“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”技术交流会召开
为更好地总结“新能源汽车”重点专项“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”项目执行情况，推进项目任务顺利实施，项目牵头单位湖南中车时代电动汽车股份有限公司联合哈尔滨工业大学，于2019年1月8日在哈尔滨召开了“2018年度项目进展交流会”。专项总体专家组专家、项目及课题负责人、项目管理人员及相关财务人员等参加了会议。 会上，各课题负责人围绕项目年度任务完成情况、创新性进展、人才培养和组织管理，以及下一步工作计划等进行了汇报。专家组在充分听取研究报告和交流研讨的基础上，对项目年度执行情况进行了评议，建议加强项目组织协调和项目内部的交流合作，构建“芯片-模块-控制器-整车”自主产业链。 该项目针对电动汽车高功率密度、高效率、高可靠性SiC电机控制器，从SiC 芯片、模块、电机控制器和系统应用四个层次开展综合性研究，打造下一代高性能电机控制器。截止到2018年底，项目组已经开发出可批量应用的SiC MOSFET芯片，并基于标准模......阅读全文
6亿元天狼芯半导体功率三代半封装测试基地或落地浙江
集微网消息，2月15日，深圳天狼芯半导体有限公司与浙江省台州市仙居县就天狼芯—功率三代半封装测试基地项目进行洽谈。仙居财政国资消息显示，天狼芯半导体董事长曾健忠指出，该项目若在仙居成功落地，预计分三期建设完成，总投资预计为6亿元：一期投资为1.5亿元，建设SiC、GaN封装测试产线；二期拟投资2亿元
中国科大研制出高性能紫外单光子探测器－实现远程臭氧浓度监测
记者26日从中国科学技术大学了解到，该校张军等人联合南京大学陆海、张荣团队通过设计制备单光子雪崩光电二极管，发展主动淬灭主动恢复读出电路技术，研制出具有实用价值的紫外半导体单光子探测器。研究团队利用该探测器首次实现了单光子差分吸收臭氧激光雷达系统，并实现1—3.5公里高度范围内的臭氧浓度监测。相关研
广州南沙发布“强芯九条”－争创“湾区之芯”
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/6/481560.shtm 6月25日，为期两天的IC NANSHA“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”举行开幕式，近百位海内外芯片产业企业家和专家在广州南沙聚首，展示发展成果，探讨前沿趋势，共商发展
关于锂电池碳基材料碳化硅的分析应用
碳化硅材料由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐热冲击性、高的比刚度、高度的尺寸稳定性等一系列优良的物理性质，受到越来越多的重视，普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域。尤其在半导体领域，国产替代空间巨大，国内企业有望在政策的推动下实现
什么是“能带边嵌定”
不知道你是否指的是“费米能级钉扎效应”？——即费米能级不能因为掺杂而发生移动、相应的能带边也就不能移动的一种现象。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半
紫外可见分光光度计测量ZnO的光学禁带宽度
紫外可见分光光度计测量ZnO的光学禁带宽度【实验目的】1）了解紫外课件分光光度计的结构和测试原理；2）理解半导体材料对入射光子的吸收特性； 3）掌握测量半导体材料的光学禁带宽度的方法。【实验内容】1）测试半导体光电探测材料的透射光谱；2）分析半导体材料的光学禁带宽度。【实验器材】紫外-可见光分光光度
十年磨剑，实现2英寸单晶金刚石电子器件量产
作为第三代半导体材料的代表，金刚石半导体又被称为终极半导体。“金刚石半导体具有超宽禁带（5.45eV），高击穿场强（10MV/cm）、高载流子饱和漂移速度、高热导率（22 W/cmK）等材料特性，以及优异的器件品质因子。” 西安交通大学王宏兴教授介绍，“为此，采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、
带您更加深入的了解半导体激光器
半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的激光器，以半导体材料为增益介质，在各类激光器中拥有能量转化效率，同时还具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高、能耗低等优点，因此被广泛应用于激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等多个领域。 半导体激光器是以半导体材料为工作物质的一类激光器件。它诞
半导体探测器的基础知识
半导体原子规则排列成点阵状态。其最小单元叫作晶包，对锗来讲是小四面体，即金刚石结构。电子在晶体中为晶包所公有，形成能带结构，如图4-1-1所示。下面的能带称为价带，又称满带，平时被电子填满。中间是禁带（又称能隙）。上面是导带，平时没有电子（又称空带）。在价带以下还有更低能量的价带；在导带以上还有更高
半导体导电性的敏感效应
半导体的能带结构如图4.2-23所示，下面是已被价电子占满的允带，中间为禁带，上面是空带。因此，在外电场作用下不能导电，但是这是绝对零度时的情况。当外界条件发生变化时，例如温度升高和有光照射时，满带中有少量电子有可能被激发到上面的空带中去，在外电场作用下，这些电子将参与导电。同时，满带中由于少了
中国团队研制出仪器，精准检测芯片里的“定时炸弹”
在一个队列方阵中，如果突然缺了一个人，就会出现空位。这样的“空位”一旦发生在第三代半导体（宽禁带半导体）材料里就是点缺陷，虽然这样的缺陷小到肉眼看不见，却能直接影响芯片的性能。 除了“空位”，宽禁带半导体的点缺陷还包括间隙原子和杂质缺陷等。这些缺陷好比队列里突然多了一个人，会成为芯片里的“定时
