近场直写技术打印高度有序的微纳米线阵列
——精密元件制作的新思路 近年来，通过对传统静电纺丝工艺的改进，科研人员已经能够针对大量微纳米纤维进行同时操纵而制备出有序的纳米纤维阵列，然而却始终无法保证纤维阵列的高度有序性，从而极大的限制了其在精密微电子和光电子器件等领域的应用。为了弥补这种缺陷，需要开发新的制备工艺来实现对单根微纳米线的定位生长与沉积。定向排列的纤维阵列，能赋予自身独特的电学和光学等方面的特性，从而激发科研人员的广泛研究。 近日，中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室沈国震课题组与北京科技大学数理学院陈娣教授合作，设计出一种近场直写技术，克服了传统电纺纤维无序和不可控的缺点，实现了对单根微纳米线的精确操纵，能够在硬性基底和柔性基底上高效、大面积的制备高度有序的无机或有机微纳米线。 利用这种技术打印的锗酸锌微米线阵列可以按需求调控微米线的形貌、数目和沉积位置，进而避免了对于制备的微纳米线的二次操作。基于锗酸锌微米线的光电探测器件具有较低的暗电流（~......阅读全文
半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。 拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有
十一烯酸锌的制剂类型
制剂复方十一烯酸锌软膏
十一烯酸锌的检查方法
千燥失重取本品,在105℃干燥至恒重,减失重量不得过1.0%(通则0831)碱金属与碱土金属盐取本品1.5g,加水50ml与盐酸10ml,煮沸,趁热用湿润的滤纸滤过,并用热水洗涤至洗液不显酸性反应;合并滤液与洗液,置200m1量瓶中,加氨试液使成碱性,再加硫化铵试液适量使锌完全沉淀,用水稀释至刻度,
枸橼酸锌的检查方法
酸度取本品0.10mg,加水10ml,搅拌5分钟,滤过,滤液加甲基橙指示液1滴,不得显橙红色。碱度取本品1.0g,加热水10ml,搅拌5分钟,放冷,滤过,滤液加酚酞指示液2滴,不得显粉红色。干燥失重取本品,在180℃干燥6小时,减失重量不得过6.5%(通则0831)。铁盐取本品0.20g,加稀盐酸4
十一烯酸锌的检查方法
千燥失重取本品,在105℃干燥至恒重,减失重量不得过1.0%(通则0831)碱金属与碱土金属盐取本品1.5g,加水50ml与盐酸10ml,煮沸,趁热用湿润的滤纸滤过,并用热水洗涤至洗液不显酸性反应;合并滤液与洗液,置200m1量瓶中,加氨试液使成碱性,再加硫化铵试液适量使锌完全沉淀,用水稀释至刻度,
韩国开发出下一代纳米半导体图像传感器
韩国科学技术研究院发布消息称，该院联合延世大学利用二维二硒化钨纳米单芯片和一维氧化锌氧化物半导体纳米线的混合维空间双层结构，开发了可以感知从紫外线到近红外线光的光电二极管器件。该研究结果发表在国际学术杂志《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）上。 低
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
王中林小组研制出纤维纳米发电机
有关成果发表于2月14日出版的《自然》杂志 从2006年开始，王中林小组相继发明了纳米发电机、直流发电机。在2006年他首次提出了压电电子学(Piezotronics)的概念和新研究领域。由于氧化锌具有独特的半导体和压电性质，弯曲的氧化锌纳米线能在其拉伸的一面产生正电势，压缩的一面产生负电势。氧
什么是半导体材料？常见半导体材料有哪些？
半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1
近物所纳米材料结构调控研究获得新进展
最近，中科院近代物理研究所材料研究二组的科研人员利用重离子径迹模板和电化学沉积技术，成功实现了铜纳米线晶体学特征的调控。相关结果发表在Nanotechnology 21(2010)365605上，并得到了审稿人的高度评价。文章发表后立即引起了英国物理学会社区网站nanotechw
原子尺度调节镓锌混合氮氧化物纳米线能带结构新研究
近日，中国科学院国家纳米科学中心研究员宫建茹与南京航空航天大学教授宣益民、中科院高能物理研究所研究员张静合作，在原子尺度调节 (Ga1-xZnx)(N1-xOx) 固溶体纳米线能带结构研究方面取得新进展，1月21日，相关研究成果以Atomic arrangement matters: band-
赵东旭小组研制出高性能微米线日盲紫外探测器
器件的结构示意图以及各项性能指标 近日，中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员赵东旭带领的团队采用氧化锌/氧化镓核/壳微米线，研制出具有雪崩增益的高灵敏度日盲紫外探测器。 日盲光谱区是指波长在200～280nm波段的紫外辐射，由于太阳辐射在这一波段的光波几乎完全被地球的臭氧层所吸收，即在
上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展
近年来，半导体纳米线因为其准一维的结构特征，在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件，如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中，纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收，而其中的电子(空穴)迁移率等也逐渐
新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL
