基于简单的支架的多片4HSiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。在这项工作中，我们展示了一种简便的方法，通过自制的常规单晶片化学气相沉积设备，在没有大型基座的情况下，在简单的支架上放置多片4H－SiC衬底。本文中通过光学显微镜，AFM，SEM和拉曼光谱研究了在每个晶片上获得的4H－Si薄膜的结构性质。结果表明，在每个晶片的内部区域可以获得高质量的同质外延生长4H－SiC薄膜；而在外部区域，由于受到简单支架的机械部件影响，质量下降。最后，我们利用晶片支架进一步减少了不利的外部区域，展示出整个晶圆的同质外延生长，从而大大提高了生产效率，降低了能耗。图1：（a）CVD室和（b）带有晶片的特定支架，（c）生长过程的示意图我们在自制的低压化学气相沉积反应器中进行了4H－SiC同质外延生长。CVD反应器具有垂直的热壁室。 ......阅读全文
碳化硅坩埚的相关介绍
碳化硅坩埚为一陶瓷深底的碗状容器。当有固体要以大火加热时，就必须使用坩埚。因为它比玻璃器皿更能承受高温。坩埚使用时通常不会把熔化的东西放的太满，以防止受热物跳出，并让空气能自由进出以进行可能的氧化反应。坩埚因其底部很小，一般需要架在泥三角上才能以火直接加热。坩埚在铁三角架上用正放或斜放皆可，视实
碳化硅－(SiC)：历史与应用
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。利用当代技术，人们已使用SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷
粒度大小对碳化硅的影响
光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。太阳能光伏发电产业链分为五个环节，即从硅材料到硅片、太阳电池片、太阳电池组件，zui后到光伏发电系统应用。光伏产业上游硅片多线切割技术主要采用以碳化硅微粉为切割刃料并辅以其他试剂进行切割，在此技术中绿碳化硅微粉的品质状况直接决定了切片的效率。因
碳化硅在三大领域的作用
人类1905年 第一次在陨石中发现碳化硅，现在主要来源于人工合成，碳化硅有许多用途，行业跨度大，可用于单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等、太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。在半导体领域的应用碳化硅一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广
粒度对碳化硅微粉生产的影响
光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。太阳能光伏发电产业链分为五个环节，即从硅材料到硅片、太阳电池片、太阳电池组件，zui后到光伏发电系统应用。光伏产业上游硅片多线切割技术主要采用以碳化硅微粉为切割刃料并辅以其他试剂进行切割，在此技术中绿碳化硅微粉的品质状况直接决定了切片的效率
欧盟研发废轮胎制碳化硅技术
欧盟轮胎气化残留物(TyGRE)项目组正在研究将废弃轮胎回收转化为碳化硅及燃料等产品。 目前，欧洲每年产生约300万吨轮胎废弃物，其中有65%~70%最终进入堆填区。意大利国家新技术、能源和可持续经济发展局(ENEA)研究员 Sabrina Portofina称，作为该项目的一部分，她
碳化硅杂化聚合物涂料防腐
坚持在底材表面温度低于5℃和不能满足高于露点3℃的情况下不能施工，如果施工队或业主等非要施工，应做好记录或出具不符合性报告。蕞好有人见证签字。这些手续不出事没用，但出现索赔时可是重要证据；2、涂面漆前检验前道碳化硅杂化聚合物涂料涂层表面状况，如果发现表面发粘，要求先对胺霜进行处理后再进行施工，处理方
关于碳化硅，你不知道的事……
碳和硅的原子序数分别为6和14，在元素周期表中处于碳族元素的第二和第三周期，即上下相邻的位置。这种位置关系，表明它们在某些方面具有类似的性质。 碳元素在我们的生活中无处不在，含碳化合物是生命的物质基础。硅也在地壳中的含量巨大，尤其是它在半导体和现代通讯业中的应用，推动了人类文明的发展。
4米碳化硅反射镜诞生记
一块直径4米的碳化硅反射镜躺在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）实验室中，闪闪发光。这块看似普通的镜子，却是国防工程中期待已久的技术突破。 8月21日，由长春光机所承担的国家重大科研装备研制项目“4米量级高精度碳化硅非球面反射镜集成制造系统”通过项目验收。不久的将来，
我建成亚洲最大宽禁带碳化硅基地
近日，记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉，国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。 据悉，宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)
粒度分析在碳化硅微粉生产中的影响
光伏材料又称太阳电池材料，只有半导体材料具有这种功能。太阳能光伏发电产业链分为五个环节，即从硅材料到硅片、太阳电池片、太阳电池组件，zui后到光伏发电系统应用。光伏产业上游硅片多线切割技术主要采用以碳化硅微粉为切割刃料并辅以其他试剂进行切割，在此技术中绿碳化硅微粉的品质状况直接决定了切片的效率。因此
碳化硅杂化聚合物施工方案
杂化聚合物结合了两种已知的聚合物，即由强共价键作用而成的聚合物和非共价键作用而成的聚合物，即所谓的分子聚合物。它们结合能提供了两个截然不同的区室，化学家和材料科学家可以用其生成功能材料，比如能像肌肉一样收缩或扩张的聚合物材料。我们聚合物拥有纳米大小的区室，它们能够被移除并多次化合功能。他进一步解释说
碳化硅杂化聚合物原料性能介绍
碳化硅杂化聚合物原料性能介绍 碳化物，是金刚石的混合体，故取名金刚砂，碳化硅微粉在油漆和涂料： 1、树脂用量少/加量的潜力大：因为形状中，球形具有小的比表面积，对树脂的需求量也少。颗粒的堆积情况。碳化硅陶瓷微粉的宽的粒径分布使得小的微球能够填充到大的微球之间的空隙中。其结果就是：高加入量、高
基于碳化硅的量子器件获重大突破
