关于征集“后摩尔时代新器件基础研究”计划的通知
面向我国产业发展的战略需求，针对后摩尔时代芯片发展中最本质的算力瓶颈问题，国家自然科学基金委员会2019年启动了“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划，旨在通过新材料、新原理、新结构、新器件和新架构的创新研究，突破芯片算力瓶颈，提升我国芯片研究水平。 为进一步做好“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划的项目立项和资助工作，经本重大研究计划指导专家组和管理工作组会议讨论决定，面向科技界征集2022年度项目指南建议。 一、科学目标 本重大研究计划面向未来芯片算力问题，聚焦芯片领域发展前沿，拟通过信息、数理、工程材料、生命等多学科的交叉融合，在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及非冯计算新架构等方面取得突破，研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件，实现算力提升2个数量级以上的非冯?诺伊曼架构芯片，发展变革型基......阅读全文
“向上生长”的芯片，突破摩尔定律限制
随着芯片制造商不断缩小其产品的尺寸，他们正面临将大量计算能力塞进一块芯片的极限。一款打破纪录的芯片巧妙地避开了这个问题，这可能会促使电子设备的制造更加可持续。自20世纪60年代以来，要让电子产品性能更强，关键在于将其基本构建单元晶体管做得更小，并更密集地集成在芯片上。这一趋势被著名的摩尔定律所概括，
芯粒：后摩尔时代下降发挥怎样的作用
前言：芯粒逐渐成为半导体业界的热词之一，它被认为是一种可以延缓摩尔定律失效、放缓工艺进程时间、支撑半导体产业继续发展的有效方案。摩尔定律的演变即便不是IT从业人士，想必也会听说过著名的“摩尔定律”：1965年，英特尔创始人戈登·摩尔提出，在至多十年内，集成电路的集成度会每两年翻一番，后来这个
专家纵论后摩尔时代集成电路发展路线
11月30日，由教育部、上海市人民政府支持，教育部学校规划建设发展中心主办，上海大学微电子学院、上海大学中瑞先进技术研究院承办的2022国际产学研用合作会议——集成电路下的超越摩尔技术分会场研讨会举行。 上海大学党委书记成旦红表示，上海大学将加强科教、产教融合，培养紧缺人才上发力，在产学研用国际
什么是摩尔消光系数、摩尔吸光系数、摩尔吸收系数？
分光光度法是基于不同分子结构的物质对电磁辐射的选择性吸收而建立起来的方法，属于分子吸收光谱分析。当光通过溶液时，被测物质分子吸收某一波长的单色光，被吸收的光强度与光通过的距离成正比。虽然现在了解到Bouguer早在1729年已提出上述关系的数学表达式，但通常认为Lambert于1760年最早发现表达
俄乌冲突后，芯片遭殃？
吸引全球关注的俄乌战事仍在持续。当地时间25日，联合国安理会就关于立即停止俄罗斯在乌克兰攻势一事进行投票，由于俄罗斯否决，该决议未能通过。美国、欧盟同时对俄罗斯发起制裁。在全球缺芯问题仍未解决的当下，乌克兰和俄罗斯之间的冲突或许会加剧供应问题。氖气和氪气等稀有气体是半导体光刻环节中必需的材料，钯则可
后摩尔时代新器件重大研究计划项目指南发布
关于发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2023年度项目指南的通告国科金发计〔2023〕8号国家自然科学基金委员会现发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2023年度项目指南，请申请人及依托单位按项目指南中所述的要求和注意事项申请。国家自然科学基金委员会2023年2月10日后摩尔时代新器件基础
英特尔继续推进摩尔定律：芯片背面供电，突破互连瓶颈
随着背面供电技术的完善和新型2D通道材料的采用，英特尔正致力于继续推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。 包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。 12月9日，英特尔在IEDM 2023（2
摩尔燃烧焓除以摩尔质量是什么
标准摩尔燃烧焓是指在标准压力100kPa和指定温度（一般为298.15K）时下，一摩尔物质完全燃烧时的反应焓变，简称燃烧焓。用符号ΔcHΘm表示，下标c代表燃烧（combustion），燃烧焓的单位是kJ·mol-1。[1]注意：一摩尔物质必须是一摩尔可燃物。完全燃烧是指物质中各元素均为氧化为稳定高
什么是摩尔消光系数、摩尔吸光系数
