近场直写技术打印高度有序的微纳米线阵列
——精密元件制作的新思路 近年来，通过对传统静电纺丝工艺的改进，科研人员已经能够针对大量微纳米纤维进行同时操纵而制备出有序的纳米纤维阵列，然而却始终无法保证纤维阵列的高度有序性，从而极大的限制了其在精密微电子和光电子器件等领域的应用。为了弥补这种缺陷，需要开发新的制备工艺来实现对单根微纳米线的定位生长与沉积。定向排列的纤维阵列，能赋予自身独特的电学和光学等方面的特性，从而激发科研人员的广泛研究。 近日，中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室沈国震课题组与北京科技大学数理学院陈娣教授合作，设计出一种近场直写技术，克服了传统电纺纤维无序和不可控的缺点，实现了对单根微纳米线的精确操纵，能够在硬性基底和柔性基底上高效、大面积的制备高度有序的无机或有机微纳米线。 利用这种技术打印的锗酸锌微米线阵列可以按需求调控微米线的形貌、数目和沉积位置，进而避免了对于制备的微纳米线的二次操作。基于锗酸锌微米线的光电探测器件具有较低的暗电流（~......阅读全文
近场直写技术打印高度有序的微纳米线阵列
——精密元件制作的新思路 近年来，通过对传统静电纺丝工艺的改进，科研人员已经能够针对大量微纳米纤维进行同时操纵而制备出有序的纳米纤维阵列，然而却始终无法保证纤维阵列的高度有序性，从而极大的限制了其在精密微电子和光电子器件等领域的应用。为了弥补这种缺陷，需要开发新的制备工艺来实现对单根微纳米线的
王中林研究组创立压电电子学和压电光电子学
王中林是中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院董事教授。据佐治亚理工学院新闻中心报道，王中林小组发明了一种基于压电效应的新型纳米电子逻辑器件。这种逻辑器件的开关可以通过外加在氧化锌纳米线上的应力所产生的电场调控，进而实现基本和复杂的逻辑功能；这是他开创的压电电子学（Piezo
硅纳米线将绘电子器件新版图
虽然我国目前已经初步实现了硅纳米晶体管、传感器等纳米器件的部分功能，但是离纳米器件的大规模集成还有相当大的距离。 美国斯坦福大学研究人员已经研发出用硅纳米线制成的“纸电池”。 当全世界的科学家一窝蜂地关注碳纳米管时，殊不知，另一种一维纳米材料硅纳米线同样能给人带来意想不到的惊喜。
上海微系统所团队揭示氧化锌纳米线的纳米尺度效应
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室研究员李昕欣课题组首次采用原位电镜（TEM）观测技术并结合热力学参数测量验证，从原子级层面揭示了氧化锌纳米线纳米尺度的构效关系机理。 该研究采用原位TEM技术实时观察了两种不用尺度ZnO纳米线在SO2气氛下的形貌演变，表明小尺度Z
王中林小组发明高效紫外发光二极管
图中光学照片显示的是在压电光电子效应的作用下，紫外发光二极管的发光强度随施加的应变的增加而增加。下图显示的利用能带理论解释压电光电子效应对p-n结处能带结构和载流子输运过程的调制和改变。 紫外半导体发光二极管在化学、生物、医学和军事领域具有广泛的应用，目前这种材料的内量子效率虽
硅和锗元素半导体的应用介绍
硅和锗是我们最熟悉的元素半导体。锗是最早实现提纯和完美晶体生长，并最早用来制造晶体管的半导体材料。但是，由于锗的禁带较窄，锗器件的稳定工作温度远不如硅器件高，加之资源有限，其重要地位早在半导体工业发展初期就被硅所取代。目前，锗仅以其较高的载流子迁移率和在某些重掺杂情况下的高度红外敏感特性，在低频小功
天大开发可溶解电子产品引线互连水烧结纳米复合材料
电子技术的快速发展导致全球消费电子产品销售额爆 炸式增长，2019年达到1.032亿美元，每年产生超过5360万吨电子垃圾。随之而来的消费电子产品的回收成为一个棘手的问题，因为它们中的大多数(约83%)被不负责任地处理，产生了多氯联苯、多溴联苯、聚氯乙烯、铅、镉和汞等有害物质，造成了严重的环境污
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
“碳氮微纳米线研究”获得新成果
富氮碳氮微纳米线的气相方法合成。 碳氮材料具有较低的密度、良好的化学惰性和生物兼容性。理论预测还表明β-C3N4等碳氮晶体可能具有与金刚石相媲美的高硬度。然而由于氮元素具有很高的化学稳定性，在高温条件下通常以氮气的形式溢出。因此在以往报道的碳－氮体系材料中，氮含量通常偏低。 国家纳米科学中心孙连
用微晶体和纳米线来分解水
科学家们正在寻找一种新的方法,以利用这个世界上最丰富的清洁能源之一:水。 通过纳米晶(又称量子点)与纳米线相结合,科学家们开发了一种新材料,这种新材料有望将水分解成氧和氢燃料,可用于汽车,公交车,船和其它类型的交通工具。 “氢被看作是清洁能源的重要来源,因为水在加热的时候,它是唯一的副产品,
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛
驰宏锌锗突陷“环保门”资产重组笼阴霾
