介电常数测试仪同轴共振腔

日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。AET公司开发了二种共振腔:空洞共振腔和开放式同轴共振腔用于测试环境腔.......阅读全文

介电常数测试仪同轴共振腔

日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。AET公司开发了二种共振腔:空洞共振腔和开放式同轴共振腔用于测试环境腔.

介电常数测试仪同轴共振腔

日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。AET公司开发了二种共振腔:空洞共振腔和开放式同轴共振腔用于测试环境腔.

介电常数测试仪同轴共振腔技术参数

 技术参数:可测试频率范围: 800-18GHz介电常数Epsilon:1-15,   准确度: ±1%,介电损耗tangent delta:0.1-0.001,  准确度:±5%共有三种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHzor 1/3/5/7/9GHz  

介电常数测试仪同轴共振腔应用领域

 应用领域: 高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品; 薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

介电常数测试仪同轴共振腔主要特点

 主要特点:同轴共振腔适用于不同形状样品:包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。

介电常数测试仪同轴共振腔技术参数

 技术参数:可测试频率范围: 800-18GHz介电常数Epsilon:1-15,   准确度: ±1%,介电损耗tangent delta:0.1-0.001,  准确度:±5%共有三种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHzor 1/3/5/7/9GHz  

激光器光学共振腔简介

  通常是由具有一定几何形状和光学反射特性的两块反射镜按特定的方式组合而成。作用为:①提供光学反馈能力,使受激辐射光子在腔内多次往返以形成相干的持续振荡。②对腔内往返振荡光束的方向和频率进行限制,以保证输出激光具有一定的定向性和单色性。共振腔作用①,是由通常组成腔的两个反射镜的几何形状(反射面曲率半

介电常数测试仪空洞共振腔仪器简介

仪器简介: 日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。 AET公司开发了二种共振腔:空洞共振腔和开放式同轴

介电常数测试仪诱电体共振腔

 主要特点:高介电,低介电损耗材料量测。

介电常数测试仪空洞共振腔仪器简介

仪器简介:日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。AET公司开发了二种共振腔:空洞共振腔和开放式同轴共振腔用于测试环境腔.

介电常数测试仪空洞共振腔主要特点

主要特点: 空洞共振腔(Cavity Resonator ),适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。

介电常数测试仪空洞共振腔应用领域

应用领域: 高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品; 薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB) 陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

介电常数测试仪空洞共振腔应用领域

应用领域: 高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品; 薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

介电常数测试仪空洞共振腔主要特点

主要特点:空洞共振腔(Cavity Resonator ),适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。

介电常数测试仪空洞共振腔技术参数

 技术参数:可测试频率范围: 1G-18GHz介电常数Epsilon:1-30,   准确度: ±1%,介电损耗tangent delta:0.05-0.0001,  准确度:±5%拥有多种腔体,每个腔可测一个频点:

介电常数测试仪诱电体共振腔仪器简介

介电常数测试仪---诱电体共振腔品牌:AET型号: 诱电体共振腔产地:日本 仪器简介:日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,此方法保证了介电常数测量结果的精确性。AET

介电常数测试仪诱电体共振腔应用领域

 应用领域: 高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品; 薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

介电常数测试仪诱电体共振腔技术参数

 技术参数:可测试频率范围: 20G以下介电常数Epsilon:5-200,   准确度: ±1%,介电损耗tangent delta:0.00001-0.001,  准确度:±5%

同轴电缆制作要求介绍

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三坐标测量影响同轴度的因素

三坐标测量影响同轴度的因素三坐标在国标中同轴度公差带的定义是指直径公差为值t,且3D影像测量与三坐标测量仪的基准轴线同轴的圆柱面内的有区域。它有以下三种控制要素:①轴线与轴线;②轴线与公共轴线;③圆心与圆心。2.5次元测量影响同轴度因素2.5次元在影响同轴度的主要因素有被测元素与基准元素的圆心位置和

三坐标测量影响同轴度的因素

  三坐标在国标中同轴度公差带的定义是指直径公差为值t,且3D影像测量与三坐标测量仪的基准轴线同轴的圆柱面内的有区域。它有以下三种控制要素:①轴线与轴线;②轴线与公共轴线;③圆心与圆心。  2.5次元测量影响同轴度因素  2.5次元在影响同轴度的主要因素有被测元素与基准元素的圆心位置和轴线方向,特别

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