新型CsPbCl3混合纳米晶体可提高UV光电探测器荧光光强150倍

紫外光电探测器在火灾监测、生物分析、环境传感器、光通信/成像等方面引起了人们的广泛研究兴趣。目前,基于商用硅和无机宽带隙半导体材料的紫外光电探测器取得了很大进展,但实现紫外线的高灵敏度、快速响应时间和可见光盲检测仍然是一个挑战。因此,为了开发下一代紫外光电探测器,需要寻找具有理想带隙、紫外线吸收较强、高载流子迁移率的新型半导体材料。最近,以铯铅卤化物钙钛矿纳米晶体(nanocrystal)半导体具有较大的吸收截面、高发射效率、高电荷载流子迁移率和覆盖整个可见光(410-700 nm)的可调带隙能量,使它们成为光电探测器应用的理想候选材料。 其中,蓝色CsPbCl3纳米晶体的带隙为2.82 eV、吸收波长下限低于410 nm,可能是紫外光检测材料的理想选择。尽管如此,该材料体系最严重的问题之一是较低的量子产率(quantum yield),这是由于其具有较高密度的深度缺陷态(Cl空位),这将显著降低紫外光电探测器的检测灵敏度......阅读全文

新型CsPbCl3混合纳米晶体可提高UV光电探测器荧光光强150倍

  紫外光电探测器在火灾监测、生物分析、环境传感器、光通信/成像等方面引起了人们的广泛研究兴趣。目前,基于商用硅和无机宽带隙半导体材料的紫外光电探测器取得了很大进展,但实现紫外线的高灵敏度、快速响应时间和可见光盲检测仍然是一个挑战。因此,为了开发下一代紫外光电探测器,需要寻找具有理想带隙、紫外线吸收

超灵敏光电探测器:新颖的复合式分层光电晶体管结构

  有效调控和平衡光生载流子的分离、传输与复合对于实现高灵敏光电探测器至关重要。传统的有机光电晶体管大多基于单一的层异质结或体异质结结构,前者中给、受体分别以层状薄膜叠加的形式构成,后者中给、受体材料共混形成光电转换活性层。尽管以上结构提供了较优异的光电探测性能,但是它们都很难同时兼顾光生激子的高效

奥普光电对于晶体材料用于紫外光刻回应

有投资者在投资者互动平台提问:请问公司CaF2晶体材料是否可用于紫外光刻?奥普光电(002338.SZ)2月27日在投资者互动平台表示,公司生产的CaF2晶体材料未用于紫外光刻。

光电探测器简介

  光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像

铁电局域场增强纳米线光电探测器研究获进展

   近日,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达研究员、武汉大学物理学院廖蕾教授等研究人员在铁电局域场增强纳米线光电探测器研究取得进展,相关成果以“When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field  -High-Performan

什么是光电探测器

电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波

光电探测器的概述

  光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏特效应,所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体

什么是光电探测器

电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

光电探测器工作原理

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alphalas-光电探测器介绍

  alphalas 光电探测器属于光线传感器的一种,它常用于摄像头和其他成像设备中。它们可以感知称为“光子”的基本粒子的图案,并通过这些图案创造出图像。不同的alphalas 光电探测器用于感知光谱的不同部分。例如,夜视眼镜中使用的光电探测器就是用于感知肉眼不可见的热辐射。还有一些光电探测

光电探测器的分类

光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。

光电探测器的分类

  光电探测器是指利用辐射引起被照射材料电导率改变的物理现象的原理而制成的器件,其在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。   光电探测器的分类:   光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。   1、 光电二极管(PIN):应用于一般通用场合。针对特殊应

光电探测器工作原理

纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质(即其他的材料,比如 锗 等)然后

铁电局域场增强纳米线光电探测器研究中获进展

  近日,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达、王建禄、孟祥建、陈效双、陆卫以及武汉大学廖蕾等研究人员在铁电局域场增强纳米线光电探测器研究中取得进展,相关成果以When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field  -High-Per

光电探测器的工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应,热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高,从而改变了它的电学性能,它区别于光子探测器的最大特点是对光辐射的波长无选择性。光电子发射器件:光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型(外光电效应)探测器件。其主要特点是灵敏度高,稳定性好,响应速度快和噪声小,是一种电流放

光电探测器的工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应,热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高,从而改变了它的电学性能,它区别于光子探测器的最大特点是对光辐射的波长无选择性。光电子发射器件:光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型(外光电效应)探测器件。其主要特点是灵敏度高,稳定性好,响应速度快和噪声小,是一种电流放

光电探测器的工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应,热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高,从而改变了它的电学性能,它区别于光子探测器的最大特点是对光辐射的波长无选择性。光电子发射器件:光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型(外光电效应)探测器件。其主要特点是灵敏度高,稳定性好,响应速度快和噪声小,是一种电流放

光电探测器的工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应,热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高,从而改变了它的电学性能,它区别于光子探测器的最大特点是对光辐射的波长无选择性。光电子发射器件:光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型(外光电效应)探测器件。其主要特点是灵敏度高,稳定性好,响应速度快和噪声小,是一种电流放

光电探测器的发展历史

  1873年,英国W.史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初,中远红外波段灵敏

光电探测器的工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应,热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高,从而改变了它的电学性能,它区别于光子探测器的最大特点是对光辐射的波长无选择性。光电子发射器件:光电管与光电倍增管是典型的光电子发射型(外光电效应)探测器件。其主要特点是灵敏度高,稳定性好,响应速度快和噪声小,是一种电流放

光电探测器的主要应用

光电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外

光电探测器的技术要求

  为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号,光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配,而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配,使每个相互连接的器件都处于最佳的工作状态。现将光电探测器件的应用选择要点归纳如下:  光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波

光电探测器的主要应用

光电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外

光电导探测器的分类

可见光波段的光电导探测器CdS、CdSe、CdTe 的响应波段都在可见光或近红外区域,通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度(远大于1电子伏),可以在室温下工作,因此器件结构比较简单,一般采用半密封式的胶木外壳,前面加一透光窗口,后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属

物理所等实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器

  二维层状原子晶体材料的物理性能(如带隙等)随厚度减小而变化,在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件,引发学界广泛关注,近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外,半导体二维原子晶体材料(如过渡金属硫属化合物、II-V

合肥工业大学成功研发新型深紫外光电探测器

  中新网合肥10月27日电 (周慧 吴兰)记者27日从合肥工业大学获悉,该校科研人员成功研发的新型深紫外光电探测器。据介绍,深紫外光电探测技术在导弹预警与追踪、船舶破雾引航等军事领域有着不可替代的优势。  相关成果发表在国际材料物理领域重要期刊《先进材料》。  深紫外光是指波长在280nm以下的光

美国研究开发高效光电探测器

  导读:该研究所开发的原型中,一个光子可以产生两个或更多个电子,使其效率提高一倍或数倍。   光电探测器几乎无所不在,可以在相机、手机、遥控器、太阳能电池,甚至是太空飞船的面板中找到,因此其光电转换效率至关重要。近日,美国加利福尼亚大学河滨分校的物理学家通过组合两种截然不同的无机材料并产生量子力学

光电导探测器的工作原理

效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm)