硅微条探测器的结构简介
从探测器横截面上看，主要分这样几个部分： 探测器表面：有薄铝条, SiO2隔离条，铝条下边是重掺p+条。 中间部分：是厚度大约为300μm 的高阻n 型硅基，作为探测器的灵敏区。 底部：是n 型硅掺入砷(As) 形成重掺杂n+ 层和铝薄膜组成的探测器的背衬电极。 微条(strips)是探测器的信号读出条, 它的宽窄和间距将影响探测器的空间分辨率。 保护环(Guard rings)在探测器的四周, 起到屏蔽保护作用, 使探测器降低了噪声, 提高了抗辐射能力。 多晶硅偏压电阻(Poly-silicon bias resistors)是集成在硅片上的, 它对于每个微条起保护作用，可以降低漏电流, 从而降低噪声。 偏压连接带(Bias trace)是连接偏压电源到每一个微条的连接带。 直流接触片(DC contact pad)是作直流耦合输出的接触点。 交流接触片(AC contact pads)是交流耦合输出的接......阅读全文
硅微条探测器的结构简介
从探测器横截面上看，主要分这样几个部分： 探测器表面：有薄铝条, SiO2隔离条，铝条下边是重掺p+条。 中间部分：是厚度大约为300μm 的高阻n 型硅基，作为探测器的灵敏区。 底部：是n 型硅掺入砷(As) 形成重掺杂n+ 层和铝薄膜组成的探测器的背衬电极。 微条(strips)是探
硅微条探测器的工作原理
硅微条探测器是在一个n型硅片的表面上，通过氧化和离子注入法，局部扩散法，表面位垒法及光刻等技术工艺制作成的。其表面是均匀平行的附有一层铝膜的重搀杂p+微条。n型硅片的整个底面掺入杂质后，制成n型重搀杂n+层，其外层也附有一层铝，作为电极接触。这样制成了表面均匀条形的pn结型单边读出的探测器。
硅微条探测器的形成和发展
硅微条探测器（silicon micro-strip detector）是指在PN结硅片型半导体探测器外侧敷盖多个金属微条以确定粒子位置的粒子探测器。为了测量粒子或射线的空间分布，近年来发展了以PN结为基体的硅微条位置灵敏探测器。 形成和发展 随着半导体技术的迅速发展，半导体粒子探测器也有了
硅微条探测器的特点有哪些？
非常好的位置分辨率 这是硅微条探测器最突出的特点。它的位置分辨率是应用的各种探测器中最高的，可做到1.4μm。主要因为固体的密度比气体大100倍左右，带电粒子穿过探测器，产生的电子2空穴对(e-h)的密度非常高，大约为110e-h/μm[2]。 另外由于现代半导体技术工艺，光刻技术及高集成度
硅微条探测器在核医学中的应用
核医学影像技术与高能物理及核物理探测技术是密切相关的，核医学领域的X光透视，X2CT、MRI、PET、ECT等等，都是在高能物理和核物理实验探测技术的基础上发展起来的。探测技术的各项发展都在不断带动核医学 影像技术的发展。早期的X光影像检测，显示记录只是用X光胶片，随着探测技术的发展，很多
硅微条探测器在高能物理实验中的应用
因为硅微条探测器及一些相关的半导体探测器的位置分辨率比气体探测器的位置分辨率高一到两个数量级，所以在近十几年来，世界各大高能物理实验室几乎都采用它作为顶点探测器。如美国的FERMILAB的CDF和D0，SLAC实验室的B介子工厂的BaBar实验，西欧高能物理中心CERN的LEP正负电子对撞机
硅化铂探测器简介
硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 简介 硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 用途 主要用于中、短波红外辐射的探测。 构造 它的构造
硅微条探测器在空间物理和宇宙线科学实验中的应用
丁肇中先生领导的AMS组（国际空间站阿尔法磁谱仪实验），计划把A磁谱仪AMS送到国际空间站ISSA，企望在宇宙线中寻找反物质和暗物质。AMS的中间核心部分的多层径迹室都是采用双边读出的硅微条探测器。它是充分利用了双边读出硅微条探测器的高空间分辨率，两维信息读出，CMOS电子学的低功耗的特点。
可控硅的基本结构简介
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器
微纤丝的结构简介
细胞壁的主要组成成分是纤维素，它形成细胞壁的框架，内含其他物质。在电子显微镜下看到，这种框架由一层层纤维素微丝，简称微纤丝组成的，每一层微纤丝基本上是平行排列，每添加一层，微纤丝排列的方位就不同，因此层与层之间微纤丝的排列交错成网。微纤丝之间的空间通常被其他物质填充，其常常是由果胶、半纤维素、细
硅单光子探测器取得重要进展
由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺
硅的晶体结构
两个面心立方结构相互套构而成，其中一个面心立方结构沿另一个的体对角线平移1/4。
可控硅简介
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。 可控硅分
