WIKI资讯
WIKI资讯
光刻机用低温冷水机组操作者可对设备运行过程中的相关故障以及解决办法做一定的了解，以便更好的使用光刻机用低温冷水机组，那么其故障原因是怎么样的呢？ 1、制冷剂泄漏： 系统中制冷剂泄漏后制冷量不足，吸、排气压力低，蒸发器不挂霜或挂角少量的浮霜，若调大膨胀阀孔，吸气压力仍无大变化，停机后系统内平衡压力一般低于相同环境温度所对应的饱和压力。 排除方法：制冷剂泄漏后不能急于向系统内充灌制冷剂，而应立即查找渗漏点，经修复后在填充制冷剂。 2、维修后充灌制冷剂过多： 维修后的制冷系统中充灌的制冷剂量超过系统的容量，制冷剂就会占去冷凝器一定的容积，减少散热面积，使其制冷效果下降，出现吸、排气压力普遍高于正常的压力值，蒸发器结霜不实，光刻机用低温冷水机组降温慢。 排除方法：按操作程序，须停机几分钟后在高压截止阀处放出多余的制冷剂，此时也能将系统中的残余空气一并放出。 3、制冷系统内有空气： 空气在制冷系统中会使制冷效率降低，突出......阅读全文
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。 MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， M
匀胶过程介绍一个典型的匀胶过程包括滴胶，高速旋转以及干燥(溶剂挥发)几个步骤。滴胶这一步把光刻胶滴注到基片表面上，高速旋转把光刻胶铺展到基片上形成簿层，干燥这一步除去胶层中多余的溶剂。两种常用的滴胶方式是静态滴胶和动态滴胶。静态滴胶就是简单地把光刻胶滴注到静止的基片表面的中心，滴胶量为1-10ml不
经常听说，高端光刻机不仅昂贵而且还都是国外的，那么什么是光刻机呢？上篇我们聊了从原材料到抛光晶片的制成过程，今天我们就来聊聊什么是光刻～第一步骤的晶体生长机晶片的制造，我们上篇已经聊过了。今天我们要聊的是光刻，我们先简单聊一聊硅的氧化（热氧化），刻蚀的话我们后面再讲。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
近日，“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目验收会在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）召开，验收会由“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织。 会上，评审专家组肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的
微纳加工技术指尺度为亚毫米、微米和纳米量级元件以及由这些元件构成的部件或系统的优化设计、加工、组装、系统集成与应用技术，涉及领域广、多学科交叉融合，其最主要的发展方向是微纳器件与系统（MEMS和NEMS）。微纳器件与系统是在集成电路制作上发展的系列专用技术，研制微型传感器、微型执行器等器件和系统
1. 微流控芯片的材料刚性材料——单晶硅、无定性硅、玻璃、石英等；刚性有机聚合物材料如环氧、聚脲、聚氨、聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯等；弹性材料——二甲基硅氧烷( PDMS) 。2. 微流控分析芯片材料的特点有机聚合物芯片材料的基本要求：①材料应易被加工；②有良好的光学透明性；③在分析条件下材料应是惰
微流控芯片的发展 微全分析系统的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz与Widmer提出的，当时主要强调了分析系统的“微”与“全”，及微管道网络的MEMS加工方法，而并未明确其外型特征。次年Manz等即在平板微芯片上实现了毛细管电泳与流动。微型全分析系统当前的发展前沿。
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
陈宜方 摘要: 综述了国内外在纳米加工X射线衍射光学透镜方面的研究现状和最新进展。介绍了作者团队过去三年在这方面做的工作。针对衍射透镜关键技术，研发了具有大高宽比形貌的电子束光刻基础工艺；结合金电镀，提出了纳米尺度波带片的制造技术，并
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
大家也许还不是非常的清楚，刻录机的种类有非常的多，其中的技术原理也不尽相同，下面就由我来给大家简单介绍一下有关接触式光刻机的使用原理及性能指标。 接触式光刻机的使用原理： 其实在我国对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。 我
近期，中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心研究员韦亚一团队与中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司在负显影光刻胶建模和光源掩模协同优化方面开展深入合作，围绕14纳米节点中光刻研发所面临的各项工艺挑战进行联合技术攻关并取得显著进展，完成了后段制程中特定关键层的模型校准工作。结果表明，对于负显
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队在国内研制成功。该设备采用特有的高均匀、高准直中紫外照明技术，结合光敏玻璃材料，实现基于光敏玻璃基底的微细结构直接加工，能够极大简化工艺流程，将有力促进光敏玻璃微细结构的光刻工艺技术“革命”，目前在国内尚未见有此类产
