光刻机的紫外光源
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光：g线：436nm 紫外光（UV），i线：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。] b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短； c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布] 常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。 对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准......阅读全文
光刻机的紫外光源
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光：g线：436nm 紫外光（UV），i线：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。
极紫外线光刻机和简介和功能
极紫外线光刻机是芯片生产工具，是生产大规模集成电路的核心设备，对芯片工艺有着决定性的影响。小于5纳米的芯片晶圆，只能用EUV光刻机生产。 2018年4月，中芯国际向阿斯麦下单了一台EUV（极紫外线）光刻机，预计将于2019年初交货。 功能 光刻机（又称曝光机）是生产大规模集成电路的核心设备
紫外光源可以选择哪些灯
工作原理：广明源UV光解紫外线灯利用“光解氧化”原理，使有机高分子有机废气分子链在高能紫外线光束照射下，降解转变成低分子化合物，并进一步降解为无害的CO2、H2O等；利用高能高臭氧UV紫外线光分解空气中的氧分子产生游离氧，即活性氧，进而产生臭氧，对有机气体进行分解；同时在紫外线的作用下，臭氧与空
D2000－|－紫外氘灯光源
D2000 | 紫外氘灯光源 D-2000氘灯光源上海闻奕光电技有限公司的D-2000氘灯光源能够产生稳定的190-400nm的输出光谱。其峰-峰稳定性小于0.005%，漂移仅为+/-0.5%每小时。特点：1、深紫外覆盖。覆盖范围是190－400nm；2、性能卓越。峰-峰稳定性小于0.005%的超级
光刻机为什么一定用紫外线
光刻机采用激光将图形刻印在半导体上，但光是电磁波，不同的光线具有不同的波长。如果需要刻印的图形非常微小，而采用的光线波长较大，则刻不出想要的图形。就像你不能用拖把（书写痕迹粗大）在田字格本上写毛笔字（笔划细小）。现在的芯片集成度越来越高，最高端的芯片工艺已经到了2nm级别。而可见光波长在780nm（
用紫外线光源检测血迹的原理
因为血迹在紫外线照射下呈土棕色反应，因而，利用紫外线进行检查，可以鉴别有无血迹存在的可能。肉眼检查是要发现血迹，观察其颜色、形态和部位，以便为下一步的检验做好准备，并为确定案件性质，分析判断案情提供帮助。该试验为初步的、试探性的血迹检验，目的是为了解决有无血迹存在的可能性。预备试验方法简便，灵敏度高
极紫外光源技术项目通过验收
9月23至24日，由中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室杨学明院士承担的中国科学院关键技术研发团队项目“极紫外光源技术及其在能源基础科学研究中的应用团队”通过验收。 中科院条件保障与财务局组织验收专家组听取了项目总体报告和三个核心成员报告，了解了财务审查情况，现场查看了项
人工加速老化光源之荧光紫外灯
从理论上说，300nm~400nm的短波能量是引起老化的主要因素。如果增加这部分能量，就能达到快速试验的效果。荧光紫外灯的光谱分布主要集中在紫外光部分，因此，可以达到较高的加速倍率。然而，荧光紫外灯不仅使自然日光中的紫外线能量增加，同时还有在地球表面测量时自然日光中没有的辐射能量，而这部分能量会引
深紫外固态激光源装备通过验收
9月6日，由中国科学院承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”在北京通过验收。该系列前沿装备中的深紫外非线性光学晶体与器件平台、深紫外全固态激光源平台，以及基于这两个平台研制的8台新型深紫外激光科研装备各项既定目标全面完成，使我国成为世界上唯一一个能够制造实用
光电所研制出实用深紫外光刻机
近日，中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机（Mask aligner），光刻分辨力达到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中，光刻所采用的波段是决定
荧光光度计的光源和紫外可见
在生物实验中，常常看到可见分光光度计、紫外可见分光光度计、荧光分光光度计。但可能很多人不太清楚它们之间的区别，现将其简要介绍如下。 一、可见分光光度计与紫外可见分光光度计的区别 1、仪器分析的波长范围不一样，紫外可见分光光度计的波长范围是：200nm-1000nm，其中200nm-330nm
细说接触式光刻机的使用原理及性能指标
大家也许还不是非常的清楚，刻录机的种类有非常的多，其中的技术原理也不尽相同，下面就由我来给大家简单介绍一下有关接触式光刻机的使用原理及性能指标。 接触式光刻机的使用原理： 其实在我国对于接触式光刻机，曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。 我
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
紫外老化箱光源系统及灯管替换方法
