电源设计经验之MOS管驱动电路
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。驱动电路结构简单可靠、损耗小。根据情况施加隔离。下面......阅读全文
电源设计经验之MOS管驱动电路
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速
全面解析MOS管特性、驱动和应用电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括M
MOS场效应管电源开关电路简介
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效
简介MOS场效应管电源开关电路的原理
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这
开关电源EMI设计经验
1、开关电源的EMI源开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。（1）功率开关管功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态，dv/dt和di/dt都在急剧变换，因此，功率开关管既是电场耦合的主要干扰
开关电源芯片内部电路解析（一）
作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。 今天以一颗DC/DC降压电
电源管理IC芯片该如何选择？（二）
本文将重点介绍4种主要的电源管理IC。1、LDO——最基本的电源IC，是一种低压差线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压
MOS场效应管概述
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程3
4.逆变器的性能测试 测试电路见图9.这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程1
逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分，可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程2
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V.如图3所示。 2.3MOS场效应管电源开关电路 下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图4）。电路将一个增
全面详解电源电路（二）
五、稳压环路原理1、反馈电路原理图：2、工作原理：当输出 U0 升高，经取样电阻 R7、R8、R10、VR1 分压后，U1③脚电压升高，当其超过 U1②脚基准电压后 U1①脚输出高电平，使 Q1 导通，光耦 OT1 发光二极管发光，光电三极管导通，UC3842①脚电位相应变低，从而改
全面详解电源电路（一）
一、开关电源的电路组成 开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM 控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下：二、输入电路的原理及常见电路1、AC
开关电源芯片内部电路解析（二）
最后详细的电路设计图，如图5。 图5 这里有个技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，我也是粗浅了解，有兴趣同学可详细学习。 误差放大器 误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的PWM，如图
功率驱动器件与MCU/DSC的接口电路设计技巧
mhm-02c双光耦合功率驱动器。可替代进口功率photomos继电器模块产品，无触点的继电器 在自动化系统中可以简化系统的复杂性，提高系统的可靠性。可以减少许多中间环节和继电器等机械动作的磨损及寿命，不但确保系统的安全可靠稳定，也大大延长系统维护时间。因此在国际上许多先进的自动化程度
功率驱动器件与MCU/DSC的接口电路设计技巧
mhm-02c双光耦合功率驱动器。可替代进口功率photomos继电器模块产品，无触点的继电器 在自动化系统中可以简化系统的复杂性，提高系统的可靠性。可以减少许多中间环节和继电器等机械动作的磨损及寿命，不但确保系统的安全可靠稳定，也大大延长系统维护时间。因此在国际上许多先进的自动化程度非
嵌入式设计入门：三极管基础电路设计
在嵌入式电路中，三极管一般作为开关器件和功率器件使用，下面就从这两个方面讲解嵌入式中三极管基础电路的设计。 开关器件 在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处
示波器电源供给电路的相关概述
电源供给电路：供给垂直与水平放大电路、扫描与同步电路以及示波管与控制电路所需的负高压、灯丝电压等。 被测信号电压加到示波器的Y轴输入端，经垂直放大电路加于示波管的垂直偏转板。示波管的水平偏转电压，虽然多数情况都采用锯齿电压（用于观察波形时），但有时也采用其它的外加电压（用于测量频率、相位差等时
电源老化的设计原理
概述 老化房是一专业设备，在容量及规格的设计必须满足当前各类产品的需求下，也必须保证自身工作的稳定性，因此它必须是高质量、安全可靠的，同时面临未来市场快速增长的发展需求，它应是灵活的、开放的、具备一定的可扩展性。在设计时遵循以下设计规则： 原则1 实用性、稳定性和先进性： 采用先进成熟的
设计开关电源时防止EMI的22个措施
作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大； 干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置 较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印 刷线路板（PCB）走
意大利ATOS伺服比例阀怎样安装维修
ATOS比例阀维修不看后悔例如轴承清洗、包装纸印刷、PCB板制作等。PLC可通过输出点或由通讯提供各种控制信号和指令的通断信号。下面给大家介绍变频器和PLC进行配合时所需注意的事项。变频器的输入信号中包括对运行/停止、正转/反转、段速、点动等运行状态进行控制的开关型指令信号。变频器通常利用继电器
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臭名昭著的MOS管米勒效应（一）
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T＝20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs＝2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？MOS管V
CMOS场效应管相关介绍
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，
臭名昭著的MOS管米勒效应（二）
那在米勒平台究竟发生了一些什么？以NMOS管来说，在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs
进化和经验驱动人脸识别
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/9/509237.shtm
浅谈RF电路设计
前言做了多年的RF研发工作，在润欣科技从事RF芯片的支持工作也有7年之久，对于RF电路的设计经验，在这里和大家一起分享一下，希望以下浅谈的内容对做RF设计工作的工程师会有一点帮助，我们闲话少说，直接进入正题。EVB板的参考设计让我们事半功倍当我们设计上接触一个全新的RF芯片，要求我们能够快速的了解这
电路设计中－减小电路板上串扰的设计原则
随着电路板上走线密度越来越高，信号串扰总是一个难以忽略的问题。因为不仅仅会影响电路的正常工作，还会增加电路板上的电磁干扰。在电路板上的一些高频信号会串扰到MCU电路或者MCU的I/O接口电路，形成共模电压，众所周知，共模电压在电路设计时是最让人讨厌的玩意儿，因此，设计电路板时要避免各种可能造
锂电池保护板对电池MOS保护的介绍
主要是MOS的电压，电流与温度。当然就是牵扯到MOS管的选型了。MOS的耐压当然要超过电池组的电压，这是必须的。电流讲的是在通过额定电流时MOS管体上的温升了一般不超过25度的温升，个人经验值，只供参考。 MOS的驱动，也许会有的人会讲，我有用低内阻大电流的MOS管，但为何还有蛮高的温度?这是
数字电路基础之逻辑电路（一）
本文我们将从“数字意味着什么？”开始，讲解数字电路的基本设计方法。什么是“模拟”和“数字”。在自然界中，象声音、温度、光等信息是以连续的值进行变化的。这种连续值就称作“模拟”。 而在计算机的世界里，信息是以一段一段的离散值表示的。这种离散值就称作“数字”。 比方说模拟和数字就相当于实数与整数