XPS图谱荷电校正

当用XPS测量绝缘体或者半导体时,由于光电子的连续发射而得不到电子补充,使得样品表面出现电子亏损,这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs,对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移,使得测量的结合能偏离真实值,造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导体时,需要对荷电效应所引起的偏差进行校正(荷电校正的目的),称之为“荷电校正”。......阅读全文

XPS图谱荷电校正

当用XPS测量绝缘体或者半导体时,由于光电子的连续发射而得不到电子补充,使得样品表面出现电子亏损,这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs,对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移,使得测量的结合能偏离真实值,造成测试结果的偏差。在用XPS测量绝缘体或者半导

XPS图谱如何进行荷电校正

最常用的,人们一般采用外来污染碳的C1s作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ)来矫正谱中其他元素的结合能。具体操作:1) 求取荷电校正值:C单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)-实际测得的C单质峰位=荷电校正值Δ;2)采用荷电校正值对其他谱图进行校正

XPS能谱仪荷电校正(Calibration)

对于绝缘体样品或导电性能不好的样品,光电离后将在表面积累正电荷,在表面区内形成附加势垒,会使出射光电子的动能减小,亦即荷电效应的结果,使得测得光电子的结合能比正常的要高。样品荷电问题非常复杂,一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的XPS分析中,一般采用内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见

什么叫荷电校正?为什么需要进行荷电校正?

当用XPS 测量绝缘体或者半导体时,由于光电子的连续发射而得不到电子补充,使得样品表面出现电子亏损,这种现象称为“荷电效应”。荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs,对电子的逃离有一定束缚作用。因此荷电效应将引起能量的位移,使得测量的结合能偏离真实值,造成测试结果的偏差。在用XPS 测量绝缘体或者

如何进行荷电校正?

最常用的,人们一般采用外来污染碳的C1s 作为基准峰来进行校准。以测量值和参考值(284.8 eV)之差作为荷电校正值(Δ) 来矫正谱中其他元素的结合能。具体操作:1) 求取荷电校正值:C 单质的标准峰位(一般采用284.8 eV)- 实际测得的C 单质峰位= 荷电校正值Δ;2) 采用荷电校正值对其

什么是荷电效应

对于导电性能不好的样品如半导体材料,绝缘体薄膜,在电子束的作用下,其表面会产生一定的负电荷积累,这就是俄歇电子能谱中的荷电效应.样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压, 使得测得的俄歇动能比正常的要高.在俄歇电子能谱中,由于电子束的束流密度很高,样品荷电是一个很严重的问题.有些导

什么是荷电效应

对于导电性能不好的样品如半导体材料,绝缘体薄膜,在电子束的作用下,其表面会产生一定的负电荷积累,这就是俄歇电子能谱中的荷电效应.样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压, 使得测得的俄歇动能比正常的要高.在俄歇电子能谱中,由于电子束的束流密度很高,样品荷电是一个很严重的问题.有些导

锂电池荷电保持能力和荷电恢复能力检测步骤

  1、锂离子电池在(20±5)℃的环境温度下,以0.2C电流恒流放电至规定的终止电压(一般为3.0V),然后以0.2C电流恒流充电至终止电压(一般为4.2V),转入恒压充电(充电终止电流一般为0.02C);  2、锂离子电池应在(20±5)℃的环境温度下开路存放28d;  3、锂离子电池应在(20

荷电效应的评价方法

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流La,评价非导电样品的荷电效应.对于非导电样品,La的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映.此外,La还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)

荷电效应的评价方法

在扫描电镜(SEM)中,通过记录和实时处理电子束辐照样品过程中产生的吸收电流La,评价非导电样品的荷电效应.对于非导电样品,La的绝对值很小,且变化幅度很大,这是电荷在非导电样品表面被捕获、积累和释放过程的直接反映.此外,La还可用来评价荷电补偿(改变环境压力、改变成像参数及对样品表面进行导电处理)

X射线光电子能谱xps图谱分析都包括些啥?

