碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析
碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料。其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤。根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶液中的电极电势,计算得出阳极氧化的先后顺序为Cd>Te>Hg,并以其构建了一种氧化过程模型,模拟溶液中负电荷离子渗入材料和材料内部各种离子的位置及价态变化,推导出组成结构,与XPS化学组分分析结果十分吻合。在结构方面,该模型成功解释了缺Hg区、富Cd区和富Te区的存在及其位置,并通过俄歇电子能谱(AES)测试得到了验证,说明模型具有一定的合理性。 ......阅读全文
碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析
碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料。其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤。根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶液中的电极电势,计算得出阳极氧化的先后顺序为Cd>Te>Hg,并以其构建了一种氧化过程模
碲镉汞的组成和特性
碲镉汞(CdxHg1-xTe)是由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化镉和碲化汞组成的三元固溶体半导体。它是一种窄带半导体材料，随着组分x的变化，禁带宽度和其它能带参数也发生变化。其禁带宽度Eg随温度T和组分x变化有如下经验公式：Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。窄带半导体一般都属
阳极氧化膜的结构
铝的阳极氧化膜有两大类：壁垒型阳极氧化膜和多孔型阳极氧化膜。壁垒型阳极氧化膜是一层紧靠金属表面的致密无孔的薄阳极氧化膜，其厚度取决于外加的阳极氧化电压，但一般非常薄，通常小于1μm，主要用于制作电解电容器。多孔型阳极氧化膜由两层氧化膜组成：底层是与壁垒膜结构相同的致密无孔的薄氧化物层，叫做阻挡层，其
碲化镉的结构和用途
碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(2
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降
碲化镉的化学性质及制法
碲化镉为黑色立方系晶体状，有毒!熔点1041℃，温度更高即分解，相对密度6.2015。不溶于水、酸，但能与硝酸作用而分解。潮湿时易被空气氧化。制法：由碲、镉单质混合熔化，在氢气流中升Chemicalbook华，或镉的亚碲酸盐或碲酸盐在氢气流中加热还原，也可由碲化钠与被醋酸酸化的醋酸镉溶液作用，当从溶
阳极氧化膜制备工艺之磷酸阳极氧化
磷酸阳极氧化时最早用于铝材电镀的一种预处理工艺。由于氧化膜在磷酸电解液中溶解比硫酸大，因此磷酸膜薄（厚度约3μm），同时孔径大。因磷酸膜有较强的防水性，可阻止胶黏剂因水合而老化使胶接剂的结合力比较好，所以主要用于印刷金属板的表面处理和铝工件胶接的预处理。
阳极氧化膜制备工艺之草酸阳极氧化
草酸阳极氧化工艺早在1938年以前就为日本和德国广泛采用。因为草酸对铝及铝合金的溶解度较小，所以氧化膜的孔隙率较低，因此膜的耐蚀性、耐磨性和电绝缘性比硫酸膜好。但草酸阳极氧化成本高，一般为硫酸阳极氧化的3-5倍；而且草酸氧化膜的色泽易随工艺条件变化而变化，使产品产生色差，因此该工艺在应用方面受到一定
阳极氧化膜制备工艺之硫酸阳极氧化
目前国内外广泛使用的阳极氧化工艺就是硫酸阳极氧化。硫酸阳极氧化生成成本低、工艺简单、时间短、生产操作易掌握、膜透明度高、耐烛性和耐磨性好,与其他酸阳极氧化相比,在各方面具有明显优势。由于硫酸交流阳极氧化的电流密度低,得到的氧化膜质量差，因此目前国内外大多采用直流硫酸阳极氧化。硫酸阳极氧化的工艺流程为
碲化镉薄膜太阳能电池的结构
碲化镉薄膜太阳能电池是在玻璃或是其它柔性衬底上依次沉积多层薄膜而构成的光伏器件。一般标准的碲化镉薄膜太阳能电池由五层结构组成：1、玻璃衬底：主要对电池起支架、防止污染和入射太阳光的作用。2、TCO层：即透明导电氧化层。主要起的是透光和导电的作用。3、CdS窗口层：n型半导体，与p型CdTe组成p-n