华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、智慧医疗等产业的蓬勃发展，先进集成电路的关键尺寸进一步微缩至亚10nm尺度，图形化晶圆上制造缺陷的识别、定位和分类变得越来越具有挑战性。传统明场检测方法虽然是当前晶圆缺陷检测的主流技术，但该方法受制于光学成像分辨率极限和弱散射信号捕获能力极限而变得难以为继，因此亟需探索具有更高成像分辨率和更强缺陷散射信号捕获性能的缺陷检测新方法。 据了解，晶圆缺陷光学检测方法的最新进展包含了缺陷可检测性评估、光学缺陷检测方法、后处理算法等三个方面。 其中，缺陷可检测性评估，包含了材料对缺陷可检测性的影响、晶圆缺陷拓......阅读全文
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、智慧医疗等产业的蓬勃发展
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、
永新光学：光学产品助力光通讯、半导体晶圆及集成电路检测
永新光学11月13日在互动平台表示，目前公司生产的光刻镜头可应用于PCB光刻设备。此外，公司生产的光学显微镜及光学元组件可用于光通讯、半导体晶圆及集成电路的检测等领域。永新光学： 永新光学股份有限公司成立于1997年，其子公司南京江南永新光学有限公司最早成立于1943年。公司是一家精密光学仪器
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
硅晶圆展|2024年上海硅晶圆展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者，于开口处亦设置有可
中国科大发表空间量子实验综述论文
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/7/482581.shtm 论文全面介绍了国际空间量子科学研究近二十年来取得的成就，重点阐述了“墨子号”量子科学实验卫星从前期关键技术攻关，包括卫星系统、科学应用系统等六大系统的量子科学实验卫星的建设和研制
晶圆如何通过testkey监控
晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成，探针台上具有包括多个探针的探针卡，在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上，扎针动作由探针台主导；第一步扎针完成之后，需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路
晶圆切割设备的目的
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
晶圆清洗设备的前景
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
晶圆检测显微镜OLYMPUS－MX63L
晶圆检测显微镜OLYMPUS MX63L 进入21世纪以来，电子产品的发展速度日新月异，电子产品被设计的越来越小，功能越来越强大，这离不开高精尖的技术支持，芯片的大小决定了我们的电子产品的大小，薄厚等做工，芯片的都厉不拍晶圆片作为载体俗称硅片。 硅片的发展从4寸到6寸，再到现在的8
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制 MKS 提供了多种高性能的、适用于晶圆检测工具和其他运动控制应用的空气轴承位移台 , 经验丰富的 MKS/Newport 应用工程师与 OEM 客户合作，为正在开发的半导体制造过程提供专门的自动化运动控制解决方案，下文描述这些系统中用于提高精度和
VCSEL晶圆探针台招标项目
标讯类别： 国内招标招标编号：资金来源： 其他招标人：开标时间：招标代理： VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件，并于2023年07月10日 14时00分（北京时间）前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件
晶圆切割设备的切割方法
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
发表细胞代谢综述
ELISA试剂盒癌细胞一直处于细胞代谢研究的中心。尽管基质细胞和免疫细胞能对癌症、炎症和代谢疾病产生重要影响，但这些细胞并没有得到应有的重视系统论述了基质细胞和免疫细胞在健康/疾病状态下的代谢变化，以及代谢对细胞分化和功能的决定机制。基质细胞和免疫细胞的代谢研究理解这些细胞在疾病发展中起到的作用。这
华中科大刘剑峰教授团队Cell又发表重要研究成果
感知寒冷的能力对生命体至关重要。过度的寒冷刺激，轻则导致动物和人类发生组织损伤（冻伤）和引起疼痛，重则危及生命。为了生存，生物进化出了精巧的感知系统来感受外界的温度变化。尽管经过几十年的深入研究，人们对感知寒冷的分子机制仍然知之甚少。 9月5日，生命学院教育部分子生物重点实验室/科技部感知生物与技
上海微系统所在300－mm－SOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉
物理所发表非晶合金弹性性质和弹性模型研究综述文章
从1998年开始，中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）汪卫华研究组通过大量实验，系统地研究了非晶合金形成、结构、力学性能和弹性性能，从弹性模量（基于原子间作用力等微观因素的宏观统计物理量）的角度来研究非晶结构及性能的关系，认识非晶中一些基本问题，取得重要研究成果。 鉴于这些在非晶弹
华中科大发表最新文章：硒对肿瘤抑制的新作用
华中科技大学生物医学工程系，先进生物材料与组织工程中心的研究人员发现了硒掺杂骨矿化纳米粒子抑制骨肿瘤的体内外机理，从而揭示了硒掺杂羟基磷灰石生物材料抑制骨肿瘤的机制。 这一研究成果公布在ACS Nano杂志上，领导这一研究的是华中科技大学张胜民教授，张教授在功能元素掺杂HA生物材料规模制备新技
晶圆清洗设备的目的和分类
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
PlasmaQuant®－MS－分析晶圆表面金属杂质
分析背景简介 硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面及少量的金属污染都可能导致器件功能的失效，所以硅片表面金属杂质测试是不可或缺的步骤。VPD跟ICPMS 联用检测硅片表面金属杂质是目前最常见的一种手段。目前 VPD也是有成熟的全自动化仪器，它的过程就是利用机械管先将硅片暴露于HF蒸气部分，以
晶圆切割设备的重要性
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的
AML晶圆键合机共享应用
仪器名称：晶圆键合机仪器编号：13003988产地：英国生产厂家：AML型号：AWB-04出厂日期：201208购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>封装工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：郑瑶（010-62798268,13811
中国科大等在固态量子光学领域取得进展
中国科学技术大学潘建伟、陆朝阳等和德国维尔兹堡大学、英国剑桥大学相关小组合作，在国际上首创双色脉冲相干激发理论，为光和原子的相互作用等基础量子光学问题的研究打开了一个新思路，解决了共振荧光长期存在的激光本底噪声问题。进一步，研究组通过该方法在微腔耦合的半导体量子点体系上实验实现了无激光背景的高效
辐射旁效应早期过程和检测综述文章发表
近日，中科院合肥物质科学研究院医学物理与技术中心辐射生物医学研究室受邀撰写的综述文章——辐射旁效应的早期过程和快速检测(Radiation-induced bystander effect: Early process and rapid assessment)在期刊《癌症快报》(Cance
芯片良率守护者：半导体检测量测设备概述
一、质量控制把关良率，多种设备各司其职（一）芯片制造过程中会产生缺陷，质量控制设备把关良品率芯片制造过程中会产生颗粒、互联、静电损伤等工艺缺陷。以芯片前道制程为例， 其具体缺陷包括：空气中的分子污染或由环境引起的有机物或无机物颗粒；工艺过 程引起的划痕、裂纹和颗粒、覆盖层缺陷和应力；在从掩模到晶片的
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2
其他仪器方面，本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式，装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域，扫描尺寸是90×90μm2，扫描
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高