微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直是工业界和科研界研究的热点。刘明团队在RRAM方向的研究具有丰富的经验，针对28纳米的1Mb RRAM测试芯片（IEDM 2017 2.4.1），提出了高温forming的编程方法，可以将平均forming电压从2.5V以上降为1.7V。由于高温forming过程中细丝内残留的氧离子大幅减少，编程之后由于氧离子和氧空位复合造成的电阻弛豫效应得到消除，器件的保持特性得到了40以上的大幅提升。 针对先进工艺节点的嵌入式存储器缺失问题，刘明团队与研究员殷华湘合作提出了基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出......阅读全文
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
物理所等在阻变存储器研究中取得进展
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态（高阻态和低阻态）之间的互相转换来实现数据存储的，具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前，对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理，如导
阻变存储器存算一体芯片研究取得进展
边缘端人工智能（AI）硬件凭借其低延迟、高能效和强隐私性等优势，得到广泛关注与应用。在功耗严格受限的边缘端部署AI硬件，不仅需要高能效以满足功耗约束，还需要高并行度以提升实时性能。基于阻变存储器（RRAM）的存算一体和近阈值计算作为两种高效能计算范式，有望在实现高能效、高并行的AI硬件中发挥关键
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
高性能铁电畴壁信息存储器新方法
华南师范大学华南先进光电子研究院教授高兴森团队联合南京大学教授刘俊明等，提出了一种构筑高性能铁电畴壁信息存储器的新方法。相关研究近日发表于《先进材料》。 随着人工智能和大数据等新兴领域的发展，人们对高性能信息技术的需求也日益增长。然而，在当前器件持续微型化的趋势下，传统的信息载体和技术途径在不久
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
蚕丝蛋白注入－让新型的光响应性阻变存储器可降解
高等研究院周晔研究员以蚕丝蛋白为材料主体，水溶性碳量子点为光调控单元，并结合简易的三明治器件结构，构筑了一种新型的光响应性阻变存储器。 该存储器展现出存储窗口大（106）、耐受性好、稳定性好（106 s）等优点。同时，在紫外光照射条件下，存储器的开启电压会显著下降（1.2 V），见图1。图1.
北京大学国际上首次以单支路单个器件实现了CAM操作
内容寻址存储器（Content addressable memory, CAM）是以内容进行寻址的存储器，其将输入数据与阵列中存储的所有数据同时进行比较并输出相应的匹配信息，能在存储器内部以高并行度和高能效实现搜索与相似度检测运算，减少了数据传输，近年来在完成边缘智能计算等任务中展现出极大的潜力。传
我国科学家在铁电隧道结存储器研究中获进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519161.shtm
金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研
金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研
微电子所在面向应用的阻变存储器研究中取得新进展
日前，中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展。 阻变存储器(RRAM)是非挥发性存储器的一种重要的替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、高速、低功耗、可嵌入功能强等优点。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室科研人员在前期建立新材料、新结构及与大生产CMOS集成
我国科学家开发出超低功耗铁电存储器新技术
北京大学电子学院邱晨光研究员-彭练矛院士团队日前成功研制出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”，通过引入纳米栅极电场汇聚增强效应将铁电晶体管工作电压降低至0.6V，能耗降低至0.45 fJ/μm，是目前国际上尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管。该研究成果近日在线发表于Science Advances。研究成果在
铁电随机存储器FRAM在动力电池管理上的应用
电池管理系统（Battery Management System， 即BMS）主要实现三大核心功能：电池充放电状态的预测和计算（即SOC）、单体电池的均衡管理，以及电池健康状态日志记录与诊断。功能框图如下：在整个电池管理系统中，电池荷电状态的预测和计算（即SOC）是其最重要的功能，因为有了精确的电池
科学家创制出无疲劳铁电材料 有望实现存储器无限次数擦写
6月7日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学、复旦大学，在《科学》（Science）上发表了题为Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching的研究
研究实现第四种基本电路元件与非易失信息存储器
电阻、电容和电感是人们熟知的三种基本电路元件，分别由四个基本电路变量（电压v、电流i、电荷q、磁通φ）两两之间的线性关系来定义。1971年，美国加州大学Leon Chua提出，基于对称性考虑应该存在第四种基本电路元件，由电荷和磁通之间的关系来定义。由于当时没有找到符合这种定义的真实器件，Leon
宁波材料所二氧化钒相变调控和新型信息器件研究获进展
存储器是信息记录的载体，也是现代信息技术的核心和基石之一，在数据中心、科学研究以及军事国防等国民生产生活的各个领域发挥着重要作用。随着大数据时代的到来，全球信息量爆炸式增长，对于新型高密度信息存储器的需求愈加迫切。因此，在纳米尺度上调控电子材料的物化特性，将为发展具有超小尺寸、超快响应速度以及超
铁电和反铁电薄膜热开关领域获得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514756.shtm
助力开发超快人工神经网络存算一体系统
中国科学技术大学李晓光团队基于铁电隧道结量子隧穿效应，实现了具有亚纳秒信息写入速度的超快原型存储器，并可用于构建存算一体人工神经网络，该成果近日在线发表于《自然—通讯》。 在大数据时代，海量数据的低能耗、快速存储处理是突破和完善未来人工智能、物联网等技术发展的关键之一。为此，迫切需求一种既能匹
什么是铁电畴？
为什么铁电体会有电滞回线？主要是因为铁电体是由铁电畴组成的。理想单畴铁电单晶体中，晶体内部所有区域的自发极化P全部指向同一方向，整个晶体将在内外部空间建立起电场。那么周围空间将储存相当大的静电能量，从能量角度来看，这种状态是不稳定的。因此，晶体中铁电相的自发极化总是会分裂成一系列极化方向不同的
什么是铁电畴？
为什么铁电体会有电滞回线？主要是因为铁电体是由铁电畴组成的。理想单畴铁电单晶体中，晶体内部所有区域的自发极化P全部指向同一方向，整个晶体将在内外部空间建立起电场。那么周围空间将储存相当大的静电能量，从能量角度来看，这种状态是不稳定的。因此，晶体中铁电相的自发极化总是会分裂成一系列极化方向不同的小区域
“新型高密度存储材料与器件”项目启动
10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在中国科学院微电子研究所召开。 会上，微电子所所长叶甜春和中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要集中力量围绕关键技术开展攻关，实现
铁电材料电滞回线的测量
测量铁电材料电滞回线的方法通常有两种：冲击检流计描点法和 Sawyer-Tower电路法。第二种方法可用超低频示波器进行观察以及用xy函数记录仪进行记录，简便迅速，故人们常常采用。 采用Sawyer-Tower电路准静态测试铁电陶瓷材料电滞回线的测量原理图（GB/T6426-1999）
铁电材料电滞回线的测量
测量铁电材料电滞回线的方法通常有两种：冲击检流计描点法和 Sawyer-Tower电路法。第二种方法可用超低频示波器进行观察以及用xy函数记录仪进行记录，简便迅速，故人们常常采用。 采用Sawyer-Tower电路准静态测试铁电陶瓷材料电滞回线的测量原理图（GB/T6426-1999）如