分光光度法是基于不同分子结构的物质对电磁辐射的选择性吸收而建立起来的方法，属于分子吸收光谱分析。当光通过溶液时，被测物质分子吸收某一波长的单色光，被吸收的光强度与光通过的距离成正比。虽然现在了解到Bouguer早在1729年已提出上述关系的数学表达式，但通常认为Lambert于1760年最早发现表达
邓中翰委员：后摩尔时代要加快集成电路产业破题
集成电路产业是电子信息产业的核心，是支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，也是我国当前需要重点突破的领域。而后摩尔时代如何占领技术制高点，抢占机遇实现逆势突围，是业界十分关注的问题。 在今年的两会上，全国政协委员、中国工程院院士邓中翰在提案中建议，聚焦后摩尔时代，我们要发挥新型举国体
邓中翰委员：后摩尔时代要加快集成电路产业破题
集成电路产业是电子信息产业的核心，是支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，也是我国当前需要重点突破的领域。而后摩尔时代如何占领技术制高点，抢占机遇实现逆势突围，是业界十分关注的问题。 在今年的两会上，全国政协委员、中国工程院院士邓中翰在提案中建议，聚焦后摩尔时代，我们要发挥新型举国
标准摩尔生成焓计算标准摩尔反应焓
= (产物生成焓)- （反应物生成焓） (T)=标准摩尔燃烧焓计算标准摩尔反应焓 (T)= (反应物燃烧焓)- （产物燃烧焓）= 标准摩尔生成焓与标准摩尔燃烧焓 =
关于征集“后摩尔时代新器件基础研究”计划的通知
面向我国产业发展的战略需求，针对后摩尔时代芯片发展中最本质的算力瓶颈问题，国家自然科学基金委员会2019年启动了“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划，旨在通过新材料、新原理、新结构、新器件和新架构的创新研究，突破芯片算力瓶颈，提升我国芯片研究水平。 为进一步做好“后摩尔时代新器件基础研究”
智能芯片损坏后可瞬间自行修复
据物理学家组织网近日报道，美国加州理工学院的工程师团队首次开发出一种可自愈的集成芯片，可在微秒之间，对智能手机和电脑中从电池到总晶体管等故障自行修复。相关研究成果刊登在最新一期《IEEE微波理论与技术》期刊上。 加州理工学院工程和应用科学部高速集成电路实验室的研究团队，在小功率放大器里证明
智能芯片损坏后可瞬间自行修复
据物理学家组织网近日报道，美国加州理工学院的工程师团队首次开发出一种可自愈的集成芯片，可在微秒之间，对智能手机和电脑中从电池到总晶体管等故障自行修复。相关研究成果刊登在最新一期《IEEE微波理论与技术》期刊上。 加州理工学院工程和应用科学部高速集成电路实验室的研究团队，在小功率放大器里证明
关于征集“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划通知
为进一步做好“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划的项目立项和资助工作，经本重大研究计划指导专家组和管理工作组会议讨论决定，面向科技界征集2021年度项目指南建议。 一、相关背景 “后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2019年度获立项资助，执行期8年，围绕“CMOS器件能耗边界及突破机
摩尔去世，影响世界的摩尔定律还活着吗？
英特尔公司联合创始人戈登·摩尔3月24日去世，享年94岁。作为半导体行业的先驱，他提出的“摩尔定律”预言了芯片行业日新月异的发展进程。 现在人们熟知的“摩尔定律”是指：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目每隔18-24个月增加一倍，性能也将提升一倍。事实上，摩尔并没有说过“每18个月翻一
香山科学会议－专家称“后摩尔时代”高端硅基材料是关键
近日，香山科学会议第626次学术讨论会在上海举行，会议聚焦了高端硅基材料及器件关键技术问题。与会专家认为，硅基材料及器件的创新将决定未来集成电路及相关信息技术的发展。 著名的“摩尔定律”提出，集成电路上可容纳的元器件的数目，每隔约18至24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。当前，在摩尔定律引
什么是摩尔吸光系数？
摩尔吸光系数（Molar Absorption Coefficient），也称摩尔消光系数（Molar Extinction Coefficient），是指物质对某波长的光的吸收能力的量度，以符号“ε”表示。
