基于两级di／dt检测IGBT模块短路策略（四）
图5为本文设计的两级di/dt分别检测两类短路的波形。通过观察图5(a)实验波形可知，发生一类短路后开通约2.4 μs时，第二级di/dt已检测出一类短路状态并将短路信号送给前级CPLD，驱动器采取相应的软关断措施将电流最大值限制在3.16 kA，短路持续时间为2 μs，短路损耗约5 J。通过对比分析图4(a)和图5(a)可知，图5(a)的短路时间、短路电流和短路损耗远小于图4(a)。观察图5(b)二类短路实验波形可知，开通约5.6 μs，第一级di/dt立刻检测出二类短路状态，驱动器立即采取相应的软关断保护措施将电流最大值限制在4.2 kA，短路损耗约7 J。显而易见，短路时间、短路电流和短路损耗也比图4(b)小的多。 通过实验波形分析对比可知，两级电流变化率(di/dt)检测两类短路故障，可在传统VCE退饱和短路检测方法的检测盲区时间内就检测到短路故障，使IGBT驱动器有充足的反应时间。再结......阅读全文
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（四）
图5为本文设计的两级di/dt分别检测两类短路的波形。通过观察图5(a)实验波形可知，发生一类短路后开通约2.4 μs时，第二级di/dt已检测出一类短路状态并将短路信号送给前级CPLD，驱动器采取相应的软关断措施将电流最大值限制在3.16 kA，短路持续时间为2 μs，短路损耗
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（三）
传统使用VCE进行短路检测时，因需兼顾检测一类短路和二类短路的需要，VCE需要较高的阈值，这使得驱动器只能在IGBT退饱和时的VCE快速上升阶段检测到IGBT的短路状态。利用两级di/dt分别检测两类短路，会在VCE检测盲区时间内就检测到两类短路状态。因此，无论是一类短路还是二类短路，利
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（一）
为了解决传统VCE在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题，在分析了IGBT短路特性的基础上，提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施，限制IGBT的短路电流和短路功耗，减小关断尖峰电压。基
基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略（二）
IGBT发生短路时的电流是额定电流的8~10倍[4]。如果不能够快速地检测到短路故障，同时配合适当的软关断保护措施，IGBT将会被损坏。 2、 两级di/dt检测短路原理 封装后的IGBT模块内部有两个发射极，一个是辅助e极，另一个是功率E极，辅助e极和功率E极之间有一个小于10 n
IGBT短路保护电路的设计
固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求。IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认
高精度igbt功率模块推拉力测试机
型号：LB：8500L 产品优势：1.采用测试工位自动模式，在软件选择测试工位后，系统自动到达对应工作位。2.三个工作传感器，采用独立采集系统，保证测试精度。3.每项传感器采用独立防碰撞及过力保护系统。4.每项测试工位采用独立安全限位及限速功能。5.人性化的操作界面，人员操作方便。6.高精度传感系
国内最高性能IGBT芯片及模块问世
近日，由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并通过成果鉴定，刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为，该项目成果总体技术处于国际领先水平，代表了我国功率半导体器件行业IG
深度解读：到底什么是IGBT？（四）
2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode)：它的结构是N+集电极间歇插入P+集电极，这样N+集电极直接接触场截止层并用作PN二极管的阴极，而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极，它具有增强的电流特性且改变了成本结构，因为不需要共封装反并联二极管了。实验证明，它可以提高饱和电流，降
IGBT的检测方法（二）
二、场效应管的使用注意事项 （1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能
IGBT的检测方法（一）
IGBT有三个电极，分别称为栅极G（也叫控制极或门极）、集电极C（亦称漏极）及发射极E（也称源极）。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨
IGBT的检测方法（三）
注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 （3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例
我国研制出世界最大容量压接型IGBT
12月26日，记者从中车时代电气获悉，由公司牵头完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”项目，日前通过中国电子学会组织的成果鉴定。通过该项目的实施，公司研制出了世界功率等级最高的压接绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。据悉，这也是我国首次实现压接型IGBT技术的零突破。图片来源于网
电池模拟器的作用特点介绍
电池模拟器是专门为新能源电动汽车行业的电机控制器，驱动电机，整车测试实验研发的，用于取代动力电池的设备。 回馈电网是指： 采用先进的IGBT器件和相幅控制PWM算法，可用于提高变频器的减速制动能力； 同时将电机在制动过程中产生并输入到变频器的能量回馈到电网； 从而
