“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”技术交流会召开
为更好地总结“新能源汽车”重点专项“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”项目执行情况，推进项目任务顺利实施，项目牵头单位湖南中车时代电动汽车股份有限公司联合哈尔滨工业大学，于2019年1月8日在哈尔滨召开了“2018年度项目进展交流会”。专项总体专家组专家、项目及课题负责人、项目管理人员及相关财务人员等参加了会议。 会上，各课题负责人围绕项目年度任务完成情况、创新性进展、人才培养和组织管理，以及下一步工作计划等进行了汇报。专家组在充分听取研究报告和交流研讨的基础上，对项目年度执行情况进行了评议，建议加强项目组织协调和项目内部的交流合作，构建“芯片-模块-控制器-整车”自主产业链。 该项目针对电动汽车高功率密度、高效率、高可靠性SiC电机控制器，从SiC 芯片、模块、电机控制器和系统应用四个层次开展综合性研究，打造下一代高性能电机控制器。截止到2018年底，项目组已经开发出可批量应用的SiC MOSFET芯片，并基于标准模......阅读全文
专家建议加快宽禁带与超宽禁带半导体器件发展
“生产集成电路所需要的硅材料已趋近完美，但是未来还有什么材料可以替代硅，这是业界急切希望解决的问题”。中国科学院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任郝跃近日在 “纪念集成电路发明60周年学术会议”上如是说。该会议由中国电子学会、中国科学院信息技术科学部等共同主办。 自1958年杰克·基
香山科学会议聚焦宽禁带半导体
“随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破，甚至可能在21世纪上半叶，导致一场新的信息和能源技术革命。”在11月8日召开的以“宽禁带半导体发光的发展战略”为主题的第641次香山科学会议上，与会专家指出，宽禁带半导体核心技术一旦解决，必将引起应用格局的巨大改变。 如今，半导体发展已经历了
物理所宽禁带半导体磁性起源研究取得新进展
中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）陈小龙研究员及其领导的功能晶体研究与应用中心一直致力于宽禁带半导体磁性起源问题的研究。最近，他们从实验和理论上证明了双空位导致磁性，首次在实验上给出了直接证据，为通过缺陷工程调控宽禁带半导体的磁性提供了实验基础，相应结果发表在Phy
我建成亚洲最大宽禁带碳化硅基地
近日，记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉，国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。 据悉，宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)
“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”技术交流会召开
为更好地总结“新能源汽车”重点专项“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”项目执行情况，推进项目任务顺利实施，项目牵头单位湖南中车时代电动汽车股份有限公司联合哈尔滨工业大学，于2019年1月8日在哈尔滨召开了“2018年度项目进展交流会”。专项总体专家组专家、项目及课题负责人、项目管理人员及相关财
超宽禁带半导体新进展－推动氧化镓功率器件规模化应用
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
欧欣、郝跃课题组超宽禁带半导体异质集成研究获进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
二十年矢志突破国家“卡脖子”关键技术
勇担强“芯”使命，矢志突破国家“卡脖子”关键技术。2024年6月24日上午，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，西安电子科技大学（简称“西电”）马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步奖一等奖。马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。据了解，西电微电
2025深圳国际碳化硅及相关材料设备展览会
2025深圳国际碳化硅及相关材料设备展览会Shenzhen Silicon Carbide and Related Materials and Equipment Exhibition基本信息时间：2025年4月9-11日地点：深圳会展中心展会简介 近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高技
下一代半导体的宽与窄
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。 超宽禁带
浙江大学杭州国际科创中心招聘博士后
岗位职责分支1. 二维材料生长方向: 1. 大面积二维材料/薄膜（过渡金属硫族化物、石墨烯、氮化硼等）的生长，有相关经验者(cvd等)优先；新型二维材料的生长与探索；搭建生长设备等； 2. 对宽禁带半导体方向有一定了解及有相关研究经历者更加欢迎； 分支2. 二维材料异质界面的物理和化学
商场回应禁带3周岁以上男童进女厕
2月1日，浙江宁波。一商场女厕贴标语“请勿带3周岁以上男童进入”引争议。有网友觉得，3岁小孩不太会自己上厕所，年龄太小可能会遇到危险，这种标语对单独带娃出门的妈妈并不友好。也有网友认为，希望这种标语能早点普及。对此，商场工作人员回应称，从商场开业就有这个标语，很多顾客反馈觉得4、5岁的男孩进去不
化合物半导体材料的分类
化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。
化合物半导体材料的种类
化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。
半导体的平均电离能和禁带宽度的区别