近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge
2024北京锗硅材料展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024上海锗硅材料展览会|全国半导体展|第十三届
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
云锗牵手中科院－共建光电半导体材料联合实验室
昨日，云南锗业就与中国科学院半导体研究所合作共建光电半导体材料联合实验室一事发布公告，未来3年，云南锗业将投入150万元用于支持光电半导体材料及其相关器件研究。 公告显示，7月7日，双方在昆明高新区云南国家锗材料基地内举行“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司一中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合
微系统所研制出微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器
超导纳米线单光子探测器（SNSPD：Superconducting nanowire single-photon detector）作为一种高性能的单光子探测器，已广泛应用于量子信息、激光雷达、深空通信等领域，有力推动了相关领域的科技发展。 SNSPD器件主要有两种光耦合方式，一种是垂直光耦合
研究实现硅基量子芯片自旋轨道耦合强度高效调控
中国科学技术大学郭光灿院士团队在硅基半导体量子芯片研究中取得重要进展。该团队郭国平教授、李海欧教授等人与中科院物理所张建军研究员、纽约州立大学布法罗分校胡学东教授以及本源量子计算有限公司合作，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，为该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质
可调谐红外双波段光电探测器，助力多光谱探测发展
红外双波段光电探测器是重要的多光谱探测器件，特别是近红外/短波红外区域，相较于可见光有更强的穿透能力，相较于中波红外可以以较低的损耗识别冷背景的物体，因此广泛应用于民用和军事领域。当前红外双波段探测器主要面临光谱不可调谐，器件结构复杂而不易与读出集成电路相结合的挑战。 据麦姆斯咨询报道，近日，
II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动
近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突
电子级二维半导体与柔性电子器件研究新进展
在半导体器件不断小型化和柔性化的趋势下，以二硫化钼（MoS2）等过渡金属硫属化合物（TMDC）为代表的二维半导体材料显示出独特优势，具有超薄厚度（单原子层或少原子层）和优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性，使其在未来更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。然而，现阶段以器件应用为
具有超导性能的锗材料制成
一个国际研究团队在最新《自然·纳米技术》发表论文称，他们制备出具有超导性的锗材料，能够在零电阻状态下导电，使电流无损耗地持续流动。在锗中实现超导，为在现有成熟半导体工艺基础上开发可扩展量子器件开辟了新路径。长期以来，科学家一直希望让半导体材料具备超导特性，以提升计算机芯片和太阳能电池的运行速度与能源
高质量InAs(Sb)/GaSb核壳异质结纳米线阵列外延生长获进展
一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性，在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是，基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点，为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中，InAs具有小的电
十一烯酸锌的鉴别方法
(1)取本品约3g,加水20ml与稀硫酸25m1,用乙醚振摇提取2次,每次25ml,合并乙醚提取液,置水浴上蒸去乙醚后,取残留液1ml,照十一烯酸项下的鉴别(1)项试验,显相同的反应。(2)取本品约0.1g,加水10m1与浓氨试液1ml溶解后,加硫化钠试液数滴,即生成白色沉淀(3)本品的红外光吸收图
枸橼酸锌的基本性状
本品为白色颗粒状结晶或结晶性粉末;无臭;有风化性。本品在水中微溶,在盐酸溶液中溶解。
枸橼酸锌的含量测定方法
取本品约0.2g,精密称定,加水20m1与氨氯化铵缓冲液(pH10.0)l0ml,振摇使溶解,加铬黑T指示剂少许,用乙二胺四醋酸二钠滴定液(0.05mol/L)滴定至溶液由紫色变为纯蓝色。每1ml乙二胺四醋酸二钠滴定液(0.05mol/L)相当于9.572mg的(C6H5O7)2Zn3
枸橼酸锌的鉴别检查方法
鉴别本品显锌盐与枸橼酸盐的鉴别反应(通则0301)。检查酸度取本品0.10mg,加水10ml,搅拌5分钟,滤过,滤液加甲基橙指示液1滴,不得显橙红色。碱度取本品1.0g,加热水10ml,搅拌5分钟,放冷,滤过,滤液加酚酞指示液2滴,不得显粉红色。干燥失重取本品,在180℃干燥6小时,减失重量不得过6
十一烯酸锌的基本性状
本品为白色无定形粉末。本品在水或乙醇中几乎不溶。熔点本品的熔点(通则0612)为116~121℃
枸橼酸锌的鉴别方法
本品显锌盐与枸橼酸盐的鉴别反应(通则0301)。