上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半导体高端芯片生产制程用精密高纯SiC陶瓷结构件。然而，由于SiC是Si-C键很强的共价键化合物，硬度仅次于金刚石，具有颇高的硬度和显著的脆性，故精密加工难度大。因此，大尺寸、复杂异形中空结构精密SiC结构件的制备难度较高，限制了SiC陶瓷在诸如集成电路这类高端装备制造领域中的应用，而3D打印技术可有效解决这一难题。3D打印SiC陶瓷制备技术已成为目前SiC陶瓷研究和应用的发展方向之一。3D打印SiC陶瓷主要为反应烧结SiC陶瓷，多数密度低于2.95g·cm-3，硅含量通常大于30vol%甚至高达50vol%。由于硅熔点低于1410℃，......阅读全文
上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半
怎样检测硅铁的硅含量
检测硅铁的硅含量最简单的方法是：重量法测定硅铁中硅含量。在重量法测定硅含量中，又具体分为三种方法，即：1、 高氯酸脱水重量法测定硅量；2、 盐酸脱水重量法测定硅量；3、 挥硅减量重量法。硅铁的硅含量的测定方法有多种。用以测定硅铁合金中硅测定的化学分析方法主要有重量法和氟硅酸钾容量法。现代仪器分析中，
宁波材料所在电场辅助连接技术研究中取得进展
碳纤维增强碳复合材料（Carbon fiber reinforced carbon composites, Cf/C）具有密度低、高热导、低热膨胀系数以及在高温下良好的抗热震性和优异的耐磨性质，被认为是火箭防护罩、喷管及航天飞行器刹车片的候选材料之一。同时，由于其较低的中子活性，在核聚变/裂变堆
汽油中硅含量测定
采用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP -OES测定车用汽油中硅含量的试验方法。本标准适用于测定硅含量为1.0 mgkg～50.0 mgkg的车用汽油（含氧化合物体积分数不超过15%），例如含甲基叔丁基醚的车用汽油、车用甲醇汽油（M15）和车用乙醇汽油（E10）。对于硅含量高于50.0 mgkg
16001700℃硅钼棒陶瓷纤维马弗炉
1600-1700℃硅钼棒陶瓷纤维马弗炉 高温箱式陶瓷纤维马弗炉特点炉膛采用特种陶瓷纤维材料和技术设计，具有双炉膛结构。既有升温速度快的特征，又有长期不塌陷，高温不掉粉，超温不裂缝的独有特征。控制系统采用模块化结构，关键部件长寿命设计，控温精度高，稳定可靠。 硅化铂安晟高温箱式陶瓷纤维马弗
16001700℃硅钼棒陶瓷纤维马弗炉
1600-1700℃硅钼棒陶瓷纤维马弗炉 高温箱式陶瓷纤维马弗炉特点炉膛采用特种陶瓷纤维材料和技术设计，具有双炉膛结构。既有升温速度快的特征，又有长期不塌陷，高温不掉粉，超温不裂缝的独有特征。控制系统采用模块化结构，关键部件长寿命设计，控温精度高，稳定可靠。 硅化铂安晟高温箱式陶瓷纤维马弗
2024－SIC半导体展|上海SIC半导体展|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
攻关克难－宁波材料所碳化硅先驱体研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐辐照、强度大、硬度高、热膨胀率小等优异的综合性能，在能源安全领域扮演着重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用传统的粉末方法，即从微粉制备、成型（包括压延、挤塑、干压、等静压、浇注、注射等方式）、烧结到加工这一过程。近30年来，陶瓷材
碳化硅－(SiC)：历史与应用
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。利用当代技术，人们已使用SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷
研究揭示镁硅掺杂Ce:YAG荧光陶瓷研究新进展
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室与复旦大学合作，在镁硅掺杂的Ce:YAG荧光陶瓷的Ce3+离子发光红移机理和荧光性能研究方面取得新进展。相关研究成果发表在《合金和化合物杂志》(Journal of Alloys and Compounds)。 随着高功率照明和显示
陶瓷坯料水分含量测试仪机理/参数
《冠亚牌》SFY系列陶瓷坯料水分含量测试仪是深圳冠亚水分仪公司新研制的率水分测定仪器，采用率的烘干加热器-高品质的环状灯管，对样品进行快速、均匀的加热，样品的水份持续不断的被烘干。整个测量过程，仪器全自动的实时显示测量结果：样品重量、含水量、测定时间、加热温度等；应用了国际烘箱干燥法原理，测定结
纯水标准对硅含量的要求
目前比较通用的纯水标准包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。这些标准除了对Na+、Cl- 离子的含量有明确规定外，还规定了硅含量的要求。不同纯水级别对硅含量的要求见表1。表1
SiC同质外延厚度分析
钝化层分析 钝化层作为保护层、绝缘层或抗反射层，在半 导体材料中扮演着重要的角色。 VERTEX 系列 光谱仪是分析钝化层的理想工具，它可以实 现快速灵敏的无损分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层