新能源技术的EMI分析设计（二）
如果我们采用的IGBT功率器件开关改变电流的通路，可以测量到续流二极管反向恢复特性有高频振荡环流（本体二极管的反向恢复特性！）如果我们将IGBT采用宽禁带半导体SiC器件就可以改善其反向恢复电流的问题，同时提高效率！SiC器件体二极管的1200V／10A反向恢复特性如下：反向恢复电流小不到3A；注意
基于PC的自动化模块参数介绍
单元式热电联产机组在重新设计单元式热电联产机组时，也应对自动化方法进行重新设计。 目标是执行所有控制、可视化和归档任务，这些任务以前都是通过紧凑型机组中的PLC和PC处理的。 以节省控制柜空间，降低管理和培训要求。 同时还需要一种坚固耐用的免维护设备，并可方便地通过Int
基于声波能构建可重构光计算模块
科技日报北京4月17日电 （记者张梦然）德国马克斯·普朗克光科学研究所与美国麻省理工学院研究人员合作，通过向光子机器学习添加声波维度，成功地为可重构神经形态模块奠定了基础。此次成果对生成式人工智能（AI）高效解释上下文语义信息至关重要。研究成果17日发表在美国科学促进会网站上。ChatGPT等语言模
基于声波能构建可重构光计算模块
德国马克斯·普朗克光科学研究所与美国麻省理工学院研究人员合作，通过向光子机器学习添加声波维度，成功地为可重构神经形态模块奠定了基础。此次成果对生成式人工智能（AI）高效解释上下文语义信息至关重要。研究成果17日发表在美国科学促进会网站上。ChatGPT等语言模型能创建出表达自然的文本，并以结构化方式
电力变压器短路故障原因及应对策略
电力变压器是电力系统的主体设备，在长期运行中容易发生短路故障。出口短路会造成绝缘过热故障和绕组变形故障，其中变压器绕组的变形已经成为引发其他故障和事故的直接原因。电力变压器的短路故障主要是指变压器的出口短路、变压器内部引线或绕组间对地短路，以及变压器相与相之间发生的短路而导致的故障。根据统计，出口短
汽车线路短路如何检测
短路检测仪一般用于检测汽车的短路情况。如果没有这样的设备，就要人工淘汰。手动短路故障排除最重要的一点是知道汽车的路线方向。首先，拆下电气端子处的接线，然后根据电源的布线方向分段检查线束。搜索时，可以在电源和短路导体之间串联一个测试灯，然后分段拉动线束，观察测试灯的变化。随着人们对汽车舒适性的追求，汽
变频器逆变模块故障分析与处理方法
变频器逆变模块损坏多半是由于驱动电路损坏致使1个桥臂上的2个开关器件同一时间导通所造成的。变频器逆变功率模块损坏是不管在矢量变频器还是节能变频器等其他变频设备上常见到的故障，解决这种问题只有查到损坏的根本原因，并首先消除再次损坏的可能，才能更换逆变模块，否则换上去的新模块会再损坏。 一
基于单片机的通信模块电路设计
在很多场合有线通信技术并不能满足实际需要，比如在野外恶劣环境中作业。使用无线射频通信芯片构建的通信模块，用单片机作为控制部件，配合一定的外围电路就能很好地进行两地空间区域信号对接，实现自由数据通信，解决了无线通信的技术难题。并且其具有硬件构造简单、维护方便、通信速率高、性能稳定等优点，能在电子
基于功能化纸基比色传感器的病毒检测新策略
近日，大连化物所化学传感器研究组（106组）冯亮研究员团队与蛋白质折叠化学生物学创新特区研究组（02T5组）刘宇研究员团队合作在病毒核酸快速检测研究中取得新进展。团队发展了一种低成本、快速和便携式病毒检测策略，该策略依赖蛋白功能化修饰的纸基对荧光信号的生物正交富集，辅以实验室自制的微型DNA加热
德国DISORIC倾角传感器的四点应用案例
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变频器常见的十大故障现象
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开关电源EMI设计经验
1、开关电源的EMI源开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。（1）功率开关管功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态，dv/dt和di/dt都在急剧变换，因此，功率开关管既是电场耦合的主要干扰
功率半导体封装测试再添“利器”
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/499546.shtm4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备，在功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛上亮相。该设备依托X射线计算机
德国DISORIC光电传感器的四点应用案例
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基于两级密勒补偿结构的CMOS功率放大器的设计
本文设计了一种用于耳机驱动的 CMOS 功率放大器，该放大器采用 0.35μm 双层多晶硅工艺实现，驱动 32Ω的电阻负载。该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构，通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能。仿真结果表明，该电路的开环直流增益为 70dB，相位裕度达到 86.
IGBT的定义和全名
IGBT的全名为：绝缘栅双极晶体管，是一种在新能源汽车上应用极为广泛的半导体。半导体是什么？良好的金属的导电性叫做导体、塑料、陶瓷、木材的导电性差，称为绝缘体。在导体和绝缘体之间，半导体是导电性能。
四川乐山市县两级水源地全部完成整治
《乐山市集中式饮用水水源保护管理条例》（以下简称《条例》）今年1月1日起正式实施，这是四川省乐山市第二个实体性法规。 按照《条例》，乐山要建立饮用水水源地整治、保护和管理跟踪问效、督办督察、追责问责等保障机制。将饮用水水源地整治、保护和管理纳入环境保护目标考核“一票否决”内容，对饮用水水源保护