方便地制备单层二硫化钼／二硫化钨量子点作为细胞成...
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成像荧光探针和高效的析氢反应催化剂具有片层状结构的过渡金属二硫化物近年来被发现许多奇异的性质并引起了人们极大的研究兴趣。通常情况下烷基锂插层剥离的方法是化学法玻璃二硫化钼/二硫化钨纳米片层中最常见也是剥离效果最好的方法，它是通过烷基锂的插层进入二硫化钼/二硫化钨纳米片层中间然后在水中处理，通过烷基锂与水反应放热破坏范德瓦耳斯力得到片层。然而，但是这个反应过程非常剧烈，残留的在片层上的锂化合物在空气中又非常敏感而且非常难以除去。而要在过渡金属二硫化物纳米片层的基础上制备量子点是比较困难的。到目前为止只有少数的研究制备出了二硫化钼量子点，但是其对于设备的要求很高而且后续的分离过程往往非常复杂。复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室武培怡和徐胜杰将二硫化钼/二硫化钨粉末在溶剂中超声和加热成功地制备了均匀分散的单层量子点，制备得到的量子点通过简单地静置或者离心就可以分离。量子点具有非常强荧光，......阅读全文
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成...
方便地制备单层二硫化钼/二硫化钨量子点作为细胞成像荧光探针和高效的析氢反应催化剂具有片层状结构的过渡金属二硫化物近年来被发现许多奇异的性质并引起了人们极大的研究兴趣。通常情况下烷基锂插层剥离的方法是化学法玻璃二硫化钼/二硫化钨纳米片层中最常见也是剥离效果最好的方法，它是通过烷基锂的插层进入二硫化钼/
单层二硫化钼低功耗柔性集成电路研究
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
高质量单层二硫化钼的荧光性能分析
在二硫化钼等过渡金属硫族化合物光电器件的研究中，调控及增强其发光性能尤其重要。为了实现这一目的，必须获得高质量的单层二硫化钼并充分发掘其内禀荧光性能。本文采用热硫化法使预蒸镀的三氧化钼薄膜在高温硫蒸气中快速地转化为单层二硫化钼。这样获得的二硫化钼具有很强的光致发光性能，强度比化学气相沉积的二硫化钼高
物理所发展新技术诱导单层二硫化钼相变
单层二硫化钼是一种典型的二维过渡金属硫属化物，由于其特殊的能带结构、半导体性质等，在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景。单层二硫化钼由三个原子层（硫-钼-硫）堆叠而成，不同的堆叠次序使其构成两种不同的相，即2H和1T相。2H相层与层之间按照ABA堆垛，金属原子为三棱柱配位，具有2
研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟
研究揭示衬底诱导单层二硫化钼的电子局域化效应
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员徐文课题组与中国工程物理研究院科研人员合作，应用太赫兹时域光谱（0.2-1.2 THz）和傅里叶变换光谱（2.5-6.5 THz）研究了不同衬底上单层MoS2的太赫兹光电特性。相关成果以Substrate-induced electronic
张勇课题组在二维量子片普适和规模制备研究取得进展
二维（材料）量子片是二维材料和量子体系不断发展和交叉的产物，由于其兼具二维材料的本征特性以及量子限域和突出的边缘效应，因此受到广泛关注。然而二维量子片的制备方法纷繁芜杂，各具特色，却始终未见报道同时具有普适性和规模化的制备策略。普适和规模制备方法的缺失，一方面极大限制了二维量子片的工业化应用；另
锂电池材料二硫化钼的制备原理
辉钼精矿用盐酸和氢氟酸在直接蒸汽加热下，反复搅拌处理，用热水洗涤、离心、干燥、粉碎，可制得。钼酸铵溶液中通入硫化氢气体，生成硫代钼酸铵。加盐酸转变为三硫化钼沉淀，后离心、洗涤、干燥、粉碎。最后加热至950 °C脱硫可制得。
金属所等大面积高质量均一单层二硫化钨制备研究获进展