首先我们得先明确一下在化学中电离能的概念，1mol气态基态原子失去1mol电子所得到1mol气态基态正离子所需要的能量称为该原子的第一电离能。能带这一名词出自讨论金属化学键的能带理论中，即它是以分子轨道理论为基础将一系列能量简并的原子轨道重新组合成另一组能量参差的新轨道即能带。也就是每一种原子轨道都
南科大在新型多沟道氮化镓电力电子器件领域取得进展
近日，南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊与瑞士洛桑联邦理工大学教授Elison Matioli、苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯等团队合作，在Nature Electronics发表了题目为“Multi-channel nanowire devices for efficient power
II族氧化物半导体光电子器件基础研究启动
近日，“973”计划项目“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开。中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位将瞄准目前半导体领域的前沿和热点，把II族氧化物半导体作为主要研究对象，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突
通过阻挡电子注入来改善p型有机场效应晶体管的理想性
苏州大学揭建胜团队Adv. Funct. Mater.： 自1986年第一个基于有机半导体材料的场效应晶体管被报道以来，有机场效应晶体管（OFET）在化学、物理、材料以及微电子领域都得到了研究人员的广泛关注。在器件应用方面，OFET被认为是未来有机柔性集成器件的基本构成单元，可广泛应用于柔性智
上海市发布重点实验室筹建立项清单
关于上海市2024年度“科技创新行动计划”重点实验室筹建立项的通知沪科〔2024〕491号各有关单位：根据《上海市2024年度“科技创新行动计划”重点实验室（第一批）申报指南》与《上海市重点实验室建设与运行管理办法》（沪科规〔2022〕6号）有关规定，协同各推荐部门评审论证，现启动“上海市宽禁带与超
量子工程非平衡掺杂实现高效p型超宽禁带氮化物材料
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员黎大兵团队和中科院半导体研究所研究员邓惠雄合作，报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料，这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示，到
碳化硅在三大领域的作用
人类1905年 第一次在陨石中发现碳化硅，现在主要来源于人工合成，碳化硅有许多用途，行业跨度大，可用于单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。在半导体领域的应用碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广
探索新材料，创造“芯”未来－——HORIBA半导体材料表征主题研讨会圆满召开！
2024年3月23日，HORIBA 开放日——半导体材料表征主题研讨会在HORIBA集团全新投资的厚立方大楼(C-CUBE) 成功举办。本次研讨会由HORIBA携手上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体共同举办，吸引了诸多技术专家与前端企业共聚一堂，共同探讨光刻胶、宽禁带材料和光掩膜等关
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
第三代半导体产研院成立
本报南京10月19日电 （记者王伟健）如何让半导体器件更小、耐受更高电压、具备更低导通电阻和更快的开关速度？以氮化镓（GaN）为主的第三代半导体将成为发展方向。日前，江苏华功第三代半导体产业技术研究院成立，致力于第三代半导体技术的产业化。 硅半导体材料和器件在材料质量、器件设计、工艺优化等
pl光谱和ple光谱的区别
激发光谱（PLE）和发射光谱（PL）。激发光谱：固定发射光的波长，改变激发光的波长，记录荧光强度随激发波长的变化。发射光谱：固定激发光的波长，记录不同发射波长处荧光强度随发射波长的变化。无论是激发还是发射荧光光谱图，其都是记录发射荧光强度随波长的变化。如果荧光光谱中纵坐标为强度，横坐标为波长。那么就
半导体所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源
半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。 最近，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中，设计并
紫外可见分光光度计测量ZnO的光学禁带宽度
【实验目的】 1）了解紫外课件分光光度计的结构和测试原理； 2）理解半导体材料对入射光子的吸收特性； 3）掌握测量半导体材料的光学禁带宽度的方法。 【实验内容】 1）测试半导体光电探测材料的透射光谱； 2）分析半导体材料的光学禁带宽度。 【实验器材】 紫外-可见光分光光度计一台（岛津uv2600）
中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶
记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉，该所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，2月4日，成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。 据介绍，碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂
量子级联激光器的原理
量子级联激光器(Quantum Cascade Laser，简称QCL)是一种新型半导体激光器。 QCL原理 传统的半导体激光器，工作原理都是依靠半导体材料中导带的电子和价带中的空穴复合而激发光子，其激射波长由半导体材料的禁带宽度所决定,由于受禁带宽度的限制，使得半导体激光器