青年科学家狄增峰：科研管理两不误“半导体材料”寻发展

青年科学家狄增峰：科研管理两不误－“半导体材料”寻发展

　　既是科学家，又是管理者，年近40岁的狄增峰有双重身份。　　他是中国科学院上海微系统所科研部部长，同时也是该所的半导体材料科研人员。　　半导体产业链相对长，从基础材料到制造工艺，再到系统应用这一长链中，狄增峰所研究的半导体材料是最基础、不太容易被关注的那端。他说，这块很难在短时间内“出彩”，显示度

狄增峰/胡伟达发文《Nature－Electronics》！

上海微系统所等在硅纳米线阵列宽光谱发光研究获进展

　　近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学合作借助时域有限差分法(FDTD)理论计算了硅纳米线发光峰位与纳米腔共振模

上海微系统所在锗衬底上直接制备出高质量单层石墨烯

　　Nature旗下期刊Scientific Reports(《科学报告》)近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法(CVD)，在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果，文章题目为Direct Gro

狄大卫：以“好玩”的心态做科研

　　 在和煦的阳光里往返于校区之间，搭建半导体光电器件前沿基础与应用研究的桥梁，这是浙江大学光电科学与工程学院研究员狄大卫近期工作的日常。　　 不久前，由狄大卫等人共同发明的一项技术，显著提高了绿光混合维度钙钛矿LED（发光二极管）的性能，为扩展钙钛矿LED器件设计的多样性作出了贡献。　　 此前，狄

石墨烯材料探路二维材料“新世界”

尽管芯片制程已经一步步逼近物理极限，人们对集成电路性能和尺寸的要求却丝毫没有降低。基于新结构、新原理的二维半导体器件以其独特的性能，有望解决硅基器件面临的“瓶颈”。然而，二维材料超薄的厚度（原子级厚度）使其十分脆弱，加工制造过程中极易造成材料损伤或掺杂，从而导致器件实际性能与预期存在巨大差异。

科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效

科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效

我科学家开发出面向低功耗芯片的绝缘材料

中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰研究员团队研发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石。这种材料具有卓越的绝缘性能，未来可用于开发低功耗芯片。相关成果7日发表在国际学术期刊《自然》上。二维集成电路采用厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料构建，是下一代集成电路芯片的理想沟道

我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料

作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果

上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-

上海微系统所“高迁移率材料工程”创新团队通过组建论证

　　10月26日，中科院高技术研究与发展局在上海组织召开创新团队国际合作伙伴计划“高迁移率材料工程”创新团队组建论证会，高技术局相关领导、创新团队论证专家组以及上海微系统与信息技术研究所创新团队的相关成员参加会议。 　　创新团队负责人王曦院士代表团队做了总体论证报告，阐述了研究高迁移

上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-

什么是半导体材料？常见半导体材料有哪些？

半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1

上海微系统所举办首期“新微技术论坛”

　　12月3日至4日，由中科院自动化所、中国计算机学会和中国人工智能学会联合主办、自动化所模式识别国家重点实验室承办的第六届中国生物识别学术会议在北京成功召开，来自国内外30多所高校和科研院所的100名科研人员共聚一堂，交流和探讨了人脸、虹膜、指纹、掌纹、步态、静脉、语音等多种模态生物特征识别的前沿

中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得突破

中新社成都4月11日电(记者 贺劭清)记者11日从电子科技大学获悉，中韩科研人员首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一在新型半导体材料和器件领域取得的重大突破，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。这一研究成果以《Se

王曦：领航高端硅基产业蓝海

　　王曦，中国科学院院士，我国著名半导体材料学专家，中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。3月23日，他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。　　在中国，如果提到高端硅基SOI材料研发和产业化，业内人士都会提到一个名字——王曦。　　王曦，中

半导体材料的定义

半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

半导体材料的概念

半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

什么是半导体材料？

半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。

半导体热电材料

  半导体热电材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有较大热电效应的半导体材料，亦称温差电材料。它能直接把热能转换成电能，或直接由电能产生致冷作用。    1821年，德国塞贝克（see—beck）在金属中发现温差电效应，仅在测量温度的温差电偶

半导体材料的特性

半导体材料的特性：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、

近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展

　　中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。　　实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温

2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|

「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位

半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展

深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)

半导体展会2024上海半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展

展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际

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化合物半导体材料的材料优势

化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。以GaAs为例，通过比较可得：1.化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度，因此，可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。2.肖特基势垒特性优越，容易实现良好的栅控特性的MES结构。3.本征电阻率高，为半绝缘衬底。电路工艺中便

SOI集成电路的封装特点

SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。

常见的半导体材料介绍

常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。