高质量单层二硫化钼的荧光性能分析
在二硫化钼等过渡金属硫族化合物光电器件的研究中，调控及增强其发光性能尤其重要。为了实现这一目的，必须获得高质量的单层二硫化钼并充分发掘其内禀荧光性能。本文采用热硫化法使预蒸镀的三氧化钼薄膜在高温硫蒸气中快速地转化为单层二硫化钼。这样获得的二硫化钼具有很强的光致发光性能，强度比化学气相沉积的二硫化钼高一个数量级。荧光光谱随温度和功率的变化表明了硫空位的存在，反映了发光过程的自由-束缚激子复合类型。此外，真空中的荧光强度相比于空气中大幅降低，这表明空气条件下的高荧光强度与硫空位处的分子吸附有关。时间分辨荧光光谱也揭示了硫空位存在时的多通道复合特点。本工作合成了高质量单层二硫化钼，并分析了硫空位对其荧光光谱的影响，对于探究二维纳电器件和光电器件具有重要意义。 ......阅读全文
高质量单层二硫化钼的荧光性能分析
在二硫化钼等过渡金属硫族化合物光电器件的研究中，调控及增强其发光性能尤其重要。为了实现这一目的，必须获得高质量的单层二硫化钼并充分发掘其内禀荧光性能。本文采用热硫化法使预蒸镀的三氧化钼薄膜在高温硫蒸气中快速地转化为单层二硫化钼。这样获得的二硫化钼具有很强的光致发光性能，强度比化学气相沉积的二硫化钼高
单层二硫化钼低功耗柔性集成电路研究
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
研究揭示衬底诱导单层二硫化钼的电子局域化效应
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员徐文课题组与中国工程物理研究院科研人员合作，应用太赫兹时域光谱（0.2-1.2 THz）和傅里叶变换光谱（2.5-6.5 THz）研究了不同衬底上单层MoS2的太赫兹光电特性。相关成果以Substrate-induced electronic
物理所发展新技术诱导单层二硫化钼相变
单层二硫化钼是一种典型的二维过渡金属硫属化物，由于其特殊的能带结构、半导体性质等，在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景。单层二硫化钼由三个原子层（硫-钼-硫）堆叠而成，不同的堆叠次序使其构成两种不同的相，即2H和1T相。2H相层与层之间按照ABA堆垛，金属原子为三棱柱配位，具有2
科学家突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术
近日，我国科学家在科技部重点研发计划、国家自然科学基金委等项目的支持下，突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术。相关成果发表于《先进材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料实验室、中国科学院物理研究所、北京大学、华南师范大学组成的联合研究团队在松山湖材料实验室研究员张广宇的指导下，基
研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
锂电材料二硫化钼的机械性能
二硫化钼由于其层状结构和低摩擦系数，作为润滑材料表现优异。当剪切应力施加到材料上时，层间滑动耗散能量。在不同的环境中已经进行了大量的工作来表征二硫化钼的摩擦系数和剪切强度。二硫化钼的剪切强度随着摩擦系数的增加而增加。这种特性被称为超级润滑性。在环境条件下，二硫化钼的摩擦系数确定为0.150，相应
电子级二维半导体与柔性电子器件研究新进展
在半导体器件不断小型化和柔性化的趋势下，以二硫化钼（MoS2）等过渡金属硫属化合物（TMDC）为代表的二维半导体材料显示出独特优势，具有超薄厚度（单原子层或少原子层）和优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性，使其在未来更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。然而，现阶段以器件应用为
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
二硫化钼2H1T相边界在催化析氢中的重要作用
氢能作为一种理想的绿色能源，是世界各国发展的战略和科学研究的热点。而通过电解水来制氢，有效且可再生循环，其关键在于催化剂。近年来，二硫化钼催化剂由于其催化活性高、稳定性好、资源丰富、成本低等特点在析氢反应中崭露头角。单层二硫化钼是由两层硫原子将一层钼原子夹杂在中间形成类似三明治的结构，是一个具有
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成...