  X光电子能谱分析的基本原理  X光电子能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面,和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。该过程可用下式表示:hn=Ek+Eb+Er (1)  其中:hn:X光子的能量;Ek:光电子的能量;Eb:电子的结合能;Er:原子的反冲能量

关于锂电池荷电保持能力的介绍

  荷电保持能力即通常讲的自放电,是指在开路状态下,电池储存的电量一定环境条件下的保持能力。自放电主要是由电池材料、制造工艺、储存条件等多方面的因素决定的。通常温度越高,自放电率越大。充电电池一定程度的自放电属于正常现象。以镍氢电池为例,IEC标准规定电池充满电后,在温度为20±5°C、湿度为65±

xps-样品要求

定性分析首先扫描全谱,由于荷电存在使结合能升高,因此要通过C结合能284.6eV对全谱进行荷电校正,然后对感兴趣的元素扫描高分辨谱,将所得结果与标准图谱对照,由结合能确定元素种类,由化学位移确定元素得化学状态,为了是结果准确在每一次扫描得结果分别进行荷电校正。XPS谱图中化学位移的分析一般规律为:1

酸度计电方面的校正

  酸度计电计部分校正符合要求后,校正电部分,同时准备好校正时使用的蒸馏水或去离子水和滤纸等物品。目前标准溶液有7种,一般使用以下3种溶液: 1)邻苯甲酸氢钾(KHC8H4O4) 4.003pH; 2)混合磷酸盆(Na2HPO4) 6.864 pH; 3)硼砂(Na2B4O7· l0H2O) 9.1

简述锂离子电池的荷电状态的概念

  SOC,全称是StateofCharge,荷电状态,也叫剩余电量,代表的是电池放电后剩余容量与其完全充电状态的容量的比值。  其取值范围为0~1,当SOC=0时表示电池放电完全,当SOC=1时表示电池完全充满。电池管理系统(BMS)就是主要通过管理SOC并进行估算来保证电池高效的工作,所以它是电

锂电池的贮存后荷电恢复能力检测

  贮存后荷电恢复能力检测主要检验锂离子电池在贮存规定的时间后,容量恢复情况。  1、锂离子电池在(20±5)℃的环境温度下,以0.2C电流恒流放电至规定的终止电压(一般为3.0V),然后以0.2C电流恒流充电至终止电压(一般为4.2V),转入恒压充电(充电终止电流一般为0.02C);  2、锂离子

铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提。从优化俄歇电子能谱仪分析

铝焊垫俄歇分析中荷电效应影响及其降低方法

铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果。铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提。从优化俄歇电子能谱仪分析

XPS能谱仪XPS谱图分析技术

在XPS谱图中,包含极其丰富的信息,从中可以得到样品的化学组成,元素的化学状态及其各元素的相对含量。XPS谱图分为两类,一类是宽谱(wide)。当用AlKα或MgKα辐照时,结合能的扫描范围常在0-1200eV或 0-1000eV。在宽谱中,几乎包括了除氢和氦元素以外的所有元素的主要特征能量的光电子

X射线光电子能谱技术(XPS)的的仪器结构

XPS仪器设计与最早期的实验仪器相比,有了非常明显的进展,但是所有的现代XPS仪器都基于相同的构造:进样室、超高真空系统、X射线激发源、离子源、电子能量分析器、检测器系统、荷电中和系统及计算机数据采集和处理系统等组成。这些部件都包含在一个超高真空(Ultra High Vacuum,简称为UHV)封

磷酸铁锂电池高温荷电保持与容量恢复能力的介绍

  a)磷酸铁锂电池按1.1方法充电。  b)磷酸铁锂电池在60℃士2℃下储存7day。  c)磷酸铁锂电池在20℃士5℃下恢复5h后,以1(A)电流放电,直到放电终止电压2.0V d)用c)的电流值和放电时间数据计算容量(以A.h计),荷电保持能力可以表达为额定容量的百分数。  e)磷酸铁锂电池再

