基于简单的支架的多片4HSiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。在这项工作中，我们展示了一种简便的方法，通过自制的常规单晶片化学气相沉积设备，在没有大型基座的情况下，在简单的支架上放置多片4H－SiC衬底。本文中通过光学显微镜，AFM，SEM和拉曼光谱研究了在每个晶片上获得的4H－Si薄膜的结构性质。结果表明，在每个晶片的内部区域可以获得高质量的同质外延生长4H－SiC薄膜；而在外部区域，由于受到简单支架的机械部件影响，质量下降。最后，我们利用晶片支架进一步减少了不利的外部区域，展示出整个晶圆的同质外延生长，从而大大提高了生产效率，降低了能耗。图1：（a）CVD室和（b）带有晶片的特定支架，（c）生长过程的示意图我们在自制的低压化学气相沉积反应器中进行了4H－SiC同质外延生长。CVD反应器具有垂直的热壁室。 ......阅读全文
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（一）
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、
国内首套碳化硅材继电保护检查装置投入使用
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497460.shtm 科技日报石家庄3月30日电 （实习记者陈汝健 通讯员刘清泉 李泽）在河北保定市220千伏司仓变电站，随着技术人员将试验电源缓缓降低至零，该站中低压二次回路向量检查试验圆满完成，标
天科合达成为英飞凌国产碳化硅材料供应商
5月3日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称天科合达）与英飞凌公司签订了一份长期供货协议，天科合达将为英飞凌供应用于生产碳化硅（SiC）半导体的6英寸碳化硅材料，其供应量占英飞凌未来长期预测需求的两位数份额。据悉，天科合达孵化于中国科学院物理研究所（以下简称物理所），英飞凌公司前身是西门子集团
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
宁波材料所制备出新型碳化硅陶瓷致密化烧结助剂
碳化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，其硬度仅次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性能高、在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等突出的物理化学性质，成为最具发展前景的结构陶瓷，可以广泛应用于石油化工、冶金机械、微电子器件和航空航天等领域。同时，SiC还具有低的中子活性、良好的耐
6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在
LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素
1引言 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具有尺寸大、
分析碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用;CCM模式用于输出功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高，因此
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
美科学家将农业“弃儿”转化成“工业宠儿”碳化硅
全球每年要产生数量庞大的农业废弃物，如何挖掘这些废弃物中的资源？美国海军研究实验室的科研人员正在想办法将其转化为高价值的碳化硅，后者可以用于多种电子设备和结构应用。 通常来说，人们认为像谷壳、玉米秸秆、高粱叶子、小麦壳、花生壳这样的农业废弃物没什么价值，经常将其重新放回土地；有时则是一烧了之，
兰州化物所钛碳化硅摩擦腐蚀性能研究获新进展
钛碳化硅/氮化硅摩擦副在干摩擦、蒸馏水、稀硫酸和浓硫酸溶液中的摩擦磨损性能：(a) 平均摩擦系数, (b) 摩擦系数随时间变化而变化, (c) 钛碳化硅的磨损率，(d) 氮化硅球的磨损率。 中科院兰州化学物理研究所金属基高温润滑材料组研究人员考察了钛碳化硅在稀硫酸和浓硫酸溶液中
宁波材料所在碳化硅复合材料绿色低成本技术取得进展
先驱体转化碳化硅陶瓷基复合材料（CMCs）主要应用于制备具有耐高温、抗氧化、耐磨性好、热膨胀率小、导电导热性好、硬度高和耐腐蚀等优异性能的，并可近净尺寸成型的高性能陶瓷材料和纤维增强陶瓷基复合材料；目前已被广泛应用于高端科技与国防军事领域，如空间遥感成像光学系统轻量化支撑结构件、航空航天发动机热
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（四）
想要电动机启动，可不是合上闸这么简单。想要实现远程控制和多点控制，需要做的还有很多。本文列举几个最基本的电动机控制回路，除了在生产中的机械控制需要用到外，在设计PLC电路时，这些也是必备单元。 本文将由易到难逐一讲解。 电动机控制回路常用元件 按钮▼ 按钮分为启动按钮、停止按
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
