各种气体检测仪
半导体式气体检测仪 半导体式气体检测仪是利用一些金属氧化物半导体材料，在一定温度下，电导率随着环境气体成份的变化而变化的原理制造的。比如，酒精传感器，就是利用二氧化锡在高温下遇到酒精气体时，电阻会急剧减小的原理制备的。 半导体式气体检测仪可以有效地用于：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、酒精、甲醛、一氧化碳、二氧化碳、乙烯、乙炔、氯乙烯、苯乙烯、丙烯酸等很多气体地检测。尤其是，这种传感器成本低廉，适宜于民用气体检测的需求。 下列几种半导体式气体检测仪是成功的：甲烷（天然气、沼气）、酒精、一氧化碳（城市煤气）、硫化氢、氨气（包括胺类，肼类）。高质量的传感器可以满足工业检测的需要。 缺点：稳定性较差，受环境影响较大；尤其，每一种传感器的选择性都不是*的，输出参数也不能确定。因此，不宜应用于计量准确要求的场所。 目前这种传感器的主要供应商在日本（），其次是中国，zui近有新加入了韩国，其他国家如美国在这方面也有相当的工作，但是始终没有......阅读全文
元素半导体的概念
元素半导体指以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。
ITO半导体导电膜
掺锡氧化铟（IndiumTinOxide），一般简称为ITO。因此，它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（TouchPanel）、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极zui常用的薄膜材料。 二、发展 真正进行ITO薄膜的研究工作还是19世纪末，当
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。
半导体所等关于磁性半导体(Ga,Mn)As的研究获得进展
最近，《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果，此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (Ga,Mn)A
半导体所等在磁性半导体(Ga,Mn)As研究中取得进展
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华团队及合作者美国佛罗里达州立大学教授熊鹏等在有机自组装分子单层对磁性半导体(Ga,Mn)As薄膜磁性调控研究方面取得新进展，相关成果发表在Advanced Materials（2015，27，8043–8050，DOI: 10.1002/ad
半导体所HgTe半导体量子点研究取得新进展
近年来，拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体，而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言，拓扑绝缘体纳米结构的
含杂质半导体的定义
相对于无杂质半导体，含有杂质的半导体叫做含杂质半导体（extrinsic semiconductor）。
半导体材料的基本特性
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。
半导体ATE设备的作用
在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要
稀磁性半导体的应用
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因兼具有半导体和磁性的性质，即在一种材料中同时应用电子电荷和自旋两种自由度，因而引起广泛关注，尚处于研究阶段。
半导体材料的基本特性
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。
半导体材料的应用介绍
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，
半导体控温系统说明
随着航空、航天、能源工业等领域对电子产品质量的要求日益提高，电子产品的可靠性问题受到了越来越广泛的重视。电子产品在使用过程中会遇到不同的环境温度条件， 在热胀冷缩的应力作用下， 热匹配性能差的电子元器件就容易失效，致使电子产品故障，造成巨大的人力和财力损失。电子元器件的老化和测试就是仿照或者等效产
半导体间电荷传输方向
2008年德国慕尼黑大学的Dieter Gross等人通过荧光技术，证明了TypeII型CdTe和CdSe半导体纳米晶复合材料具有高效的电荷分离效率，同时间接的证明了Type II型异质结的电荷分离方向。（NanoLett., 2008, 8 (5), pp 1482–1485） 2010年在
元素半导体的结构特性
元素半导体（element semiconductor）是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)
半导体特性测试仪
半导体特性测试仪是一种用于化学工程领域的物理性能测试仪器，于2016年05月01日启用。 技术指标 支持多达9个精密直流源测量单元，能够提供测量0.1fA到1A的电流或者1uV-210V的电压。 主要功能 参数分析仪具有无可比拟的测量灵敏度和精度，同时继承了嵌入式Windows操作系统和
无杂质半导体的定义
无杂质半导体（intrinsic semiconductor，亦称作i型半导体）是指未掺入杂质的半导体。半导体制作过程中的一个重要步骤就是掺入杂质（doping）。
元素半导体的基本特性
典型的半导体材料居于Ⅳ-A族，它们都具有明显的共价键；都以金刚石型结构结晶；它们的带隙宽度随原子序数的增加而递减，其原因是其键合能随电子层数的增加而减小。V-A族都是某一种同素异形体具有半导体性质，其带隙宽度亦随原子序数的增加而减小。
常见的半导体材料介绍
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
半导体生产流程
半导体生产流程 所谓的半导体，是指在某些情况下，能够导通电流，而在某些条件下，又具有绝缘体效用的物质；而至于所谓的IC，则是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法，将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件，作在一微小面积上，以完成某一特定逻辑功能（例如：AND、OR、NAND等），进而
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
半导体材料的特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的
什么是－半导体ATE设备
ATE是Automatic Test Equipment(自动化测试设备)的英文缩写，是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。 ATE在60年代早期始于快捷半导体（Fairchild）。 那时Fairchild生产门电路器件（
半导体的基本化学特征
半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。 由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流
半导体测试系统结构说明
半导体测试系统由三大部分组成，包括测量与控制、调理与路由、温度环境。半导体测试系统测量与控制部分是整个系统的核心，主要组成硬件有LCR表，数字万用表，耐压仪，漏电流测试仪、示波器、信号发生器、功率发生器、精密编程电源等仪器。所有的硬件测量与控制资源通过信号调理和大规模的矩阵路由接入温度控制环境中，
电子型半导体的概念
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
半导体的光电导简介
半导体的光电导（photo conductivity of semiconductor）是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级
半导体参数测试仪
半导体参数测试仪是一种用于工程与技术科学基础学科领域的仪器，于2016年12月08日启用。 技术指标 1.小电流i-v ： 超低漏电流（fA），最 大电压200V，最大电流1A； 2.高电压I-V ： 最大电压1000V 3.通用I-V ： 适合于大多数参数测试 4.c-v单元： 能够在1M