上海光机所二维纳米光子学材料研究取得突破
近日，中科院上海光学精密机械研究所中科院强激光材料重点实验室王俊研究员及其合作者(强激光材料重点实验室张龙研究员、强场激光物理国家重点实验室赵全忠研究员，以及上海光机所中科院外国专家特聘研究员Werner Blau教授等)在国际学术期刊ACS Nano上发表题为Ultrafast Satur
并行FDTD方法分析光子带隙微带结构
1、引言光子带隙(photonic Bandgap-PBG)结构，又称为光子晶体(photonic Crystal)，它是一种介质材料在另一种介质材料中周期分布所组成的周期结构。尽管光子带隙最初应用于光学领域，然而由于其禁带特性，近年来在微波和毫米波领域也获得极大关注。在光子带隙结构中,电磁
光催化技术的原理
作为一种半导体，光催化材料的能带是不连续的，能量由高到低依次为导带、禁带、价带。 半导体光催化材料一般具有较大的禁带宽度，价带由一系列填满电子的轨道所构成，导带由一系列末填充电子的轨道所构成。 当光催化材料近表面区在受到能量大于其禁带宽度的光辐射时，价带中的电子会受到激发而路迁到导带。由于其中存在着
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发
AlxZn1xO薄膜光电性能的研究与应用
ZnO是一种被广泛关注的宽禁带半导体，在室温下，其禁带宽度为3.37eV，能量对应于光谱中的近紫外波段，可用来对该波段的辐射进行探测；激子束缚能60meV，可用于制备室温下的短波长激光器件；热稳定性和化学稳定性高且抗辐射能力强，制备的器件适用范围广且寿命长。ZnO在掺入低浓度Al离子时可以形成良好的
国内第一！中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。 中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、
中国电科46所成功制备6英寸氧化镓单晶
近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。 中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
北京“加码”禁燃区－到2020年将彻底禁煤
北京市环保局4日通报称，北京现已划定高污染燃料禁燃区，限定在2020年底前，城六区全境将建成禁燃区。相比其它省市在禁燃区内保留燃煤电厂、居民用煤设施的做法，北京“加码”规定，禁燃区彻底禁用燃煤，居民取暖、炊事等均在禁煤之列。 为改善空气质量，北京今年首次划定高污染燃料禁
大连化物所宽光谱响应光催化分解水制氢研究获进展
近日，中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室及洁净能源国家实验室太阳能研究部研究员、中科院院士李灿和研究员章福祥、陈闪山等与日本东京大学教授Kazunari Domen课题组合作，在可见光驱动光催化Z机制完全分解水制氢研究中取得进展。研究结果发现，经一步氮化合成的MgTa2O6−xN
上海技物所在高性能太赫兹探测研究中取得进展
近日，中国科学院上海技术物理研究所研究员黄志明等采用窄禁带半导体成功实现了0.3-3.0 太赫兹的宽波段、高灵敏度、低噪声等效功率和快速响应的太赫兹探测器件，并成功证明了通过光子的波动性产生新型光电效应规律实现高灵敏度太赫兹探测的可行性，该项工作为太赫兹探测技术的突破提供了重要技术途径。 黄志
上海光机所低维结构光学微腔材料研究取得系列进展
中科院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室在低维结构光学微腔材料研究中持续取得系列创新性研究成果，研究成果已在材料领域国际期刊Journal of Material Chemistry、Nanoscale、Journal of Material Chemistry C上发表。 上海光机
SiC和GaN技术将成为太阳能逆变器制胜关键
根据研究机构Lux Research报告显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体——即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元，意味着其稳定的复合增长率(CAGR)达到7%，略低于可再生能源和基于电网的能源设备的复合增长率9%。随着GaN
光电探测器的发展历史
1873年，英国W.史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏
禁带宽度不是越小越好吗
禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。另一方面，通过掺杂
上海市科委半导体照明项目通过验收
“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收 10月27日，中科院上海光学精密机械研究所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的
光电导探测器的工作原理
效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm)
禁水试验的介绍
部分性垂体尿崩症患者在试验中尿量可能部分减少，尿比重或尿渗透压可有一定程度上升，但达不到正常人水平。肾性尿崩症在试验中尿量、尿比重、尿渗透压变化不大。
禁水试验的意义
异常结果：精神性多饮者接近或与正常人相似中枢性尿崩症患者在禁水后休息下降>3%，严重者可有血压下降、烦躁等症状根据病情轻重可分为部分性尿崩症和完全性尿崩症前者血浆渗透压平顶值不高于300mOsm/kg.H2O，尿渗透压可稍超过血浆渗透压，注射水剂加压素后尿渗透压可继续上升完全性尿崩症血浆渗透压