新兴半导体：一种透明柔性的单晶硅微框架结构
柔性、透明是光电子器件的发展趋势，柔性透明的器件能够不易察觉的与其他器件或物体进行集成，在电子皮肤、物联网、透明柔性显示器和人工视觉等领域有着巨大的应用潜力。然而，发展新型柔性、透明电子器件首先需要克服的就是材料问题。传统光电子器件主要是依靠半导体这一成熟的材料体系，但是目前常用的半导体材料都是
可控硅的结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构
原条的概念和结构
原条（primitive streak）是发育生物学的概念，最先在鸟类胚胎发育中发现，从后端缘区向前伸展的条带，是由上胚层细胞向囊胚腔下陷造成的，功能上相当于两栖类的胚孔。
光探测器简介
又名“光检测器”，是光接收机的首要部分，光探测器是光纤传感器构成的一个重要部分，它的性能指标将直接影响传感器的性能。能检测出入射到其面上的光功率，并把这个光功率的变化转化为相应的电流。由于光信号在光纤中有损耗和失真所以对光探测器的性能要求很高。其中最重要的要求是在所用的光源的波长范围内有较高的灵
气体探测器简介
气体探测器是一种检测气体浓度的仪器。该仪器适用于存在可燃或有毒气体的危险场所，能长期连续检测空气中被测气体爆炸下限以内的含量。可广泛应用于燃气，石油化工，冶金，钢铁，炼焦，电力等存在可燃或有毒气体的各个行业，是保证财产和人身安全的理想监测仪器。
光电探测器简介
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像
ATLAS硅径迹探测器升级模块样机试制完成
近日，中国科学院高能物理研究所与清华大学团队合作参加的ATLAS硅径迹探测器升级项目，完成了ATLAS短硅微条模块（Short Strip Module）样机试制。短硅模块样机在通过各项电子学测试后，已运往英国卢瑟福实验室进行联调测试，验证桶部关键系统设计。 为应对高亮度大型强子对撞机（HL-
超灵敏硅单光子探测器取得重要进展
由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺
为何选择硅基微流控芯片？
第一种应用于微流控芯片的材料是硅，虽然它很快被玻璃和聚合物取代。硅首先被选中是因为：* 它对有机溶剂的耐受性* 容易金属沉积* 优越的导热性* 表面稳定性然而，硅基微流控芯片由于其硬度而不易处理，因此难以生成如微阀或微泵等有源微流控部件。另一个缺点是当进行光学检测时，硅展现出明显的不透光性。此外，由
可控硅元件的结构介绍
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件。
可控硅的定义和结构
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
辐射探测器的历史简介
能给出电信号的辐射探测器已不下百余种。最常用的主要有气体电离探测器、半导体探测器和闪烁探测器三大类。早在1908年，气体电离探测器就已问世。但直到1931年脉冲计数器出现后才解决了快速计数问题。1947年,闪烁计数器的出现，由于其密度远大于气体而大大提高了对粒子的探测效率。最显著的是碘化钠(铊)
气体探测器的原理简介
入射粒子使高压电极和收集电极间的气体电离，生成的电子离子对电场的作用下向两极漂移，在收集电极上产生输出脉冲，反馈到测量系统称为具体的电信号并显示在屏幕上。（错。这是气体核辐射探测器的原理，不是可燃气体探测器的原理。可燃气体探测器的大致原理是用电化学方式检测被测气体。而气体核辐射探测器是用工作气体
光探测器的类型简介
光电倍增管 由光电阴极和装在真空管内的倍增器组成，有很高的增益和很低的噪声，但尺寸较大且需要较高的偏置电压，不适合光纤通信系统。 热电探测器 包含了从热能到光能的转换，这种探测器的响应在相当宽的光谱范围内都是平坦的，但响应速度很慢也不适合光纤通信系统。 半导体光探测器 在半导体光探测器
半导体探测器简介
半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，
硅芯片上可集成最小量子光探测器
英国布里斯托大学的研究人员在扩展量子技术方面取得了重要突破。他们将世界上最小的量子光探测器集成到硅芯片上。相关研究发表在17日出版的《科学进步》杂志上。规模化制造高性能电子和光子学硬件是实现下一代先进信息技术的基础。然而，如果没有真正可扩展的量子技术硬件制造工艺，量子技术带来的益处将无法得到完全呈现
半导体探测器的实际操作运用
丁肈中领导的AMS实验，目标是在宇宙线中寻找反物质和暗物质。它的探测器核心部分的径迹室采用了多层硅微条探测器。由美国、法国、意大利、日本、瑞典等参加的GLAST实验组的大面积γ射线太空望远镜的核心部分也使用了多层硅微条探测器，总面积大于80平方米，主要用来作为γ→ e-+e+ 的对转换过程的径迹