二维过渡族金属硫化物（Transition metaldichalcogenides,TMDCs）是一类由过渡族金属原子和硫族非金属原子构成的二维晶体材料，大都具有半导体特性（如MoX2和WX2，其中X=S，Se，Te）或超导特性（如NbX2和TaX2，其中X=S，Se），极大丰富了二维晶体材料
科学家突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术
近日，我国科学家在科技部重点研发计划、国家自然科学基金委等项目的支持下，突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术。相关成果发表于《先进材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料实验室、中国科学院物理研究所、北京大学、华南师范大学组成的联合研究团队在松山湖材料实验室研究员张广宇的指导下，基
国家纳米中心在亚纳米材料普适性制备方面取得进展
与材料组成和结构一样，尺寸（维度和尺度）同样可以调控材料性能。例如，2010年和2023年的诺贝尔物理和化学奖分别授予二维材料和胶体量子点方面的开创性工作，凸显了材料维度和尺度的重要性。 中国科学院国家纳米科学中心张勇团队致力于极小尺度材料的物理制备及性能研究。前期，提出了二元协同球磨方法，将
半导体所等证实单层二硫化钼谷圆偏振光吸收性质
《自然—通讯》（Nature Communications）最近发表了北京大学国际量子材料科学中心(冯济研究员和王恩哥教授为通讯作者)与中国科学院物理研究所和半导体研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m
美国科学家发现光激发下单层二硫化钼导电能力下降
美国麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现，单层二硫化钼半导体在光激发下导电能力下降。利用这一新的光电导机制有望研制下一代激子设备。该发现发表在近日的《物理评论快报》上。 众所周知，电脑芯片及太阳能电池中使用的硅半导体在光的照射下，其导电能力增强。麻省理工学院和哈佛大学的研究人员发现，在强烈的激
二硫化钼2H1T相边界在催化析氢中的重要作用
氢能作为一种理想的绿色能源，是世界各国发展的战略和科学研究的热点。而通过电解水来制氢，有效且可再生循环，其关键在于催化剂。近年来，二硫化钼催化剂由于其催化活性高、稳定性好、资源丰富、成本低等特点在析氢反应中崭露头角。单层二硫化钼是由两层硫原子将一层钼原子夹杂在中间形成类似三明治的结构，是一个具有
超薄二硫化钼强力挑战石墨烯
英国南安普敦大学的一组研究人员开发出一种石墨烯的替代材料。除了与石墨烯一样具备极佳的导电性能和超强的硬度外，该材料还具备发光特性，目前已经能够实现超过1000平方毫米的大面积生产，有望成为石墨烯有力的挑战者。相关论文发表在最新一期《纳米尺度》杂志上。 石墨烯，这种由碳原子组成的单层材料，由于具
关于锂电池材料二硫化钼的天然法的制备方法介绍
二硫化钼具有优异的性能和广阔的应用前景，所以国内外对纳米MoS2制备及应用都进行了大量的研究。 MoS2可以由天然法，即辉钼精矿提纯法制备，该法是将高品质的钼精矿经过一定的物理和化学作用，除去辉钼精矿中的酸不溶物、SiO2、Fe、Cu、Ca、Pb 等杂质，再进一步细化，获得纳米 MoS2。美国
化学合成法制备锂电池材料二硫化钼的介绍
合成法可生产纯度高、杂质少、粒度细的硫化物，而且能制备出符合不同功能需求的硫化物，因此用合成法生产纳米硫化物一直倍受关注。纳米MoS2的制备方法有很多，如四硫代钼酸铵热分解法、硫化氢或硫蒸汽还原法、高能球磨法、碳纳米管空间限制法、水热合成法、高能物理手段和化学法结合等等。总体而言，制备方法有两种
物理所等转角二硫化钼石墨烯异质结的垂直电导研究进展
近年来，二维材料以其优异的电学、光学以及力学性质被广泛关注和研究。得益于二维材料层状结构及弱层间范德华相互作用，不同的二维材料可以像乐高积木一样相互组合形成各种二维材料异质结。正如乐高积木有无穷种搭建方式，二维材料也可以组合出具有不同性能的二维材料异质结，这为器件应用和诸多基础物理现象研究提供了一个
物理所研究团队发展出新的二维材料图案化的方法