2020年11月25日 17:23 来源: 岱美仪器技术服务（上海）有限公司 >>进入该公司展台分享： 作为光刻工艺中zuì重要设备之一，接触式光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向前发展。了解提高接触式光刻机性能的关键
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
一、光刻（lithography）和刻蚀技术（etching）1.光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ，工艺如下 ：①仔细地将基片洗净;②在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ，例如铬、二氧化硅、氮化硅等;③再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它
一、预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，而涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺显得更为必要，尤其在所刻线条比较细的时候，任何一个环节出现一点纰漏，都可能导致光刻的失败。在涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而晶片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，如果在晶
近日，中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机（Mask aligner），光刻分辨力达到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中，光刻所采用的波段是决定
在芯片制造业中，光刻机是必不可少的精密设备——每颗芯片诞生之初，都要经过光刻技术的锻造。也正因为此，与之相关的突破性研究成果备受关注。 2月25日，清华大学的一项科研成果刊登在《自然》上，引起了国内外学术界及产业界的高度关注。《自然》评阅人认为其“展示了一种新的方法论”，“必将引起粒子加速器和
盘点这一年的核心技术：22纳米光刻机、450公斤人造蓝宝石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾构机“弃壳返回”、远距离虹膜识别……哪一个不夺人眼球！ 2018年，高新技术成果在各行各业开花结果，在提高产业效能的同时也为人们的生活创造了更多便利。科技创新主体不约而同向着“自主掌握核心技术，打
光刻机水冷机是一种常见的工业冷却设备，光刻机水冷机安装时需要选取合适的安装位置，这样可以减少制冷量损失并且操作更为便利。 1、应当尽量减少光刻机水冷机与被控温设备的距离，这样的好处是可以减少冷冻水在管路中的压降和冷量损失，而且机组没有远程控制功能时方便操作设备； 2、从散热条件来说
二维半导体材料，比如二硫化钼（MoS2），表现出了诸多新奇的特性，从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前，研究人员常用电子束光刻的方法，在此类仅若干原子层厚的材料表面定域制备图形化电极，从而研究其电学特性。然而，采用此类方法常遇到的问题之一是二维半导体材料与金属电极
盘点这一年的核心技术：22纳米光刻机、450公斤人造蓝宝石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾构机“弃壳返回”、远距离虹膜识别……哪一个不夺人眼球！ 2018年，高新技术成果在各行各业开花结果，在提高产业效能的同时也为人们的生活创造了更多便利。科技创新主体不约而同向着“自主掌握核心技术，打破
按时进行光刻机水冷机组的维修保养，而对于很多企业而言，如果光刻机水冷机组缺少必要的保养与维护，意味着光刻机水冷机组后期运行故障率非常高。 在实际运行光刻机水冷机组的时候，为保持光刻机水冷机组运行靠谱与稳定，建议在使用半年时间之后，需要针对光刻机水冷机组进行面面的清洗。尤其对于容易产生积尘污垢的位
2.4 波带片透镜的极限高宽比研究为了实现硬X射线的高效率成像，波带片透镜的绝对厚度和大高宽比一直是X射线光学技术发展追求的目标。然而，采用电子束光刻的手段能够实现的最大高宽比及其影响因素等方面的研究在国内外一直没有专门报道。本文综述了我们运用蒙特卡罗模拟法和显影动力学理论，结合实际电子束光刻的形貌
光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类： 高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常在十几纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制
【导语】计算机芯片中采用光刻技术创建图片来存储信息，光刻技术中紫外光和图片大小有成正比关系，紫外光波长越短，图片越小，短波紫外光条件非常苛刻而且昂贵。近期，John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RAPID光
3 X射线光学表征3.1 100 nm分辨率波带片的聚焦特性100 nm波带片的光学聚焦特性在上海光源同步辐射BL15U1线站进行了光学表征。图 22是光学测试系统(图 22(a))和光路示意图(图 22(b))。X射线的能量是10 keV，波带片的第一环直径为3.46 μm，总共有300个波带