上海硅酸盐所碳化硅陶瓷增材制造研究获进展
碳化硅（SiC）陶瓷结构件在各类新应用场景的需求逐渐增多。例如，核工业领域的大尺寸复杂形状SiC陶瓷核反应堆芯；集成电路制造关键装备光刻机的SiC陶瓷工件台、导轨、反射镜、陶瓷吸盘、手臂等；新能源锂电池生产配套的中高端精密SiC陶瓷结构件；光伏行业生产用扩散炉配套高端精密SiC陶瓷结构件和电子半
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术
我国研制成功四米口径碳化硅反射镜坯
4月27日，制造团队成员与反射镜坯合影。新华社记者张楠摄 4月27日，两名工作人员在清理反射镜坯。新华社记者张楠摄 近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（简称长春光机所）成功自主研制出直径4.03米的单体碳化硅反射镜坯，将其应用于望远镜或卫星上成像，将大大提高分辨率。现代大型光学望
中国科大大幅增强单个碳化硅自旋色心的荧光亮度
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500732.shtm
材料所碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台开工建设
8月30日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所杭州湾研究院碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台项目开工建设。 开工仪式上，宁波材料所所长黄政仁介绍了碳化硅纤维及复合材料研发及应用平台的基本情况。杭州湾新区管委会主任、党工委副书记杨勇表示，项目建成后，将对新区集聚创新资源、优化创新服务、加快成果转
石墨烯，碳化硅一类的样品微波消解能够消解完全吗
可以消解完全的，但需要更高的温度，大概250以上，同时加高氯酸，我们用一家奥地利的可以消解完全。
选择性地从钛碳化硅蚀刻出硅来获得碳化钛薄片
MXenes金属具有导电性和亲水性，所以它们是可充电电池和超级电容器中电极的不二选择，在其他方面也广泛应用，如光热癌症治疗、电磁屏蔽、水净化和气体感应。在Angewandte Chemie杂志中，研究人员推出了一种新的生产方法。抛开传统的、昂贵的钛碳化铝，选择性地从钛碳化硅（一种更廉
中国科大郭光灿团队等在碳化硅色心自旋操控研究新进展
中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心教授Adam Gali合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同
物理所碳化硅晶体产生中红外飞秒激光研究获进展
中红外激光(3-5μm)在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用，特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中，由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次，有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率，因此倍受人们的青睐。但受限于激光增益介质，目前较难在室温下直接
我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世
我新一代雷达核心部件材料实现国产化 科技日报济南7月6日电 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。 碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达
多头物理气相输运技术提高碳化硅晶体制备效率达3倍
碳化硅晶体作为第三代半导体材料的代表，在电子电力器件、高亮度发光二级管等节能环保领域有着广泛的应用前景。然而碳化硅晶体制备存在成本高、能效低等问题，限制了碳化硅晶体在民用领域的大规模应用。 中国科学院上海硅酸盐研究所碳化硅晶体项目部借鉴上海硅酸盐所发明的多坩埚下降晶体制备技术，在对气相输运与沉
利用ALMA观测到二碳化硅在富碳AGB星周呈环状分布
渐近巨星支（Asymptotic Giant Branch，AGB）恒星的星周包层（Circumstellar Envelope，CSE）中含有大量气体分子（已探测到105个），约占星际空间发现的所有分子（超300个）的三分之一。研究星周包层中分子的物理及化学特征，对探讨恒星演化具有重要意义。气
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
据浙江大学杭州国际科创中心发布，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低，半导体碳化硅产业发展或将迎来发
麻省理工学院开发碳化硅核燃料包壳材料
近期，美国麻省理工学院(MIT)的研究人员正在测试碳化硅(SiC)陶瓷基体燃料包壳材料，这种材料能把产生氢气的风险降低几千倍，并为核燃料提供与锆合金类似的保护。 世界上其他研究机构也提出将SiC用于核燃料包壳，而MIT目前正在开展最为详细的测试和模拟。MIT的Kazimi教授及其团队不仅在