记者从中国科大获悉，该校郭光灿院士团队李传锋、许金时等人与合作者合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同时具有高自旋读出对比度和高单光子发光亮度的固态色心，该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的
金属/碳化硅光催化有机合成研究取得进展
中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室研究员郭向云带领的研究团队与美国伊利诺伊大学香槟分校教授杨宏合作，采用能够响应可见光的立方型高比表面积碳化硅（SiC）为载体，利用金（Au）纳米颗粒的表面等离子体共振效应，设计出新型Au/SiC光催化体系，在室温常压和可见光照的条件下，成功实现ɑ,
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
我国首个碳化硅新型充电桩示范工程正式启动
近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，北京华商三优新能源科技有限公司承办的“碳化硅新型充电桩示范工程启动暨技术与应用研讨会”在北京召开。原科技部副部长曹健林，中国工程院院士李仲平，原科技部高新司司长赵玉海，科技部高技术中心相关人员，北京市科委、中国可再生能源学会、第三代半导体产业技术创新
碳化硅提取液中阴阳离子的测定
碳化硅（SiC）又名金刚砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体。碳化硅由化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点，主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料，高纯
中国科大实现基于碳化硅的高压原位磁探测
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497241.shtm 我校郭光灿院士团队在碳化硅色心高压量子精密测量研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等人与中科院合肥物质科学研究院固体所高压团队刘晓迪研究员等合作，在国际上首次实现了基
徐慢教授研发出碳化硅陶瓷膜新材料
无独有偶，武汉工程大学徐慢教授研发的碳化硅陶瓷膜新材料，让过滤网在高腐蚀性、易沉积等环境下仍然能有效过滤掉'有害物质'。他与深圳一家公司达成合作，这项技术的评估价格为1500万元。徐慢教授表示，按照我省最新的科研成果转化鼓励政策，他所在的科研团队获得可观收益，大家的科研创新积极性倍增。 氢气
碳化硅控制器冷却系统冷凝效果分析说明
让碳化硅控制器冷却系统环保节能就需要避免和降低工业生产碳化硅控制器冷却系统的管路污垢，来提升冷却器和蒸发器的换热效。也有便是须调节工业生产碳化硅控制器冷却系统，有效的运作负荷。下一点便是减少工业生产碳化硅控制器冷却系统的冷疑温度。 隔热保温解决须挑选好原材料。要挑选质量较高的，不可以单看价钱，
兰州化物所碳化硅表面双层碳膜制备研究取得进展
双层碳膜形成机制图 近日，中国科学院兰州化学物理研究所先进润滑与防护材料研究发展中心在四氯化碳气氛下碳化硅表面双层碳膜制备方面取得了新进展。 研究人员以四氯化碳为氯气源和碳源，通过碳化物衍生碳（CDC）过程和化学气相沉积（CVD）法，成功地在碳化硅表面制备出了双层碳膜。该双层碳膜
攻关克难－宁波材料所碳化硅先驱体研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐辐照、强度大、硬度高、热膨胀率小等优异的综合性能，在能源安全领域扮演着重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用传统的粉末方法，即从微粉制备、成型（包括压延、挤塑、干压、等静压、浇注、注射等方式）、烧结到加工这一过程。近30年来，陶瓷材
碳化硅反应器有利于节能降耗
碳化硅反应器采用碳化硅材料为主件，结构简单紧凑、强度高、抗腐蚀强、耐高温、使用寿命长、便于检修等特点。目前有单管反应器、多管串联管式反应器和多管并联管式反应器，一般用于气相反应和气液相反应；多管并联管式反应器，一般用于气固相反应。 反应器是化学实验室常用小型反应器， 可用于小剂量的合成反
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
关于锂电池碳基材料碳化硅的分析应用
碳化硅材料由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐热冲击性、高的比刚度、高度的尺寸稳定性等一系列优良的物理性质，受到越来越多的重视，普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体材料、陀螺、测量仪、航空航天等领域。尤其在半导体领域，国产替代空间巨大，国内企业有望在政策的推动下实现
碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术
随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（二）
3．静态与动态效能以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ ＝ 110 °C。图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V－I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。即使碳化硅MOSFET必须要有VG
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（三）
图8：100％扭力电流下每个开关的功率耗损图8则是在100％扭力电流下以同样方式进行比较。功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（一）
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、