摩尔燃烧焓的概念
标准摩尔生成焓是在标准状态即压力为100kPa，一定温度（一般是298.15K）下时，由元素最稳定的单质生成生成1mol纯化合物时的反应热称为该化合物的标准摩尔生成焓。标准摩尔燃烧焓是指一摩尔物质在标准状况下完全燃烧时的反应焓变，用符号ΔcHm表示，其中下标“c”表示燃烧（combustion），其
基金委发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划项目指南
关于发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2024年度项目指南的通告国科金发计〔2024〕137号国家自然科学基金委员会现发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2024年度项目指南，请申请人及依托单位按项目指南所述要求和注意事项申请。国家自然科学基金委员会2024年5月21日后摩尔时代新器件基础
摩尔吸光系数的实际应用
当吸光物质的浓度为1mol/L，吸收池厚为1cm，以一定波长的光通过时，所引起的吸光度值A。ε值取决于入射光的波长和吸光物质的吸光特性，亦受溶剂和温度的影响。在实际应用中，ε可作为定性鉴定的参数，也可用以估量定量方法的灵敏度。ε值越大，表示该有色物质对该波长光的吸收能力越强，显色反应越灵敏，反映了用
摩尔吸光系数的影响因素
摩尔吸光系数的大小与待测物、溶剂的性质及光的波长有关。待测物不同，则摩尔吸光系数也不同，所以，摩尔吸光系数可作为物质的特征常数。溶剂不同时，同一物质的摩尔吸光系数也不同，因此，在说明摩尔吸光系数时，应注明溶剂。光的波长不同，其吸光系数也不同。单色光的纯度越高，摩尔吸光系数越大。
摩尔吸光系数的概念表述
摩尔吸光系数（Molar Absorption Coefficient），也称摩尔消光系数（Molar Extinction Coefficient），是指浓度为1摩尔/升时的吸光系数，ε表示，当浓度用克/升表示时，摩尔吸光系数在数值上等于吸光系数（a）与物质的分子量（M）之积，ε=aM。ε值的大小
蛋白的摩尔数怎么算
质量（g）/分子量（Da）=摩尔数 （mol）, 1Da= 1g/mol 摩尔浓度（mol/L）= 摩尔数（mol）/ 溶液体积 （L） 质量=摩尔数 X 分子量 = 摩尔浓度 X 体积 X 分子量 = 1 x 10^-3 (mol/L) X 66 X 10^ 3 (g/mol) X 体积
英特尔创始人、“摩尔定律”提出者戈登·摩尔去世
当地时间2023年3月24日，英特尔和戈登和贝蒂·摩尔基金会宣布，英特尔公司联合创始人、摩尔定律提出者戈登·摩尔（Gordon Moore）去世，享年94岁。 贝蒂·摩尔基金报告称，Moore于2023年3月24日星期五在夏威夷的家中被家人包围，平静地去世。 基金会主席Harvey Fine
摩尔定律：50岁依然年轻
1965年4月19日，36岁的戈登·摩尔在《电子杂志》中预言：集成电路中的晶体管数量大约每年就会增加一倍。十年过后，摩尔根据实际情况对预言进行了修正，把“每年增加一倍”改为“每两年增加一倍”。半导体行业的“传奇定律”——摩尔定律就此诞生，它不仅揭示了信息技术进步的速度，更在接下来的半个实际中，犹如一
渗透压摩尔浓度的测定
通常采用测量溶液的冰点下降来间接测定其渗透压摩尔浓度。在理想的稀溶液中，冰点下降符合△Tf=kf·m的关系，式中，△Tf为冰点下降，Kf为冰点下降常数(当水为溶剂时为1.86)，m为重量摩尔浓度。而渗透压符合Po=ko・m的关系，式中，Po为渗透压，ko渗透压常数，m为溶液的重量摩尔浓度。由于两
常见物质的标准摩尔生成焓
常见物质的标准摩尔生成焓物质(298.15K) kj/molAg(s)0Br(g)111.884Br(l)0C(金刚石)1.896CO(g)- 110.525(g)-393.511CaO(s)-635.6(s)-986.5(g)-241.825(l)-285.838(g)0(g)0(g)-74.84
后摩尔时代新器件基础研究－重大研究计划2024年度项目评审会在京召开
国家自然科学基金“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2024年度项目评审会在京召开。 2024年10月14日，国家自然科学基金委员会（以下简称自然科学基金委）信息科学部在北京召开“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2024年度项目评审会议。自然科学基金委党组成员、副主任陆建华院士出席会