在Angewandte Chemie杂志中，研究人员推出了一种新的生产方法。抛开传统的、昂贵的钛碳化铝，选择性地从钛碳化硅（一种更廉价和更常见的碳化钛化合物）中蚀刻出硅来获得碳化钛。 与普通三维材料相比，几个原子厚度极薄层组成的二维材料具有完全不同的特殊性能。 最典型的的二维材料就是石墨烯，它由单层碳原子组成。2011年，费城德雷塞尔大学（美国宾夕法尼亚州）合成了一种新的二维材料。这种材料便是MXenes，由过渡金属碳化物和氮化物合成，其中M代表过渡金属，如钛、钒或钼，X表示碳或氮，并且有多种合成组分可供选择（约30 种组分已经被实验证明，预计还会有数十种）。其中一种MXene是碳化钛Ti3C2。 获得所需的MXene通常涉及到迂回过程：用氢氟酸选择......阅读全文
材料所碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台开工建设
8月30日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所杭州湾研究院碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台项目开工建设。 开工仪式上，宁波材料所所长黄政仁介绍了碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台的基本情况。杭州湾新区管委会主任、党工委副书记杨勇表示，项目建成后，将对新区集聚创新资源、优化创新服务、加快成果转
我国研制成功四米口径碳化硅反射镜坯
4月27日，制造团队成员与反射镜坯合影。新华社记者张楠摄 4月27日，两名工作人员在清理反射镜坯。新华社记者张楠摄 近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（简称长春光机所）成功自主研制出直径4.03米的单体碳化硅反射镜坯，将其应用于望远镜或卫星上成像，将大大提高分辨率。现代大型光学望
金属基复合材料的性能有什么特点
复合材料中以纤维增强材料应用最广、用量最大。其特点是比重小、比强度和比模量大。例如碳纤维与环氧树脂复合的材料，其比强度和比模量均比钢和铝合金大数倍，还具有优良的化学稳定性、减摩耐磨、自润滑、耐热、耐疲劳、耐蠕变、消声、电绝缘等性能。石墨纤维与树脂复合可得到热膨胀系数几乎等于零的材料。纤维增强材料的另
碳化硅展会|2024上海国际贴片胶展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
利用ALMA观测到二碳化硅在富碳AGB星周呈环状分布
渐近巨星支（Asymptotic Giant Branch，AGB）恒星的星周包层（Circumstellar Envelope，CSE）中含有大量气体分子（已探测到105个），约占星际空间发现的所有分子（超300个）的三分之一。研究星周包层中分子的物理及化学特征，对探讨恒星演化具有重要意义。气
麻省理工学院开发碳化硅核燃料包壳材料
近期，美国麻省理工学院(MIT)的研究人员正在测试碳化硅(SiC)陶瓷基体燃料包壳材料，这种材料能把产生氢气的风险降低几千倍，并为核燃料提供与锆合金类似的保护。 世界上其他研究机构也提出将SiC用于核燃料包壳，而MIT目前正在开展最为详细的测试和模拟。MIT的Kazimi教授及其团队不仅在
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发
我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世
我新一代雷达核心部件材料实现国产化 科技日报济南7月6日电 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。 碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达
物理所碳化硅晶体产生中红外飞秒激光研究获进展
中红外激光(3-5μm)在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用，特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中，由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次，有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率，因此倍受人们的青睐。但受限于激光增益介质，目前较难在室温下直接
中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展
日前，中国电子科技集团公司第二研究所宣布碳化硅激光剥离设备研发项目通过专家评审论证，正式立项、启动。 碳化硅半导体材料具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、化学性能稳定等优点，对电动汽车、高压输变电、轨道交通、通讯基站、卫星通讯、国防军工等领域的发展有重要意义。然而，碳化硅材料
中国科大郭光灿团队等在碳化硅色心自旋操控研究新进展
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心教授Adam Gali合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同
多头物理气相输运技术提高碳化硅晶体制备效率达3倍
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。 中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部借鉴上海硅酸盐所发明的多坩埚下降晶体制备技术，在对气相输运与沉
科学家利用“搭积木”方式构建碳化硅片上异质集成量子光源
