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（1）大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度。（2）能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深度仅限于表面以下大约2nm以内，约相当于表面几个原子层，且发射（逸出）深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。（3）在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射电子束的侧向扩展几乎尚未开始，故其空间分辨率直接由入射电子束的直径决定。......阅读全文
电子显微技术以及电子能谱技术已成为材料表征特别是定量分析的重要工具。作为这些技术的物理基础,电子与固体相互作用的研究对定量解释实验电子显微成像或电子能谱起着至关重要的作用,成为凝聚态物理研究的一个非常重要的研究领域。本论文分别采用经典Monte Carlo方法、波动力学方法和玻姆力学方法,从不同角度
表面分析方法表面分析方法有数十种，常用的有离子探针、俄歇电子能谱分析和X射线光电子能谱分析，其次还有离子中和谱、离子散射谱、低能电子衍射、电子能量损失谱、紫外线电子能谱等技术，以及场离子显微镜分析等。离子探针分析离子探针分析，又称离子探针显微分析。它是利用电子光学方法将某些惰性气体或氧的离子加速并聚
根据所采用的激发源的不同，电子能谱分析主要可分为以下两大类：一是以光电子能谱（简称PES）；二是电子束作激发源去照射样品，测量样品所发射出的俄歇电子能量，称为俄歇电子能谱（简称AES）。1、光电子能谱以一定能量的X射线或光（如紫外光）照射固体表面时，被束缚于原子各种深度的量子化能级上的电子被激发而产
1.入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子（如果电子束将某原子K层电子激发为自由电子，L层电子跃迁到K层，释放的能量又将L层的另一个
俄歇电子能谱（Auger electron spectroscopy，简称AES），是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄歇效应，而逃脱出
成分分析： 成分分析按照分析对象和要求可以分为 微量样品分析 和 痕量成分分析 两种类型。 按照分析的目的不同，又分为体相元素成分分析、表面成分分析和微区成分分析等方法。 体相元素成分分析是指体相元素组成及其杂质成分的分析，其方法包括原子吸收、原子发射ICP、质谱以及X射线荧光与X射线衍射分析方
材料的逆向分析是现行材料研发中的重要的手段，也是实现材料研发中的最经济、最有效的的研发手段。如何实现材料的逆向分析，从认识材料的分析仪器着手。 成分分析简介 成分分析技术主要用于对未知物、未知成分等进行分析，通过成分分析技术可以快速确定目标样品中的各种组成成分是什么，帮助您对样品进行定性定量
俄歇跃迁对于自由原子来说,围绕原子核运转的电子处于一些不连续的"轨道 ”上,这些 “ 轨道 ” 又组成K、L、M、N 等电子壳层。 我们用“ 能级 ”的概念来代表某一轨道上电子能量的大小。由于入射电子的激发，内层 电子被 电离， 留下一个空穴。 此时原子处于激发态， 不稳定。 较高
随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术的重要组成部分。发展在纳米尺度下的各种检测与表征手段,以用于观测纳米结构材料的原子、电子结构,和测量各种纳米结构的力、电、光、磁等特性,日益引起人们的重视。针对目前广泛使用的各种光子谱技术、X射线衍射和精细吸收谱、高分辨的电子显微术等技
电子显微技术以及电子能谱技术已成为材料表征特别是定量分析的重要工具。作为这些技术的物理基础,电子与固体相互作用的研究对定量解释实验电子显微成像或电子能谱起着至关重要的作用,成为凝聚态物理研究的一个非常重要的研究领域。本论文分别采用经典Monte Carlo方法、波动力学方法和玻姆力学方法,从不同角度
薄膜材料在现代材料技术中应用广泛。光学镀膜技术中,经常在特定的衬底上沉积一层薄膜,可以改善材料的物理化学性质。许多工业和技术设备都需要覆盖具有特定化学性质的薄膜,薄膜材料具有许多独特的光学与电学性质,这些性质和薄膜本身的制作工艺有关,同时也与薄膜的厚度密切有关。因此,表征纳米量级的薄膜厚度具有十分重
蕙质兰心 勤思敏行 ——记国家大型科学仪器中心—北京电子能谱中心副主任姚文清 “景昃鸣禽集，水木湛清华。”美丽的清华园作为中国乃至亚洲最著名的高等学府之一，在长达百年的办学历史中，培育出了众多精英，为我国的建设发展做出了不可磨灭的贡献。笔者眼前这位优雅从容、学识渊博的女性高级工程师姚文清，正
基本原理物理原理入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。俄歇电子和X射线产额入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子。外层电子
俄歇电子的能量仅与原子的轨道能级有关 , 与入射电子能量无关 , 也就是说与激发源无关。对于特定的元素及特定的俄歇跃迁过程 ,俄歇电子的能量是特征性的。因此可以根据俄歇电子的动能 , 定性分析样品表面的元素种类。由于每个元素会有多个俄歇峰 , 定性分析的准确度很高。 AES 技术可以对除 H 和 H
