全面解析MOS管特性、驱动和应用电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。 MOSFET管FET的一种（另一种是JEFT），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指这两种。 至于为什么不适用号耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS，下面的介绍中，也多以NMOS为主。 MOS管的三个管教之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，......阅读全文
全面解析MOS管特性、驱动和应用电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，并非原创。包括M
电源设计经验之MOS管驱动电路
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速
MOS场效应管电源开关电路简介
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效
简介MOS场效应管电源开关电路的原理
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这
MOS场效应管概述
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程3
4.逆变器的性能测试 测试电路见图9.这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程2
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V.如图3所示。 2.3MOS场效应管电源开关电路 下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图4）。电路将一个增
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程1
逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分，可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、
如何使用户的驱动电路与SSR的输入特性相匹配
一般来讲，SSR的输入控制电压为3.2—32V。控制电流为5—30mA. 通常1—25A的SSR输入回路不是恒流源电路，输入控制电压为4—16V。控制电流为5—20mA.较大额定电流的SSR输入电路均接有恒流源电路。输入控制电压在3.2—32V均可。在三相电路里，如果用户将三个SSR的输入端串联
表面态对mos结构cv特性影响
因为半导体表面态是关系到少数载流子浓度的改变，而少数载流子存在有一定的复合寿命和产生寿命，浓度变化不是瞬间能完成的，所以表面态对mos结构cv特性影响，主要表现在对cv特性曲线形状的影响：使得强反型时的低频cv曲线上升到氧化层电容值，同时使得cv曲线沿着电压方向有所延伸，而且曲线变得不平滑、呈现出波
全面详解电源电路（二）
五、稳压环路原理1、反馈电路原理图：2、工作原理：当输出 U0 升高，经取样电阻 R7、R8、R10、VR1 分压后，U1③脚电压升高，当其超过 U1②脚基准电压后 U1①脚输出高电平，使 Q1 导通，光耦 OT1 发光二极管发光，光电三极管导通，UC3842①脚电位相应变低，从而改
全面详解电源电路（一）
一、开关电源的电路组成 开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM 控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下：二、输入电路的原理及常见电路1、AC
CMOS场效应管相关介绍
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，
臭名昭著的MOS管米勒效应（二）
那在米勒平台究竟发生了一些什么？以NMOS管来说，在MOS管开启之前，D极电压是大于G极电压的，随着输入电压的增大，Vgs在增大，Cgd存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为MOS管完全导通时，G极电压是大于D极电压的。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化则很小，当Cgd和Cgs
臭名昭著的MOS管米勒效应（一）
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T＝20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs＝2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？MOS管V
开关电源芯片内部电路解析（二）
最后详细的电路设计图，如图5。 图5 这里有个技术难点是在电流模式下的斜坡补偿，针对的是占空比大于50%时为了稳定斜坡，额外增加了补偿斜坡，我也是粗浅了解，有兴趣同学可详细学习。 误差放大器 误差放大器的作用是为了保证输出恒流或者恒压，对反馈电压进行采样处理。从而来调节驱动MOS管的PWM，如图
全面详解射频技术原理电路及设计电路（一）
射频（RF）技术—基本介绍 RF（Radio Frequency）技术被广泛应用于多种领域，如：电视、广播、移动电话、雷达、自动识别系统等。专用词RFID（射频识别）即指应用射频识别信号对目标物进行识别。RFID的应用包括： ● ETC（电子收费） ● 铁路机车车辆识别与跟踪 ● 集装箱识别
甲状腺检查全面解析
史上最全的甲状腺疾病实验室检查项目，您值得收藏！血清甲状腺激素测定甲状腺素（T4）全部由甲状腺分泌，而三碘甲腺原氨酸（T3）仅有20%直接来自甲状腺，其余约80%在外周组织中由T4经脱碘代谢转化而来。T3是甲状腺激素在组织实现生物作用的活性形式。正常情况下，循环中T4约99.98%与特异的血浆蛋白相
功率场效应晶体管有哪些优点？
功率场效应晶体管（VF）又称 VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比 晶体管和 MOS场效应管更好的特性。即是在 大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率 MOSFET，其优点表现在以下几个方面： 1. 具有较高的 开关速度。 2. 具有较宽的安全工作区而 不会产生热点，并且具有正的 电
常见的功率半导体器件有哪些？（一）
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看，功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能
开关电源芯片内部电路解析（一）
作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。 今天以一颗DC/DC降压电
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
开关电源系统LLC应用的测试分析技巧（三）
通过示波器测试在触发模式时，单次触发基线在几uS／几十uS上电测试系统带载工作时启动波形数据；测试Data如下；检测LLC系统上电工作状态：CH2：开关MOS下管－DRV2（驱动） CH3： 开关MOS上管－DRV1（驱动）系统控制检测电路上电工作时，LLC－驱动会从轻载到满载的工作变化过程；上电轻
二极管的特性与应用
几乎在所有的电路中，都要用到半导体，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相
液相色谱压力和基线问题全面大解析
小伙伴们用液相做实验的时候是不是总会遇到各种压力问题和基线问题，比如高了，低了，堵了，漏了，飘了等等。今天一起来看看导致这些问题的原因吧，从根源上突破~ 液相色谱压力异常 液相系统压力产生的原因在于流动相流经管路及色谱柱时会有阻力，即所谓的反压或系统压力。漏液会引起系统压力的降低，而堵塞会引
全面解析HDR显示技术
在今年高端电视的诸多特性中，最吸引我们的无疑是HDR显示技术。近两年火热井喷的4K超高清屏，讲的是电视的分辨率问题。而HDR技术强调的则是人眼对画面的感知和画质的提升表现。人眼对亮度的感知范围非常之广，从千分之几尼特到几百万尼特。人眼最终所感知到的画质与影像输出端最终所展现的亮度范围关系
定时器555电路设计之内部电路解析
首先介绍下555的内部电路电路结构，如下，其中，三极管起控制作用，A1为反向比较器，A2为同向比较器，比较器的基准电压由电源电压+Vcc及内部电阻的分压比决定。RS触发器具有复位控制功能，可控制三极管的导通与截止。555内部电路 >>>>触摸开关电路 555组成单稳态触发器可以用作触摸开关，电路
树脂的特性和应用
树脂通常是指受热后有软化或熔融范围，软化时在外力作用下有流动倾向，常温下是固态、半固态，有时也可以是液态的有机聚合物。广义上的定义，可以作为塑料制品加工原料的任何高分子化合物都称为树脂。
电源管理IC芯片该如何选择？（二）
本文将重点介绍4种主要的电源管理IC。1、LDO——最基本的电源IC，是一种低压差线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管（FET），从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压
H桥驱动电路原理图及使能控制和方向逻辑
一、H桥驱动电路 图1中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图1及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。 如图所示，H桥式电机驱动电路