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硅微条探测器的结构简介

从探测器横截面上看，主要分这样几个部分： 探测器表面：有薄铝条, SiO2隔离条，铝条下边是重掺p+条。 中间部分：是厚度大约为300μm 的高阻n 型硅基，作为探测器的灵敏区。 底部：是n 型硅掺入砷(As) 形成重掺杂n+ 层和铝薄膜组成的探测器的背衬电极。 微条(strips)是探测器的信号读出条, 它的宽窄和间距将影响探测器的空间分辨率。 保护环(Guard rings)在探测器的四周, 起到屏蔽保护作用, 使探测器降低了噪声, 提高了抗辐射能力。 多晶硅偏压电阻(Poly-silicon bias resistors)是集成在硅片上的, 它对于每个微条起保护作用，可以降低漏电流, 从而降低噪声。 偏压连接带(Bias trace)是连接偏压电源到每一个微条的连接带。 直流接触片(DC contact pad)是作直流耦合输出的接触点。 交流接触片(AC contact pads)是交流耦合输出的接......阅读全文