二维材料具有原子级厚度和较高的比表面积，所有原子处于表面，导致其表面对表面吸附和外界环境较为敏感。二维半导体材料在电子学与光电子学器件领域具有广阔的应用前景，有望成为下一代小型化电子器件的核心材料。为实现此类应用，需要对材料进行剪裁。通过常规的微纳加工技术，包括光刻和反应离子干法刻蚀或化学溶液湿
新型氧化钨量子点电极材料问世
近日，中科院苏州纳米所赵志刚课题组和苏州大学耿凤霞课题组合作开发出一种具备超快电化学响应性能的新型氧化钨量子点电极材料。该成果发表在近期出版的国际期刊《先进材料》上。 锂离子电池、超级电容器、燃料电池等新兴能量转化与存储器件，在解决传统能源短缺、可再生能源能量来源不稳定等问题上已展现出巨大潜力
微型二硫化钼致动器“力大无穷”
美国研究人员开发出一种微型装置，可拉动自身165倍的重量。这种能像肌肉一样工作、将电能转化为机械能的新型致动器具有广阔的应用前景，未来有望在机电系统和机器人系统中大展拳脚。相关研究成果8月30日发表在《自然》杂志上。 这个超级微型“大力士”叫做“反串行连接生物形态驱动装置”，由美国罗格斯大学新
锂电池材料二硫化钼的介绍
二硫化钼（或moly）是由钼和硫组成的无机化合物。其化学式为MoS₂。该化合物被归类为过渡金属二硫化合物。它是一种银黑色固体，以矿物辉钼矿的形式存在，辉钼矿是钼的主要矿石。MoS₂相对不活跃。它不受稀酸和氧的影响。在外观和感觉上，二硫化钼类似于石墨。因其低摩擦和稳健性，它被广泛用作干润滑剂。大部
锂电材料二硫化钼的机械性能
二硫化钼由于其层状结构和低摩擦系数，作为润滑材料表现优异。当剪切应力施加到材料上时，层间滑动耗散能量。在不同的环境中已经进行了大量的工作来表征二硫化钼的摩擦系数和剪切强度。二硫化钼的剪切强度随着摩擦系数的增加而增加。这种特性被称为超级润滑性。在环境条件下，二硫化钼的摩擦系数确定为0.150，相应
关于锂电材料二硫化钼防御的作用
二硫化钼在某些情况下用作添加剂润滑脂和干膜润滑剂以提高压力和温度公差，并在基底磨损或迁移后对预期的应用点提供二次润滑。用二硫化钼润滑脂强化的润滑脂有许多好处：非常适合难以到达的区域、减少磨损和磨损、降低运营成本、持久耐用、操作员友好型、环保意识、适用接头和活动部件、防锈、出色的表面渗透性。
关于二硫化钼的优缺点的介绍
1、彻底地消灭了漏油，干净利索，大大的促进了文明生产。 2、能节省大量的润滑油脂。 3、改善运行技术状况，延长检修周期，减轻了维修工人的劳动强度，节约劳动力。 4、由于二硫化钼的摩擦系数低，摩擦设备间产生的摩擦阻力小，可以节约电力消耗，根据兄弟单位的测定可节约电力为12% 5、能减小机械
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
下一代纳米结构或让制造超低功率电子元件成为可能
来自东京都立大学的科学家们成功地设计了过渡金属二硫化物的多层纳米结构，它们在平面内相遇形成结点。他们从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。化学气相
解决二硫化钼身子骨单薄的问题
二硫化钼的超薄结构强度高、重量轻、柔韧性好，这些特性使其适用于很多应用领域，如高性能挠性电子。不过此超薄半导体材料与光的相互作用微弱，限制了这一材料在发光和光吸收应用领域的发展。 “问题是这些材料只有单层厚，” Koray Aydin说，他是麦考密克工程学院（McCormick School
二硫化钼超高压下具超导性
记者日前从中科院合肥物质科学研究院获悉，该院固体物理研究所与强磁场科学中心联合科研团队，在超高压条件下首次在一种新的材料——二硫化钼中观测到了超导现象。相关研究成果被选为编辑推荐文章，日前刊登在国际物理类顶尖期刊《物理评论快报》上。 科研人员在自主搭建的高压综合测试平台上，利用金刚石对顶砧产生
二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率
美国伊利诺伊州立大学研究人员在《自然·通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现，二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70%。 据物理学家组织网报道，这种材料只有一个纳米厚，布满了纳米孔，能够渗漏大量