锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术新突破
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等，突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术。在此基础上，研究团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，边模抑制比达到53dB，是目前同类器件的最高值；而且输出功率达到40mW，是目前同类器件的3倍以上。在锑化物量子阱大功率激光器方面， FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别实现1.62瓦和16瓦的室温连续输出功率，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器......阅读全文
我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。
锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术新突破
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科
半导体所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源
半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。 最近，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中，设计并
基金委重大项目“锑化物低维结构红外激光器”启动会召开
近日，我所超晶格国家重点实验室牛智川研究员主持承担的国家自然科学基金重大项目“锑化物半导体低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”启动会在中国科学院半导体研究所顺利召开。出席此次会议的有国家自然科学基金委信息科学部秦玉文主任、李建军主任、潘庆处长，特邀专家夏建白院士、范守善院士、祝世宁院士、黄
我国学者提出锑化物微波导结构－提高激光器工作效率
锑化物半导体激光可以实现1.8μm-4μm的中红外波段激光输出，具有体积小、效率高、电驱动直接发光等优点，是中红外激光技术领域的前沿研究热点，在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具有重要应用前景，并可作为中红外光纤激光器的种子源和同带泵浦光源。然而，由于锑化物半导体材料较低的热导率和高空穴
半导体所制备成功太赫兹量子级联激光器
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器和红外量子级联激光器(QCL)系列产品系列产品。 太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结
上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新进展。研究员王庶民领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长最长（1.142微米）的电泵浦镓砷铋室温（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射最大
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛
半导体激光器的发展过程
在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划，并与
太赫兹光子学组件研究获重大突破
量子级联激光器（QCL）是一种在中长红外和太赫兹范围工作的半导体激光器。在QCL中，电子负责发射光子进入随后的量子阱中，由此一个电子可以产生几个光子，效率非常高。从一个量子阱到另一个量子阱的过渡称为“量子级联”。图 科技日报柏林9月1日电 （记者李山）近日，一个来自德国、意大利和英国的研究
半导体激光器的发展
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯
低维半导体材料的特性
实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物传感器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式
太赫兹量子级联激光器和其它重要的半导体源
太赫兹(THz)[1．3]技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及通信等多个学科。它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源则是THz频段应用的关键器件。研制可以产生连续波发射的固态半导体振荡源是THz技术研究中最前沿的问题之一。基于半导体的THz辐
半导体激光器的发展概况
半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够
常用的半导体激光器的应用
几种常用的半导体激光器的应用：量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用，同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可靠性和小型化的优点，导致了固体激光器的不断更新.在印刷业和医学领域，高功率半导体激光器也有应用.另外，如长波长激光器（1976年，人们用Ga
量子级联激光器的原理
量子级联激光器(Quantum Cascade Laser，简称QCL)是一种新型半导体激光器。 QCL原理 传统的半导体激光器，工作原理都是依靠半导体材料中导带的电子和价带中的空穴复合而激发光子，其激射波长由半导体材料的禁带宽度所决定,由于受禁带宽度的限制，使得半导体激光器
常用的半导体激光器的应用
量子阱半导体大功率激光器在精密机械零件的激光加工方面有重要应用，同时也成为固体激光器最理想的、高效率泵浦光源.由于它的高效率、高可*性和小型化的优点，导致了固体激光器的不断更新。在印刷业和医学领域，高功率半导体激光器也有应用.另外，如长波长激光器(1976年，人们用Ga[nAsP/InP实现了长波长
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器的关键技术有哪些 半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从40
半导体激光器的关键技术
半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从40
低维半导体材料的特征
实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料，之所以不愿意使用这个词，发展纳米科学技术的重要目的之一，就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路，纳米生物传感器件等，以造福人类。可以预料，纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式
太赫兹技术里程碑
1994年Federico Capasso和同事卓以和等人在贝尔实验室率先发明量子级联激光器。这被视为半导体激光领域的一次革命。2000年，我国科学家李爱珍（现任美国科学院院士）的课题组在亚洲率先研制出5至8微米波段半导体量子级联激光器，从而使中国进入了掌握此类激光器研制技术的国家行列。 量子级联
半导体所锑化物二类超晶格红外探测器研究取得重要突破
锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构，电子有效质量大，俄歇复合率低，波长调节范围大（约3-30微米），在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探测器相比，二类超晶格红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当，在甚长波波段
半导体研究所成功推出系列太赫兹量子级联激光器产品
近年来，太赫兹技术发展迅速，应用越来越广泛，是当前的热门研究领域。由于太赫兹量子级联激光器是产生太赫兹辐射的重要器件，因此科学家开始钻研太赫兹量子级联激光器的研究中，而就在近日，我国太赫兹量子级联激光器领域有了重大进展，半导体研究所成功研制出系列太赫兹量子级联激光器产品。 中国科学
中国科学院院士、著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
“纳米科技”重点专项项目联合召开启动实施会议
2018年9月25日，国家重点研发计划“纳米科技”重点专项项目“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”和“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”在北京联合召开启动实施会议。专项总体专家组专家祝世宁院士、刘明院士、黄如院士以及同行专家解思深院士、郑有炓院士、夏建白中院士等10余位专家组成
离子阱量子计算实现双码纠错
来自奥地利因斯布鲁克大学和德国亚琛工业大学的研究团队，首次在离子阱量子计算机上使用两种不同的量子纠错码实现了一组通用量子门。也就是说，利用新方法，量子计算机将能有效抑制错误，从而更有效地进行无错误计算。研究成果1月24日发表于《自然·物理》杂志。借助新方法，量子计算机采用在两种不同的量子纠错码之间来
关于二极管激光器的基本介绍
二极管激光器中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。 激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照P-N结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流