上海微系统所在300mmSOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界面附近氧杂质的输运机制，相关成果分别发表在晶体学领域的顶级期刊《Crystal growth & design》（23, 4480–4490, 2023）、《CrystEngComm》（25, 3493–3500, 2023, 封面文章）上。基于此模拟结果指......阅读全文
上海微系统所在300－mm－SOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉
硅晶圆展|2024年上海硅晶圆展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024硅晶圆展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
PlasmaQuant®－MS－分析晶圆表面金属杂质
分析背景简介 硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面及少量的金属污染都可能导致器件功能的失效，所以硅片表面金属杂质测试是不可或缺的步骤。VPD跟ICPMS 联用检测硅片表面金属杂质是目前最常见的一种手段。目前 VPD也是有成熟的全自动化仪器，它的过程就是利用机械管先将硅片暴露于HF蒸气部分，以
表面粗糙度和漆膜厚度的关系
表面粗糙度和漆膜厚度的关系普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、我拿干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量
【解决方案】不可思议的晶圆厚度测量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林费迪南德布劳恩研究所生产的半导体激光和高频放大器晶圆必须达到一个极度精密的层厚度。洁净室工人使用WERTH多传感器坐标测量机监督这个过程。该机配有色差传感器，的无接触捕捉所需的测量元素。 在柏林的费迪南德
表面粗糙度和干膜涂层厚度的解释
表面粗糙度和干膜涂层厚度的解释普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、我拿干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量原理是测到磁性物质外的厚
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
为什么晶圆表面需要做金属元素分析？
硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污，进而导致后道器件的失效，轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低，重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因此，硅片作为器件的原材料，其表面金属含量会直接影响器件的合格率。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
－晶圆制造及封装展|2024上海国际硅晶圆及IC封装载板展览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
表面粗糙度（锚纹深度）与油漆漆膜厚度的关系
表面粗糙度（锚纹深度）与油漆漆膜厚度的关系 案例：普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、用干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量原理是
2024硅晶圆及IC封装载板展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者，于开口处亦设置有可
英特尔已能够生产用于量子计算芯片的全硅晶圆
去年，英特尔向量子计算的商业化迈出了一小步，拿出了17个量子位超导芯片，随后CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一个具有49个量子位的测试芯片。与此前在英特尔的量产努力不同，这批最新的晶圆专注于自旋量子位而非超导量子位。这种二次技术仍然落后于超导量子力度，但可能更容易扩
2024第21届北京国际硅晶圆与加工设备展览会
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体展会|2024上海硅晶圆展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024北京硅晶圆博览会「参展咨询」「9月57日」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
2024北京硅晶圆展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
除锈硅磷晶罐
★除锈硅磷晶罐安装步骤及要求★ 1．首先应检查设备外观是否有损坏，如检查无异常，再进行安装。本设备要求安装在室内。 2．设备应安装在制作好的混凝土基础平台上，用设备无须与混凝土基础平台固定。 3．设备安装形式应为旁通式安装，以满足在不停机状态下
晶圆切割设备的目的
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
晶圆清洗设备的前景
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路
晶圆如何通过testkey监控
晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成，探针台上具有包括多个探针的探针卡，在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上，扎针动作由探针台主导；第一步扎针完成之后，需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果
2024中国(上海)国际硅晶圆展览会(时间/地点/展览馆)
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。应变硅技术、SOI（Silicon-on-Insulator）技术和高K栅介质材料是三项在硅材料与
VCSEL晶圆探针台招标项目
标讯类别： 国内招标招标编号：资金来源： 其他招标人：开标时间：招标代理： VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件，并于2023年07月10日 14时00分（北京时间）前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件
晶圆切割设备的切割方法
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519020.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称微系统所）硅基材料与集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光