紫外老化箱光源系统： 1.光源采用8支额定功率为（40W/支）的UV系列荧光紫外灯管作发光源（灯管长度1200mm）。 2.符合标准灯管有UVA-340和UVB-313光源供用户选择配置（任选一种）。 3.UVA-340紫外线灯波长范围为315～400nm，灯管的发光光谱能量主要集中在340nm的波
攻克“光源中的光源”，中国芯走上新道路
当前，芯片问题广受关注，而半导体工业皇冠上的明珠——以极紫外（EUV）光刻机为代表的高端光刻机，则是我国集成电路（IC）产业高质量发展必须迈过的“如铁雄关”。 如何在短期内加快自主生产高端光刻机的步伐，打破国外的技术封锁和市场垄断？笔者认为，应找准关键技术，攻克核心设备，跻身上游产业。认清光刻关
紫外耐气候老化试验箱的光源分析
紫外光耐气候试验设备是另一种模拟光照的光老化试验设备，它主要模拟阳光中的紫外光。同时它还可以再现雨水和露水所产生的破坏。设备通过将待测材料曝晒放在经过控制的阳光和湿气的交互循环中，同时提高温度的方式来进行试验。设备采用紫外线荧光灯模拟阳光，同时还可以通过冷凝或喷淋的方式模拟湿气影响。
28纳米光刻机如何生产5纳米芯片
28纳米光刻机作为先进半导体芯片制造中的重要设备之一，其本身的生产工艺无法支持5纳米的芯片生产。但是，通过使用一系列先进的制造技术和调整设备参数等手段，可以将28纳米光刻机用于5纳米芯片生产。主要方法包括以下几个方面：1. 使用多重曝光技术：将同一影像进行多次叠加曝光，在不同的位置形成复杂图形，在提
光刻机的概述
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
光刻机的分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动 A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了； B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐； C 自动： 指的是 从基板的上载下载，曝光时长和循
光刻机的种类
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。 1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面； 2.硬接
紫外纳米压印光刻机提升我国微纳级制造业能力
记者日前从中科院光电技术研究所获悉，该所微电子专用设备研发团队已自主研制出一种新型紫外纳米压印光刻机，其成本仅为国外同类设备1/3，将有力推进我国芯片加工等微纳级结构器件制造水平迈上新的台阶。 光刻机是微纳图形加工的专用高端设备。光电所微电子装备总体研究室主任胡松介绍，这套设备采用新型纳米对准
紫外老化试验箱，灯管光源如何选择？
光源采用8支额定功率为40W的进口紫外荧光灯作发光源。紫外线荧光灯管，分布在机器的两侧，每侧各4支。有UVA-340和UVB-313光源供用户选择配置。那么对于这两种光源，它们有着哪些本质的区别呢？1、UVA 灯管UVA灯管主要用于比较不同类型的聚合物。因为UVA灯管在295nm以下没有UV的成份发
光刻机原理
光刻机原理： 是利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。这就是光刻的作用，类似照相机照相。照相机拍摄的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件。光刻是集成电路最重要的
光刻机原理
光刻机原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，最后形成芯片。就好像原本一个空空如也的大脑，通过光刻技术把指令放进去，那这个大脑才可以运作，而电路图和其他电子元件就是芯片设计人员设计的指令。光刻机就是把芯片制作所
高效、便宜、轻便的新型紫外光源发生器问世
高密紫外光源在信息存储、显微仪器和化学分析方面具有广泛应用前景 据美国物理学家组织网11月29日报道，现有的紫外光源功率较低，笨重且昂贵，美国密歇根大学研究人员开发出一种更加智能化的方法来制造高密紫外光源，而且耗能更少，在信息存储、显微仪器和化学分析方面具有广泛应用前景。该研究发表在最新
紫外可见分光光度计的光源选择
紫外光下用石英比色皿，可见光下可用玻璃比色皿，因为玻璃比色皿会吸收紫外光。
光刻机的曝光度
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面；2.硬接触 是将基片
清华大学历经10年，光刻机领域《自然》发文
在芯片制造业中，光刻机是必不可少的精密设备——每颗芯片诞生之初，都要经过光刻技术的锻造。也正因为此，与之相关的突破性研究成果备受关注。 2月25日，清华大学的一项科研成果刊登在《自然》上，引起了国内外学术界及产业界的高度关注。《自然》评阅人认为其“展示了一种新的方法论”，“必将引起粒子加速器和
紫外老化试验箱有几支灯管做光源
紫外老化试验箱光源:1.紫外老化试验箱采用8支额定功率为40W紫外荧光灯作发光源。紫外线荧光灯管，分布在机器的两侧，每侧各4支UVB-313灯管。2.UVB-313灯管的发光光谱能量主要集中在313nm的波长处3.由于荧光灯光能量输出会随时间而逐步衰减，为了减小因光能量衰减造成试验的影响，所以本试验
紫外可见分光光度计光源资料
氘灯和氙灯从电气指标上来分析，两者差异还是很大的： （1）光谱带指标： 氘灯：常用180－350nm； 卤钨灯：常用350－2000nm； 氙灯：常用250－700nm； 常用的紫外－可见光分析区域是190－1100nm； （2）电压 氙灯的功率为150瓦；氘灯启动功率为100瓦，也有说300瓦，工