扫描电子显微镜的基本原理(三)--荷电效应

第四节  各种信号与衬度的总结前面两节详细的介绍了扫描电镜中涉及到的各种电子信号、电流信号、电磁波辐射信号和各种衬度的关系,下面对常见的电子信号和衬度做一个总结,如图2-36和表2-4。图2-36  SEM中常见的电子信号和衬度关系表2-4  SEM中常见的电子信号和衬度关系第五节  荷电效应扫描电

能荷的概念

能荷(energy charge),即能量负荷,生物学术语,指在总的腺苷酸系统中(即ATP,ADP和AMP浓度之和)所负荷的高能磷酸基数量。细胞所处的能量状态用ATP、ADP和AMP之间的关系式来表示,称为能荷。

荷质比计算

质荷比,是指带电粒子质量与电荷之比(m/e或m/q);通常说的是带电粒子的质量数与电荷数之比(m/z),其中质量数m以原子质量(au)为单位,电荷数z以质子电荷(e)为单位,因此m/z是一个无量纲数。比如,氢离子(质子)的m/z=1/1=1,带一个正电荷的甲基ch3+的m/z=15/1=15。质荷比

X射线光电子能谱技术(XPS)的结构和使用方法

一、超高真空系统超高真空系统是进行现代表面分析及研究的主要部分。XPS谱仪的激发源,样品分析室及探测器等都安装在超高真空系统中。通常超高真空系统的真空室由不锈钢材料制成,真空度优于1×10-9 托。在X射线光电子能谱仪中必须采用超高真空系统,原因是(1)使样品室和分析器保持一定的真空度,减少电子在运

XPS应用举例

(1)例1 硅晶体表面薄膜的物相分析对薄膜全扫描分析得下图,含有Zn和S元素,但化学态未知。为得知Zn和S的存在形态,对Zn的最强峰进行窄扫描,其峰位1022eV比纯Zn峰1021.4eV更高,说明Zn内层电子的结合能增加了,即Zn的价态变正,根据含有S元素并查文献中Zn的标准谱图,确定薄膜中Zn是

XPS图谱解释

(1)谱线识别X射线入射在样品上,样品原子中各轨道电子被激发出来成为光电子。光电子的能量统计分布(X射线光电子能谱)代表了原子的能级分布情况。不同元素原子的能级分布不同,X射线光电子能谱就不同,能谱的特征峰不同,从而可以鉴别不同的元素。电子能量用E = Enlj 表示。光电子则用被激发前原来所处的能

XPS(X射线光电子能谱仪)丨一键模板套用,深度剖析数据批量分析So-easy!

导读近年来,随着我国材料、能源、微电子等领域的迅猛发展,表面科学已成为最活跃的研究领域之一。X射线光电子能谱(XPS)技术作为一种常见的表面分析技术,在鉴定材料表面的化学性质与组成方面具备独特的优势。举个例子,金属表面通常都存在氧化膜,氧化膜的厚度与分布,随氧化时间与环境而不同,探明氧化膜的情况对了

砌体砂浆强度点荷仪-砂浆点荷仪的使用说明

ZXL-2000砌体砂浆强度点荷仪 砂浆点荷仪 砂浆强度点荷仪 岩石点荷仪一、简介:砌体砂浆强度点荷仪(又名:砂浆点荷仪),是根据GB/T50315-2000《砌体工程现场检验技术规程》而研制生产的。是砌体砂浆强度检测的专用仪器,其特点是能在现场或试验室直接测试,不影响墙体受力性能,具有检测容易,操

xps的物理原理

XPS的原理是用X射线去辐射样品,使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量,以光电子的动能/束缚能 binding energy,(Eb=hv光能量-Ek动能-W功函数)为横坐标,相对强度(脉冲/s)为纵坐标可做出光电子能谱图。从而获得试样有关