锗能生产最灵活自适应的晶体管？开创芯片技术新纪元

锗能生产最灵活自适应的晶体管？开创芯片技术新纪元

　　锗的特殊性质和专用编程栅电极的使用，使人们有可能为一种开创芯片技术新纪元的新元件制造出原型。据近日发表在美国化学学会《纳米杂志》上的研究，奥地利维也纳工业大学没有依靠硅基晶体管技术，而是利用锗生产出世界上最灵活的晶体管。这种新型自适应晶体管可以在运行时动态切换，能执行不同的逻辑任务。这从根本上改

芯片上“长”出原子级薄晶体管

美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D）过渡金属二硫化物（TMD）材料层，以实现更密集的集成。这项技术可能会让芯片密度更高、功能更强大。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》杂志上。这项技术绕过了之前与高温和材料传输缺陷相关的问题，缩短

美首次研制出稳定的单原子层锗

　　据物理学家组织网4月10日报道，60年前，锗被用来做成了第一块晶体管，但随后被硅取代，现在，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗(germanane)，其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。 　　单锗的结构同由单

新材料将令芯片更小－硅时代进入倒计时

　　硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。 　　加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热

迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519270.shtm

迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管

据美国趣味科学网站14日报道，美国芯片初创企业Cerebras Systems推出了全新的5纳米级“晶圆级引擎3”（WSE-3）芯片。该公司官网称，这是目前世界上运行速度最快的人工智能（AI）芯片，将此前纪录提高了1倍。WSE-3拥有4万亿个晶体管，也使其成为迄今最大的计算机芯片，专门用于训练大型A

IBM新型碳纳米管芯片：单芯片上制造上万晶体管

        美国IBM公司使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内，并且通过了测试。多年来，我们的芯片都根据摩尔定律发展：从以前的微米单位到现在的纳米单位，从以往的90纳

首个竖放晶体管计算机芯片问世

　　据《科学》消息，美国万国商业机器公司（IBM）和三星的研究人员已经制造出首个将晶体管竖立在两端的计算机芯片原型，即垂直传输场效应晶体管。这一变化将使电路的封装更加紧密，并使更快或更节能的设备成为可能。一种新的具有垂直传输场效应的晶体管　　业界知名硬件拆解与分析机构TechInsights半导体行

英特尔芯片将首次采用三维晶体管

　　据英国广播公司（BBC）5月4日报道，美国英特尔公司4日表示，该公司已研发出可大规模生产的三栅（Tri-Gate）三维结构晶体管，配备了新晶体管的芯片在能耗大幅降低的同时，性能也得到了改进。分析人士指出，这是集成电路问世后计算机领域最重要的转变。 　　英特尔当天还展示了名为“常

我国半导体芯片制造底层技术短板待补

原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511585.shtm在过去200多年中，人们在半导体中发现了许多物理效应，其中真正改变人们生活的伟大发现有三个：晶体管、半导体激光器和白光照明。晶体管是半导体芯片的基础，从人工智能、移动通讯到云计算、互

漫谈半导体工艺节点（二）

　　可能的选择　　短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。　　7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet

石墨烯“表亲”硅烯晶体管首秀

　　2月初，研究者揭示了第一块硅烯晶体管的相关细节，如果这种硅薄层结构能应用于电子设备的制造，可能会推动半导体工业实现终极的微型化。　　七年前，硅烯还只是理论家的一个梦。在对石墨烯（单原子层厚度、蜂巢状的碳材料）的狂热兴趣的驱动下，研究者推测硅原子也许也能形成类似的层状结构。而如果这种硅薄层结构能应

硒化锗(IV)－性质

硒化锗(IV)－结构

氮化锗的结构特点

美国要靠石墨烯3D芯片“再次伟大”，能成吗？

　　自从特朗普把“美国优先”树立为美国政府制定政策的标准以来，美国的各个产业部门都应景地涌现出“使美国再次伟大”的方案和计划来，其中自然少不了电子行业。美国国防高级研究计划局(DARPA)作为美国军用技术研究主要管理部门适时地启动了电子复兴计划。　　该计划旨在团结美国的产业界和学术界，以重振美国略显

我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料

作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质材料——人造蓝宝石，这种材料具有卓越的绝缘性能，即使在厚度仅为1纳米时，也能有效阻止电流泄漏。相关成果

科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效

上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-

科学家认为硅烯或将赶超石墨烯－实现后来居上

　　7年前，硅烯还只是理论学家的一个梦想。受石墨烯——由仅是单原子厚度的按蜂窝状晶格排列的碳原子构成的著名材料——热情的驱动，研究人员推测，硅原子也可能形成类似的表面。而且如果它们可以被用于制作电子产品，硅烯胶片将会使半导体工业实现微型化的终极梦想。　　美国得克萨斯州立大学纳米材料研究人员、参与制作

《自然》：美实现用纳米级电线搭建可用于计算的电路

　　一项最新研究说，美国研究人员实现采用纳米级电线搭建可用于计算的电路，通过这种技术得到的电路板具有节能等方面优势。　　新一期英国《自然》杂志刊登研究报告说，目前生产电路板时，一般是先根据设计图做出模板，然后采取蚀刻等方式，像印刷图书一样在整块半导体芯片上印制出电路。而美国哈佛大学等机构研

上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-

科学家开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆

8月7日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）研究员狄增峰团队，在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得突破性进展，相关研究发表于《自然》。硅基集成电路是现代技术进步的基石，但在尺寸缩小方面面临着严峻的挑战。二维半导体材料具有高载流子迁移率和抑制短沟道效

我国科学家国际首次发现锗的新矿物——瑞忠锗矿

近日，中国科学院地球化学研究所矿床地球化学国家重点实验室助理研究员孟郁苗和中南大学地信院教授谷湘平合作，发现并命名的自然界新矿物——瑞忠锗矿，获得国际矿物学协会新矿物命名及分类委员会(IMA-CNMNC)全票批准，编号IMA2022-066，英文名为Ruizhongite，矿物缩写为Rzh。 该

硅和锗元素半导体的应用介绍

硅和锗是我们最熟悉的元素半导体。锗是最早实现提纯和完美晶体生长，并最早用来制造晶体管的半导体材料。但是，由于锗的禁带较窄，锗器件的稳定工作温度远不如硅器件高，加之资源有限，其重要地位早在半导体工业发展初期就被硅所取代。目前，锗仅以其较高的载流子迁移率和在某些重掺杂情况下的高度红外敏感特性，在低频小功

硒化锗(IV)－理化特性

氮化锗的安全信息

硒化锗(IV)的结构

氮化锗的基本性质

食品原料有机锗引热潮

　　 有机锗是一种历史悠久的食品原料，近年来，以有机锗为食品原料的相关商品市场基本处于稳定状态，市场规模也不大。业内人士对此提出，应加强认知，深化宣传普及，以扩大市场规模的呼声。同时，一部分核心企业积累的大量产品效果的研究数据，以及大型健康食品企业的新加入，都会有效提升有机锗的知名度，从而加快有机锗