锗能生产最灵活自适应的晶体管？开创芯片技术新纪元
锗的特殊性质和专用编程栅电极的使用，使人们有可能为一种开创芯片技术新纪元的新元件制造出原型。据近日发表在美国化学学会《纳米杂志》上的研究，奥地利维也纳工业大学没有依靠硅基晶体管技术，而是利用锗生产出世界上最灵活的晶体管。这种新型自适应晶体管可以在运行时动态切换，能执行不同的逻辑任务。这从根本上改变了芯片设计的可能性，并在人工智能、神经网络甚至逻辑领域开辟了全新机会。 电荷在晶体管中的传输方式取决于使用的材料：要么是带有负电荷的自由移动电子，要么是单个原子中可能缺少电子，所以该点是带正电荷的。这就是所谓的“空穴”。 在新型晶体管中，电子和空穴以一种非常特殊的方式同时操作。维也纳工业大学固态电子研究所博士后研究员马西亚尔·西斯塔尼解释道：“通过极其干净的高质量接口，我们用一根由锗制成的极细的导线连接两个电极。在锗的上方，我们放置了一个栅电极。具有决定性的一步是，我们的晶体管具有另一个控制电极，该电极放置在锗和金属之间的界面上......阅读全文
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法1
7奈米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7奈米节点后，前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战，半导体厂已加紧研发新的元件设计构架，以及金属导线等材料，期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。 台积电预告2017年第二季10奈米芯片将会量产，7奈米制程的量产
漫谈半导体工艺节点（一）
近来，GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺，引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道，带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推测是2014年的，事实上可能有点过时，希望
解析SIGE技术提高无线前端性能
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高 RF 应用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪声的影响。SiGe 技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe 技术在线性度方面的影响还在研究中。 在蜂窝手机和其他数字的、便携式、无线通信设备中，有三个参数越
CMOS传感器的特点简介
CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能。这两个互补效应所产生的电流即可被
晶体管图示仪
半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线的仪器，并可测量低频静态参数。是从事半导体管研究制造及无线电领域工作者的一种必不可少的仪器。具有双簇显示功能特有场效应管配对和测试功能,5kV高压测试台。 技术参数： 集电极范围 20uA/DIV～1A/DIV 分15档，误差不
5个层级带你看清一颗芯片的内部结构（一）
在我们阐明半导体芯片之前，我们先应该了解两点。其一半导体是什么，其二芯片是什么。半导体半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于绝缘体（insulator）与导体（conductor）之间的材料。人们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把
具有超导性能的锗材料制成
一个国际研究团队在最新《自然·纳米技术》发表论文称，他们制备出具有超导性的锗材料，能够在零电阻状态下导电，使电流无损耗地持续流动。在锗中实现超导，为在现有成熟半导体工艺基础上开发可扩展量子器件开辟了新路径。长期以来，科学家一直希望让半导体材料具备超导特性，以提升计算机芯片和太阳能电池的运行速度与能源
集成电路一甲子：方寸之间上演时代更迭
60年前的9月12日，在晶体管诞生11年后，美国德州仪器青年工程师基尔比（Jack Kilby）将几个锗晶体管芯片粘在一个锗片上,并用细金丝将这些晶体管连接起来——看，这是世界上第一块集成电路。 如果拥有上帝视角，你会为那块粗糙简陋的集成电路欢呼雀跃。因为，你能在手机上阅读这篇文章，也得益于它
硅烯首次被成功制成晶体管－可获得更快更小计算机芯片
由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种出了名挑剔的材料。 硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料，就像石墨烯一样，被证明具有超凡脱俗的导电性能，这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地，特别是人们对获得更快或更
研究发现二氧化锗熔体中存在三配位的锗原子
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512933.shtm
我国科学家在新型垂直纳米环栅器件研究中取得进展
垂直纳米环栅晶体管是集成电路2纳米及以下技术代的主要候选器件，但其在提高器件性能和可制造性等方面面临着众多挑战。在2018年底举办的国际集成电路会议IEDM上，来自IMEC的Ryckaert博士将垂直纳米器件的栅极长度及沟道与栅极相对位置的控制列为关键挑战之一。 中国科学院微电子研究所先导中心
科学家在二氧化锗熔体中发现三配位的锗原子
中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所研究员万松明团队与上海大学高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室教授尤静林团队，在二氧化锗（GeO2）熔体中发现了三配位的锗原子。近期，相关研究成果发表在《自然-通讯》（Nature Communications）上。 固态物质存在的两种主要形式
金属所等发明热发射极晶体管
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有
漫谈半导体工艺节点（三）
Brand指出，环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定，它其实非常实用，你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现，或者在5nm实现，这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。
晶体管类型要用对
晶体管当作开关使用，已是司空见惯的事情了，今天硬是要找点话题来讲讲，且聊聊在接GND和接VCC的开关电路中，用不同类型的晶体管究竟会产生什么样不同的影响？一、图例说明（图片来自《电子电气工程师必知必会》）二、原理分析图3－4，人个觉得两种控制电路都可用，只是左边电路设计会存在一些问题，故曰不
微波晶体管相关简介
在微波波段工作的晶体管。微波波段指频率在300兆赫～300吉赫的电磁波谱。按功能分类，微波晶体管包括微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管。按结构分类，微波晶体管可分为双极型晶体管和场效应晶体管。 由于工作频率高，微波晶体管必须具有微米或亚微米的精细几何尺寸。随着薄层外延技术、浅结扩散或离子注入技
微波低噪声晶体管
主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。 双极型晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1/ 噪声（也称闪烁噪声）。场效应晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声
科学家发明新型“热发射极”晶体管
近期，中国科学院金属研究所科研团队与合作者通过可控调制热载流子来提高电流密度，发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管，并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果8月14日发表于《自然》。 该项研究工作由中国科学院金属研究所研究员刘驰、孙东明和中国科学院院