如果不出意外的话，早在8月3日就开始停牌酝酿资产重组方案的 驰宏锌锗 （600497，前收盘价19.00元），将在9月10日带着新鲜出炉的资产重组计划亮相A股市场。不过，就在公司10多万名股东开始默默倒数之时，公司却突然陷入了 “环保门”的漩涡中。而更令人担忧的是
高纯锗(HPGe)半导体探测器的相关介绍
简介 随着锗半导体材料提纯技术的进展，已可直接用超纯锗材料制备辐射探测器。它具有工艺简单、制造周期短和可在室温下保存等优点。用超纯锗材料还便于制成X、γ射线探测器,既可做成很大灵敏体积，又有很薄的死层,可同时用来探测X和γ射线。高纯锗探测器发展很快，有逐渐取代锗。 工作原理 采用高纯度的
新型高性能柔性纳米锂离子电池的研究受关注
随着全球能源问题的日益突出，各国对于新一代清洁能源的开发显得十分紧迫。锂离子电池是当今国际公认的理想化学能源，具有体积小、电容量大、电压高等优点，被广泛用于移动电话、手提电脑等电子产品，日益扩大的电动汽车领域将给锂离子电池带来更大的发展空间。近年来，作为下一代最有前景之一的柔性/可折叠光电子器件
异质结在半导体光电子器件中有哪些作用
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
化学所利用半导体纳米线同质结实现光学分波器
光学分波器是纳米光子回路中的关键元件，可以用来连接纳米激光器(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7276-7279)、光信号传感器(Adv. Mater., 2012, 24, OP194-199)、检测器 (Adv. Mater., 2012, 24, 474
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自
王中林小组首次实现高功率纳米发电机驱动常规电子器件
中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院王中林领导的研究小组，首次研发出一系列基于压电纳米材料的大功率纳米发电机（Nanogenerator），输出电压达2～3伏，并将其首次成功应用于驱动常规电子器件。这一系列最新进展的3篇论文分别发表在7月和10月出版的美国《纳米快报》和英国的《自然—通讯》上。
什么是酸锌萃取剂？
酸性萃取剂在水中可电离出氢离子而得名。
「官网」2025深圳13届国际锗硅材料展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际CMP抛光材料展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间
南科大在新型多沟道氮化镓电力电子器件领域取得进展
近日，南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊与瑞士洛桑联邦理工大学教授Elison Matioli、苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯等团队合作，在Nature Electronics发表了题目为“Multi-channel nanowire devices for efficient power
2024深圳半导体材料、设备展暨半导体微电子器件、传感器展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
长春光机所研制出高性能微米线日盲紫外探测器
日盲光谱区是指波长在200～280nm波段的紫外辐射，由于太阳辐射在这一波段的光波几乎完全被地球的臭氧层所吸收，即在这个波段大气层中的背景辐射几乎为零，所以称为“日盲”。在该光谱范围内，由于具有极低的背景噪音，同红外探测技术相比，紫外探测具有虚警率低、不需低温冷却、不扫描、告警器体积小
常用的半导体材料介绍
常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、 Ⅳ-Ⅵ族
韩国研发出新型半导体材料
韩国科学技术研究院发布消息称，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重结合，研发出能感知从紫外线到近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。图片来源网络 光二极管元件是影响手机摄像
上海微系统所锗基石墨烯应用研究取得进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质/沟道界面钝化层，调制界面特性，有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代，锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难
半导体所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。 作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