中国科学院上海微系统与信息技术研究所在集成光量子芯片研究方面取得进展。该研究采用“搭积木”式混合集成策略，将III-V族半导体量子点光源与CMOS工艺兼容的碳化硅（4H-SiC）光子芯片异质集成，构建出新型混合微环谐振腔。这一结构实现了单光子源的片上局域能量动态调谐，并通过微腔的Purcell效
杂化聚合物主要成分分析
碳化硅涂料和碳化硅胶泥利用良好的导热和热稳定性，磨料--主要是因为碳化硅涂料具有很高的硬度，化学稳定性和一定的韧性，所以碳化硅涂料能用于脱硫塔、烟道和化工水池。 碳化硅杂化聚合物涂料特点如下： 1、碳化硅杂化聚合物涂料耐腐蚀性能好。由于涂层采用的基体树脂是高性能的无机聚合物，该类型树脂具有环
2024深圳国际半导体产业展－华南碳化硅半导体材料与分立器件展会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
碳化硅展会|2024上海国际芯片粘合材料展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
“瞬影”碳化硅双能CT高压发生器开启影像设备定制新时代
医疗影像设备被誉为大国重器，技术壁垒极高，经过30多年自主创新，已逐步实现了打破进口垄断的局面。随着国产化率的不断提高，中国造影像设备已走出国门，面向全球市场。 实现整机自主可控后，下一个挑战是解决影像设备核心子部件的卡脖子难题。国家工业和信息化部已将影像设备核心零部件列为“卡脖子”技术，在《
国产碳化硅进击8英寸工艺节点－“掘金”窗口期步入倒计时
在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，国产碳化硅产业商业化持续推进，获得国际功率半导体巨头青睐和结盟，积极追赶更为先进的8英寸工艺节点，碳化硅产品价格有望步入“甜蜜点”。另一方面，碳化硅产业呈现跑马圈地的扩张态势，竞争日趋激烈，甚至有头部厂商已经喊话碳化硅创业窗口期已经接近关闭。获国际龙头青睐“
碳化硅展会|2024上海国际光刻机展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶
记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉，该所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，2月4日，成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。 据介绍，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂
APC杂化聚合物应用范围广
杂化聚合物涂料价格我公司经过多方面考察，结合技术及烟囱运行的特点，APC-杂化聚合结构层技术，和我国材料腐蚀部门合作，在材料及施工工艺。我们认为找到了一种烟囱防腐的杂化聚合结构层技术。 杂化聚合物防腐涂料工艺性能介绍： A、施工性，不受结构表面形状的限制，且可常温固化； B、浸润性好与碳钢
耐高温杂化聚合物用途范围
杂化聚合物涂料价格我公司经过多方面考察，结合技术及烟囱运行的特点，APC-杂化聚合结构层技术，材料腐蚀部门合作，在材料及施工工艺。我们认为找到了一种烟囱防腐的杂化聚合结构层技术。 杂化聚合物防腐涂料工艺性能介绍： A、施工性，不受结构表面形状的限制，且可常温固化； B、浸润性好与碳钢、砼及
超大口径/超轻量化碳化硅反射镜坯研制技术－通过评价
10月30日，吉林省技术产权交易中心、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所成果转化处组织专家，在长春光机所召开“超大口径/超轻量化碳化硅反射镜坯研制技术”科技成果评价评审会。长春光机所相关部门、评审专家组、项目研发团队等20余人出席了评审会。 评审会现场 评审专家组由中国工程院院士、长春理工
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高
碳化硅展会|2024上海国际石英石墨展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
宁波材料所就核用碳化硅及核能材料基因组工程发表观点
核能的发展与安全性提升，离不开新型核材料的出现以及对于传统核材料的改进。自2011年福岛核事故以来，人们对反应堆包壳材料提出了事故容错性的迫切需求，即在核安全事故发生后的一段时间内，包壳材料能够保持其结构与功能的完整性，进而为后续的救助与修复工作争取时间。近期，中国科学院宁波材料技术与工程研究所
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2
其他仪器方面，本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式，装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域，扫描尺寸是90×90μm2，扫描
中科大等实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测
中国科学技术大学郭光灿院士团队在碳化硅色心高压量子精密测量研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等与中科院合肥物质科学研究院固体物理研究所高压团队研究员刘晓迪等合作，在国际上首次实现了基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测。该技术在高压量子精密测量领域具有重要意义。3月23日，相关研究
2024邀您参展|中国(上海)国际第三代半导体碳化硅SiC博览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024半导体展会|2024中国（上海）氮化(GaN)和碳化硅(SiC)博览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际