我国学者提出锑化物微波导结构提高激光器工作效率
锑化物半导体激光可以实现1.8μm-4μm的中红外波段激光输出，具有体积小、效率高、电驱动直接发光等优点，是中红外激光技术领域的前沿研究热点，在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具有重要应用前景，并可作为中红外光纤激光器的种子源和同带泵浦光源。然而，由于锑化物半导体材料较低的热导率和高空穴迁移率导致的侧向载流子泄露，使得锑化物半导体激光器效率低、光束质量差、温度稳定性差。图1. 锑化物微脊宽区(MSBA)波导激光器结构示意图 最近，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员佟存柱团队与中国科学院半导体研究所研究员牛智川团队合作，提出了锑化物微脊宽区波导结构，有效抑制了载流子侧向泄露和累积，将1.96μm波长的锑化物激光器最高能量转换效率由9.8%提高到30.5%，连续输出功率超过了1.28W，侧向光束质量改善了36%，阈值、温度特性和电流对远场的影响都得到明显改善，该研究为高亮度锑化物半导体激光器的实现提供了一种......阅读全文
我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。
我国学者提出锑化物微波导结构－提高激光器工作效率
锑化物半导体激光可以实现1.8μm-4μm的中红外波段激光输出，具有体积小、效率高、电驱动直接发光等优点，是中红外激光技术领域的前沿研究热点，在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具有重要应用前景，并可作为中红外光纤激光器的种子源和同带泵浦光源。然而，由于锑化物半导体材料较低的热导率和高空穴
锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术新突破
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛
基金委重大项目“锑化物低维结构红外激光器”启动会召开
近日，我所超晶格国家重点实验室牛智川研究员主持承担的国家自然科学基金重大项目“锑化物半导体低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”启动会在中国科学院半导体研究所顺利召开。出席此次会议的有国家自然科学基金委信息科学部秦玉文主任、李建军主任、潘庆处长，特邀专家夏建白院士、范守善院士、祝世宁院士、黄
半导体激光器的发展
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯
半导体激光器的特性
半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出色的激光器产品，用于制造zui为的激光器系统。半导体激光器具有高效的光电转换效率，且通过光束整形可直接应用于激光加工等领域，而光纤激光器由于其的光束质量早已已成为国内外研究的热门。但半导体激光器将来有没有可能直接获得高光束质量的激光，从而“打败”光纤激
半导体激光器的应用
半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于)1Gh/。局域网，1300nm -1550
什么是半导体激光器？
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。
半导体激光器的特性
半导体激光器具有高速调制、功率稳定、线宽窄、体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。半导体激光器具有的光束质量和调制性能，广泛应用于：科学研究，工业仪器开发、OEM系统集成。此外，尾纤半导体激光器、外部光纤耦合模块、小型半导体泵浦固体激光器可供选择。 半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能
半导体激光器与氦氖激光器的比较
导体激光器与氦氖激光器的比较总体来讲，红光半导体激光器与氦氖激光器相比各有其优势和劣势。本文对氦氖激光器与半导体激光的优缺点进行一些简述，希望对不同应用的客户在选择激光器时产生些许帮助。激光功率稳定性对比半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器
半导体激光器的常用参数
半导体激光器的常用参数可分为：波长、阈值电流Ith 、工作电流Iop 、垂直发散角θ⊥、水平发散角θ∥、监控电流Im。（1）波长：即激光管工作波长，可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、激光二极管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。（2）阈值电流I
半导体激光器测试方法标准
本标准规定了半导体激光器主要光电参数的测试方法。本标准适用于半导体激光器主要光电参数的测试。半导体激光器组件可参考执行。下载链接：https://www.antpedia.com/standard/7060196.html
半导体激光器的工作原理
工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体
半导体激光器的特性测量
概述半导体激光器特性的测量可以被分成5大类，如表1所示：表1半导体激光器特性测量的五大类电性能测量光输出，压降以及PD的监测电流，还有对这些测量数据的衍生分析。空间性近场和远场的光强分布。光谱特性通过光谱数据计算光谱宽度和中心波长。光学性能测量光的发散以及波前畸变。动态性能测量噪声，互调失真，上升时
半导体激光器的产品分类
（1）异质结构激光器（2）条形结构激光器（3）GaAIAs/GaAs激光器（4）InGaAsP/InP激光器（5）可见光激光器（6）远红外激光器（7）动态单模激光器（8）分布反馈激光器（9）量子阱激光器（10）表面发射激光器（11）微腔激光器
半导体激光器的技术特点
(1) 体积小，重量轻；(2) 驱动功率和电流较低；(3) 效率高、工作寿命长；(4) 可直接电调制；(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成；(6) 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。
半导体激光器的发展概况
半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够
半导体所锑化物二类超晶格红外探测器研究取得重要突破
锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构，电子有效质量大，俄歇复合率低，波长调节范围大（约3-30微米），在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探测器相比，二类超晶格红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当，在甚长波波段
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。
关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。 氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是首屈一指的，这已经是光学界的共识。 半导体激光器的线宽在各种激光器中是最宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是最差的。
半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位
半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位 半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器，以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。 半导体激
激光粒度仪中半导体激光器与氦氖激光器
半导体激光器氦氖激光器外观激光功率稳定性对比 半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器模块生产厂家均是购买来LD然后进行装配的。半导体激光管（LD）的激光输出功率会随其壳体的温度变化而有较大变化。下图为一个典型的半导体激光管的功率－电流曲线，从
半导体激光器在激光器领域中的重要地位
半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器，以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。 半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光
半导体激光器在激光器领域中具有重要的地位
半导体激光器是20世纪60年代发展起来的一种激光器，以半导体材料作为工作物质。从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器，另一类是以直接使用输出激光的光功率为目的的功率型激光器。 半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆
半导体激光器的特性备受关注
半导体激光器具有高速调制、功率稳定、线宽窄、体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。半导体激光器具有的光束质量和调制性能，广泛应用于：科学研究，工业仪器开发、OEM系统集成。此外，尾纤半导体激光器、外部光纤耦合模块、小型半导体泵浦固体激光器可供选择。 半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出
半导体激光块为激光器系统增效
由俄罗斯、希腊和哈萨克斯坦科学家组成的国际研究团队开发出一种新方法，能大大提高医学应用等领域激光器系统的效率。有关研究刊登在近日出版的《自然·科学报告》杂志上。 据俄罗斯国家研究型工艺技术大学（NUST MISIS）消息，该校科研小组与希腊和哈萨克斯坦的同行们合作，制造出一种相连的半导体纳米激
新型太赫兹半导体激光器问世
据加州大学洛杉矶分校官网报道，该校科研人员利用新方法制造出太赫兹频率下工作的半导体激光器。这一突破或将带来可用于太空探索、军事和执法等领域的新型强大激光器。 在电磁波谱中，太赫兹的频率范围位于微波和红外线之间。太赫兹波可以在不损伤被检测物质的前提下对塑料、服装、半导体和艺术品等进行材料分析，
半导体激光器使用注意事项
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。 半导体激光器是