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zhangbin07(站内联系TA)多看看书吧dwysd(站内联系TA)在XPS手册上，对应于每种元素，都有一个峰位与该元素化学键结构的图表，根据这个图标，把你测得的数据进行处理，例如你做的氮化硅，但是里面有少量的氧化硅，那么你的Si2p峰位就既不是标准的氮化硅，也不是标准的氧化硅，这是需要你利用origin或者xpspeakfit等软件对所得的Si2p峰进行分峰，也就是用2个或者3个或者更多的高斯峰来拟合所得的测试曲线，根据每一个高斯峰的面积，来去定Si元素中有多少与O结合形成Si-O键，有多少与N结合形成Si-N键。swxby(站内联系TA)你去文献搜索引擎看看别人的分析，学习方法和步骤记好了。......阅读全文
（1）例1 硅晶体表面薄膜的物相分析对薄膜全扫描分析得下图，含有Zn和S元素，但化学态未知。为得知Zn和S的存在形态，对Zn的最强峰进行窄扫描，其峰位1022eV比纯Zn峰1021.4eV更高，说明Zn内层电子的结合能增加了，即Zn的价态变正，根据含有S元素并查文献中Zn的标准谱图，确定薄膜中Zn是
定性分析首先扫描全谱，由于荷电存在使结合能升高，因此要通过C结合能284.6eV对全谱进行荷电校正，然后对感兴趣的元素扫描高分辨谱，将所得结果与标准图谱对照，由结合能确定元素种类，由化学位移确定元素得化学状态，为了是结果准确在每一次扫描得结果分别进行荷电校正。XPS谱图中化学位移的分析一般规律为：1
（1）谱线识别X射线入射在样品上，样品原子中各轨道电子被激发出来成为光电子。光电子的能量统计分布（X射线光电子能谱）代表了原子的能级分布情况。不同元素原子的能级分布不同，X射线光电子能谱就不同，能谱的特征峰不同，从而可以鉴别不同的元素。电子能量用E = Enlj 表示。光电子则用被激发前原来所处的能
实际样品的光电子谱图是样品中所有元素的谱图组合。根据全扫描所得的光电子谱图中峰的位置和形状，对照纯元素的标准谱图来进行识别。一般分析过程是首先识别最强峰，因C, O经常出现，所以通常考虑C1S和O1S的光电子谱线，然后找出被识别元素的其它次强线，并将识别出的谱线标示出来。分析时最好选用与标准谱图中相
x光电子能谱仪.待测物受X光照射后内部电子吸收光能而脱离待测物表面(光电子)，透过对光电子能量的分析可了解待测物组成,XPS主要应用是测定电子的结合能来实现对表面元素的定性分析，包括价态。但是目前标准数据很少，最好用标准物质对照一下。
XPS的原理是用X射线去辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量，以光电子的动能/束缚能 binding energy,(Eb=hv光能量-Ek动能-W功函数)为横坐标，相对强度（脉冲/s）为纵坐标可做出光电子能谱图。从而获得试样有关
XPS的原理是用X射线去辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量，以光电子的动能/束缚能 binding energy,(Eb=hv光能量-Ek动能-W功函数)为横坐标，相对强度（脉冲/s）为纵坐标可做出光电子能谱图。从而获得试样有关
XPS的定性分析和价态分析都是基于光电子谱图中峰位置的能量值。为确保分析的准确性，XPS仪应定期（每工作几个月或半年）进行能量校准。能量校准方法：在实际的工作中，一般选用碳氢化合物(CH2)n中的污染峰C1s峰作参考进行调节，(CH2)n一般来自样品的制备处理及机械泵油的污染。也有人将金镀到样品表面
全扫描：取全谱与标准谱线对照，找出各条谱线的归属。以便识别样品中所有元素，并为窄区谱（高分辨谱）的能量设置范围寻找依据。结合能扫描范围1100～0 eV，分辨率2eV。分辨率0.1eV。扫描区间包括待测元素的能量范围，但又没有其他元素的谱线干扰。窄扫描可以得到谱线的精细结构。另外，定量分析最好也用窄
因光电子信号强度与样品表面单位体积的原子数成正比，故通过测量光电子信号的强度可以确定产生光电子的元素在样品表面的浓度。采用相对灵敏度因子法，原理与俄歇电子能谱方法相同，元素X的原子分数为：相对灵敏度因子通常以F1s谱线强度为基准，有峰面积S和峰高h之分，面积法精度高些。因影响因素多，只能半定量。