电子能谱分析方法是20世纪70年代以来迅速发展起来的表面成分分析方法。这种方法是对用光子（电磁辐射）或粒子（电子、离子、原子等）照射或轰击材料（原子、分子或固体）产生的电子能谱进行分析的方法。其中俄歇电子能谱、光电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱等对样品表面的浅层元素的组成能给出比较精确的分
入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是俄歇电子。入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子。外层电子向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以
俄歇表面分析俄歇电子在固体中运行也同样要经历频繁的非弹性散射，能逸出固体表面的仅仅是表面几层原子所产生的俄歇电子，这些电子的能量大体上处于 10～500电子伏，它们的平均自由程很短，大约为5～20埃,因此俄歇电子能谱所考察的只是固体的表面层。俄歇电子能谱通常用电子束作辐射源，电子束可以聚焦、
俄歇电子能谱表面元素分布分析 , 也称为俄歇电子能谱元素分布图像分析。它可以把某个元素在某一区域内的分布以图像方式表示出来 , 就象电镜照片一样。只不过电镜照片提供的是样品表面形貌 , 而俄歇电子能谱提供的是元素的分布图像。结合俄歇化学位移分析 , 还可以获得特定化学价态元素的化学分布图像。俄歇电子
1、通过俄歇电子谱研究化学组态：原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该(元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况。2、定性分析：对于特定的元素及特定的俄歇跃迁过程，其俄歇电子的能量是特征的。由此，可根据俄歇电子的动能来定性分析样品表面物质的元素种类。3、定量分析或半定量分析：俄歇
紫外吸收光谱 UV 分析原理：吸收紫外光能量，引起分子中电子能级的跃迁 谱图的表示方法：相对吸收光能量随吸收光波长的变化 提供的信息：吸收峰的位置、强度和形状，提供分子中不同电子结构的信息 荧光光谱法 FS 分析原理：被电磁辐射激发后，从最低单线激发态回到单线基态，发射荧光
6月16日，清华大学电子能谱实验室及电子显微镜实验室被科技部正式批准为国家大型科学仪器中心。其中，以纳米扫描俄歇系统为核心仪器，依托清华建设的能谱中心正式命名为北京电子能谱中心;以300kV配有物镜球差矫正器的场发射枪分析型透射电子显微镜为核心、依托清华建设的电子显微镜中心正式命名为北京电子显微镜中
俄歇电子能谱简称AES，是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄歇效应，而逃脱出来的电子称为俄歇电子。1953年，俄歇电子能谱逐渐开始被实际应用
第一章固体的光学性质作为材料的重要基本物理性质之一,一直是各个尺度材料性质的研究热点。固体的光学常数,一方面反映了材料对外界宏观电场的响应,联结了外场E和局域电场Eloc的数学关系。另一方面,固体光学常数在不同波段的响应特性包含了固体丰富的微观量子态信息,比如作用于红外区间的光子-声子、电子-电子声
微区分析也是俄歇电子能谱分析的一个重要功能，可以分为选点分析，线扫描分析和面扫描分析三个方面。这种功能是俄歇电子能谱在微电子器件研究中最常用的方法，也是纳米材料研究的主要手段。（1）选点分析俄歇电子能谱选点分析的空间分别率可以达到束斑面积大小。因此，利用俄歇电子能谱可以在很微小的区域内进行选点分析。
X光电子能谱分析的基本原理 X光电子能谱分析的基本原理：一定能量的X光照射到样品表面，和待测物质发生作用，可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示：hn=Ek+Eb+Er （1） 其中:hn：X光子的能量；Ek：光电子的能量；Eb：电子的结合能；Er：原子的反冲能量
AES、STM、AFM的区别主要是名称不同、工作原理不同、作用不同、一、名称不同1、AES，英文全称：Auger Electron Spectroscopy，中文称：俄歇电子能谱2、STM，英文全称： Scanning Tunneling Microscope，中文称：扫描隧道显微镜3、AFM，英文
电子显微和电子能谱分析技术的迅速发展和广泛应用,需要理论方面的研究支持。本文首先简单介绍了扫描电子显微镜等相关探测技术的基本原理和发展趋势,概述了相关的电子与固体相互作用的理论、Monte Carlo模拟计算方法在相关领域的应用。其次,概述了扫描电子显微(SEM)和扫描俄歇电子显微(SAM)成像模拟
1953 年，兰德首次进行了俄歇电子能谱用于表面分析的研究。到1967年哈里斯采用电子能量微分法，使电子能量分布曲线上的俄歇谱峰通本底区分开来，才使得俄歇效应的应用走上实用阶段。图1 俄歇电子能谱仪基于俄歇效应的俄歇电子能谱仪是一种实用较广的表面分析仪器 [1] ，它
紫外吸收光谱 UV 分析原理：吸收紫外光能量，引起分子中电子能级的跃迁 谱图的表示方法：相对吸收光能量随吸收光波长的变化 提供的信息：吸收峰的位置、强度和形状，提供分子中不同电子结构的信息荧光光谱法 FS 分析原理：被电磁辐射激发后，从最低单线激发态回到单线基态，发射荧光 谱图的表
本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析(如对Ni的L3VV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子)中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展,因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。