“极紫外光刻关键技术研究”通过验收
近日，“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目验收会在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）召开，验收会由“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织。 会上，评审专家组肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。 极紫外光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，极紫外光刻被行业赋予拯救摩尔定律的使命。 长春光机所应用光学国家重点实验室研究员金春水告诉《中国科学报》记者：“极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，项目指标要求高，技术难度大、瓶颈多，创新性高，同时国外技术封锁严重。” 自上世纪90年代起，长春光机所开始专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光......阅读全文
极紫外线光刻机和简介和功能
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。 2018年4月，中芯国际向阿斯麦下单了一台EUV（极紫外线）光刻机，预计将于2019年初交货。 功能 光刻机（又称曝光机）是生产大规模集成电路的核心设备
“极紫外光刻关键技术研究”通过验收
近日，“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目验收会在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（以下简称长春光机所）召开，验收会由“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织。 会上，评审专家组肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的
光刻机的紫外光源
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光：g线：436nm 紫外光（UV），i线：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。
中紫外直接光刻设备研制成功
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队在国内研制成功。该设备采用特有的高均匀、高准直中紫外照明技术，结合光敏玻璃材料，实现基于光敏玻璃基底的微细结构直接加工，能够极大简化工艺流程，将有力促进光敏玻璃微细结构的光刻工艺技术“革命”，目前在国内尚未见有此类产
奥普光电对于晶体材料用于紫外光刻回应
有投资者在投资者互动平台提问：请问公司CaF2晶体材料是否可用于紫外光刻？奥普光电（002338.SZ）2月27日在投资者互动平台表示，公司生产的CaF2晶体材料未用于紫外光刻。
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻技术与纳米光刻简介
距离理查德·菲利普斯·费曼著名的演讲“There’s plenty of room at the bottom”有将近60年历史。在他的论文中，他曾问到：“我们怎么样写小？”在今天的科学技术研究中，仍有同样的问题。虽然自上世纪60年代以来，科研技术已经大大进步，半导体行业中使用的线宽已经大幅度下
光刻机为什么一定用紫外线
光刻机采用激光将图形刻印在半导体上，但光是电磁波，不同的光线具有不同的波长。如果需要刻印的图形非常微小，而采用的光线波长较大，则刻不出想要的图形。就像你不能用拖把（书写痕迹粗大）在田字格本上写毛笔字（笔划细小）。现在的芯片集成度越来越高，最高端的芯片工艺已经到了2nm级别。而可见光波长在780nm（
极紫外光源技术项目通过验收
9月23至24日，由中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室杨学明院士承担的中国科学院关键技术研发团队项目“极紫外光源技术及其在能源基础科学研究中的应用团队”通过验收。 中科院条件保障与财务局组织验收专家组听取了项目总体报告和三个核心成员报告，了解了财务审查情况，现场查看了项
双波长激光器造就无需紫外光的光刻技术
【导语】计算机芯片中采用光刻技术创建图片来存储信息，光刻技术中紫外光和图片大小有成正比关系，紫外光波长越短，图片越小，短波紫外光条件非常苛刻而且昂贵。近期，John Fourkas，来自美国马里兰大学化学与生命科学学院的化学与生物化学教授，和他的研究小组已经研发出一种新型台式仪器——RAPID光
光电所研制出实用深紫外光刻机
近日，中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机（Mask aligner），光刻分辨力达到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中，光刻所采用的波段是决定
长春光机所极紫外多层膜膜厚分布超高精度控制研究获进展
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室金春水研究团队在极紫外多层膜膜厚分布超高精度控制研究方面取得新进展：通过采用遗传算法，实现了Φ200mm曲面基底上极紫外多层膜膜厚分布控制精度优于±0.1%，镀膜引起的不可补偿面形误差小于0.1nmRMS，相关指标达到国际先进水平
紫外纳米压印光刻机提升我国微纳级制造业能力
记者日前从中科院光电技术研究所获悉，该所微电子专用设备研发团队已自主研制出一种新型紫外纳米压印光刻机，其成本仅为国外同类设备1/3，将有力推进我国芯片加工等微纳级结构器件制造水平迈上新的台阶。 光刻机是微纳图形加工的专用高端设备。光电所微电子装备总体研究室主任胡松介绍，这套设备采用新型纳米对准
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
光刻机原理
光刻机原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，最后形成芯片。就好像原本一个空空如也的大脑，通过光刻技术把指令放进去，那这个大脑才可以运作，而电路图和其他电子元件就是芯片设计人员设计的指令。光刻机就是把芯片制作所
光刻机原理
光刻机原理： 是利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。光刻是集成电路最重要的
学者综述星际分子极紫外光化学研究
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/502712.shtm近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员袁开军团队和英国布里斯托大学Mike Ashfold教授受邀，在《国家科学评论》发表了星际分子极紫外光化学研究综述文章。其系统介绍了团队近几年基
我国成功研制世界上最亮极紫外光源
中国科学院研制的“大连光源”15日发出了世界上最强的极紫外自由电子激光脉冲，单个皮秒激光脉冲产生140万亿个光子，成为世界上最亮且波长完全可调的极紫外自由电子激光光源。 在这样的极紫外光照射下，区域内几乎所有原子和分子都“无处遁形”。因此，“大连光源”可被用于观测与燃烧、大气以及洁净能源相关的
细说接触式光刻机的使用原理及性能指标
大家也许还不是非常的清楚，刻录机的种类有非常的多，其中的技术原理也不尽相同，下面就由我来给大家简单介绍一下有关接触式光刻机的使用原理及性能指标。 接触式光刻机的使用原理： 其实在我国对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。 我
光刻法的功能介绍
如彩色滤光膜制作时颜料分散法和染色法采用的光刻法。它是将颜料或染料分散在感光胶中，通过掩膜曝光，被曝光部分感光胶聚合，变成非水溶性胶膜在显影时留下，其余部分被冲洗掉，如此重复3次，形成三色彩色滤光膜。
光刻机是什么
光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电
光刻机是什么
光刻机又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机的种类可分为：接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补
光刻机工作原理
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6
光刻机的概述
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
激光刻划的定义
中文名称激光刻划英文名称laser grooving and scribing定 义利用聚焦后高能量密度的激光束，对被加工表面刻槽或划线的方法。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备-激光应用（三级学科）
光刻机是什么
1、光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。3、Photolithogra
光刻机工作原理
1、测量台、曝光台：是承载硅片的工作台。2、激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。3、光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。4、能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。5、光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。6