SiCLED研究中取得进展－为我国SiC产业注入新活力
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
扩散硅压力和陶瓷电容压力传感器有何不同
硅压力传感器利用硅受压后电阻值变化来测量压力；陶瓷电容压力传感器利用受压后电容量变化来测压。硅压力传感器的灵敏度高，成本低，受温度影响大。陶瓷电容传感器重复性优秀，过载能力强，受温度影响小，感压截面积大，成本略高。两者各有特点，没有哪一个有绝对优势。一般的应用建议选用硅压阻的，品种多，价格低。
测土仪如何测定土壤有效硅含量？
土壤有效硅的测定方法及步骤 1. 需用户自配试剂 (1) 土壤有效硅浸提剂：取一袋土壤有效硅浸提剂(固体)，以适量水溶解并转入500mL容量瓶中，以蒸馏水定容，摇匀。 2. 操作步骤 (1) 土壤滤液的制备 称取1.0g 风干土样或1.0×(1+含水量)g的新鲜土样，于一500mL塑料
中子活化分析的发展趋势及应用
发展趋势 ①从单纯的元素分析扩展到化学状态的测定:随着中子活化分析应用领域的扩大,不仅需要测定样品中元素的含量，而且还要求深入研究元素的分布和状态。例如,在环境科学研究中分析水中痕量元素时,增加超过滤法前处理，将水样分解成低分子量组分、胶体、假胶体和颗粒物，再用中子活化法分别测定处于不同状态的
宁波材料所高品质碳化硅陶瓷先驱体研制获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀、耐辐照、抗氧化、热膨胀率小和热导率高等优异的综合性能，在航空航天、核电、高速机车、武器装备等关键领域具有重要的应用价值。SiC陶瓷因其极高的热稳定性和强度，成型加工困难。 目前，国际上陶瓷材料的制备主要采用传统的粉末成型方法，包括微粉制备、成型（
傅里叶红外光谱仪在第三代Sic半导体应用
据消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视，不少半导体厂商已率
2024－SIC半导体展|上海SIC半导体展|上海国际半导体技术展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
激光诱导击穿光谱（LIBS）的应用领域
激光诱导击穿光谱（LIBS）的应用1、材料的远程无损分析，定性和识别。2、危险材料 (高温、放射性、化学毒性材料) 的远程探测和元素分析3、存储容器的放射性污染的现场检测 (玻璃化的高等级废料、中间级废料)4、不易接近环境中钢材的现场成分分析 (核反应堆压力容器等)5、废料回收过程中快速鉴别金属和合
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
为什么纯水标准对硅的含量有要求？
目前比较通用的纯水标准包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。这些标准除了对Na+、Cl- 离子的含量有明确规定外，还规定了硅含量的要求。不同纯水级别对硅含量的要求见表1。表1 不同纯水级别
为什么纯水标准对硅的含量有要求
目前比较通用的纯水标准包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。这些标准都明确规定了超纯水的硅含量要低于一定的值，不同纯水级别对硅含量的要求见表1。 表1 不同纯水级别对硅含量的要求 为什么要检
为什么纯水标准对硅的含量有要求
目前比较通用的纯水标准包括ISO 3696-1995、ASTM D1193-2011、GB6682-2008、GB/T33087-2016、GB/T11446-2013。这些标准都明确规定了超纯水的硅含量要低于一定的值，不同纯水级别对硅含量的要求见表1。 表1 不同纯水级别对硅含量的要求 为什么要
备受看好的氧化镓材料是什么来头？－（一）
日前，据日本媒体报道，日本经济产业省（METI）计划为致力于开发新一代低能耗半导体材料“氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持。报道指出，METI将为明年留出大约2030万美元的资金去资助相关企业，预计未来5年的资助规模将超过8560万美元。 众所周知，经历了日美“广场协定”的日本
掺氮SiC薄膜制备及其光学特性的研究
硅碳氮（SiCN）薄膜作为一种新型三元薄膜材料具有优异的光、电和机械性能,此外,该薄膜独特的发光性能和从可见光到紫外光范围的可调节带隙,使其成为很有潜力的发光材料。本论文以制备高质量SiC,SiCN等半导体薄膜材料以及探索其光学特性为研究目标,该材料可用于制备应用于恶劣环境下的光电子器件及作为光学保
安徽工大团队成功研发低硼化钛含量新型陶瓷
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/495415.shtm近日，安徽工业大学材料科学与工程学院教授冉松林团队分别在国际期刊《先进陶瓷(英文)》 (Journal of Advanced Ceramics)和《美国陶瓷协会会刊》《Journal
SiCM（Nb，Mo，Re）陶瓷先驱体的合成与陶瓷纤维制备研究
在SiC陶瓷材料中添加某些异质元素可以有效地抑制其高温条件下的β-SiC析晶,并起到烧结助剂作用,本文在SiC陶瓷先驱体的基础上,引入异质元素(如Nb、Mo、Re等),通过异质元素与Si形成超高温硅化物,与C形成超高温碳化物,或金属间化合物,进一步提高SiC陶瓷及其纤维的耐温性、抗氧化性能。本文选用