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成像荧光探针和高效的析氢反应催化剂具有片层状结构的过渡金属二硫化物近年来被发现许多奇异的性质并引起了人们极大的研究兴趣。通常情况下烷基锂插层剥离的方法是化学法玻璃二硫化钼/二硫化钨纳米片层中最常见也是剥离效果最好的方法，它是通过烷基锂的插层进入二硫化钼/
我国利用压电材料实现对MoS2场效应晶体管动、静态调控
自2004年Geim等人第一次在实验室得到单层石墨烯以来，二维材料的出现为传感器领域的进一步发展提供了可能，相对于传统的三维材料，二维材料的层状结构决定了其器件厚度可以达到单原子层，为实现更轻、更薄、体积更小的电子器件提供了可能。相较于其他二维材料，以单层二硫化钼 (MoS2) 为代表的二维半导
半导体所等证实单层二硫化钼谷圆偏振光吸收性质
《自然—通讯》（Nature Communications）最近发表了北京大学国际量子材料科学中心(冯济研究员和王恩哥教授为通讯作者)与中国科学院物理研究所和半导体研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m
物理所研究团队发展出新的二维材料图案化的方法
二维材料具有原子级厚度和较高的比表面积，所有原子处于表面，导致其表面对表面吸附和外界环境较为敏感。二维半导体材料在电子学与光电子学器件领域具有广阔的应用前景，有望成为下一代小型化电子器件的核心材料。为实现此类应用，需要对材料进行剪裁。通过常规的微纳加工技术，包括光刻和反应离子干法刻蚀或化学溶液湿
单层生长细胞的免疫荧光标记实验
免疫荧光标记是微生物学、免疫学、病理学及免疫组织化学中常用的一种免疫学实验方法，在临床上得到了广泛的应用。实验方法原理免疫荧光标记技术（immunofluorescence technique）是将已知的抗体或抗原分子标记上荧光素，当与其相对应的抗原或抗体起反应时，在形成的复合物上就带有一定量的荧光
单层生长细胞的免疫荧光标记实验
实验材料 单层细胞试剂、试剂盒 PBS多聚甲醛甲醇抗体仪器、耗材 离心机水浴锅培养箱实验步骤 1. 置生长成片的单层细胞于冰上冷却，吸去培养液并以4℃PBS洗涤。吸去PBS。2. 如欲研究细胞表面抗原，则以2%PFA于冰上面定30 min。如为细胞质抗原，则可用含0.1% Triton X-10
美国科学家发现光激发下单层二硫化钼导电能力下降
美国麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现，单层二硫化钼半导体在光激发下导电能力下降。利用这一新的光电导机制有望研制下一代激子设备。该发现发表在近日的《物理评论快报》上。 众所周知，电脑芯片及太阳能电池中使用的硅半导体在光的照射下，其导电能力增强。麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现，在强烈的激
X荧光硅铝分析仪的性能特点
1 、微机化集成为一体，结构紧凑，外形美观。2、大屏幕液晶显示，全中文菜单提示操作，使用极为方便。3、分析时间短，1分钟能测出SiO2%、Al2O3%。4、仪器检测时不破坏样品，样品可重复使用。5、不用任何化学试剂、无三废排放，不含放射源、低耗电，符合节能要求。 6、数据存储量大，含量结果、仪器
美研究原子尺度的催化剂－可用以廉价制氢
据物理学家组织网1月23日(北京时间)报道，美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员发现，一种单原子厚度的二硫化钼薄膜(MoS2)能作为催化剂生产氢气，替代昂贵的铂催化剂。与传统技术相比，新技术不但成本低廉，使用上也更为简单灵活。该发现为廉价氢气的生产打开了一扇新的大门。相关论文发表在最近出版
小分子作为转移媒介可实现高质量悬空单层石墨烯高效转移
近日，西北农林科技大学理学院教授刘文林、副教授王曌采用环境友好小分子作为转移媒介实现了高质量悬空单层石墨烯的高效转移，相关研究成果发表在《自然-通讯》上。 具有原子厚度的二维材料在电子、光子学和能源等相关领域具有很高的应用前景。然而，转移至衬底的二维材料受到衬底的散射作用会影响其本征性质的研究
上海微系统所在锗衬底上直接制备出高质量单层石墨烯
Nature旗下期刊Scientific Reports(《科学报告》)近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法(CVD)，在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果，文章题目为Direct Gro
解决二硫化钼身子骨单薄的问题
二硫化钼的超薄结构强度高、重量轻、柔韧性好，这些特性使其适用于很多应用领域，如高性能挠性电子。不过此超薄半导体材料与光的相互作用微弱，限制了这一材料在发光和光吸收应用领域的发展。 “问题是这些材料只有单层厚，” Koray Aydin说，他是麦考密克工程学院（McCormick School
具有千个晶体管的二维半导体问世！重新定义数据处理的能源效率
据最新一期《自然·电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信行业节约大量的能源。 新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯
科技突破！具有千个晶体管的二维半导体问世
据最新一期《自然-电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信行业节约大量的能源。 新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯
物理所等转角二硫化钼石墨烯异质结的垂直电导研究进展
近年来，二维材料以其优异的电学、光学以及力学性质被广泛关注和研究。得益于二维材料层状结构及弱层间范德华相互作用，不同的二维材料可以像乐高积木一样相互组合形成各种二维材料异质结。正如乐高积木有无穷种搭建方式，二维材料也可以组合出具有不同性能的二维材料异质结，这为器件应用和诸多基础物理现象研究提供了一个
荧光法溶解氧分析仪的性能特点
荧光法溶解氧分析仪采用先进的荧光原理和准确的相位检测技术以及创新的封装工艺，使产品的可靠性及使用寿命大大竞争对手的同类产品。其独特的长期低漂移和免维护特性，使该产品可以完全替代传统的膜式电极。 一、荧光法溶解氧分析仪的性能特点： 1、溶解氧分析仪测量探头最前端的传感器罩上覆盖有一层荧光物质
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大量
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率－比石墨烯膜高出70％
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大量的
中国科大在二维器件范德华接触研究中取得进展
近日，我校合肥微尺度物质科学国家研究中心曾华凌教授、物理学院乔振华教授和化学与材料科学学院邵翔教授在二维电学器件范德华接触研究中取得新进展，展示了一种制备二维电学器件的“全堆叠”技术，优化了二维材料与金属电极之间的界面接触，为二维电学器件的制备提供了一种高效、高质量且高稳定性的普适方法。相关研究成果