半导体技术再突破台湾研发侧向磊晶扭转结构获ZL
据台湾《联合报》报道，台湾成功大学(以下简称成大)物理系副教授杨展其与前沿量子科技研究中心特聘教授陈宜君、陈则铭团队，提出并实证调控材料侧向磊晶扭转结构的方法，有助设计与调控量子材料的电子结构与晶体几何排列，开启调控磊晶薄膜制造的崭新方向，研究成果发表在国际期刊《自然·通讯》，其核心技术也已通过台湾ZL核可，正美国ZL审核中。 成大跨域研究团队于国际期刊《自然·通讯》发表论文，分享侧向扭曲同质磊晶结构的研究成果，期刊文章第一与共同第一作者分别为杨展其老师的博士后研究员吴秉骏与博士班学生魏嘉骏。 杨展其表示，近10年来，对于制作具有优异材料特性的高质量薄膜，磊晶技术扮演至关重要的角色。传统磊晶概念主要建立在材料的垂直堆叠，多数研究者皆致力于开发与调制垂直磊晶结构的功能性质，横向可扭转同质磊晶结构的制造与物性操控，尚未被实现在量子材料领域。 在新颖量子材料开发、控制侧向同质扭转磊晶结构的研究中，杨展其研究团队实证相同磊晶系......阅读全文
半导体技术再突破－台湾研发侧向磊晶扭转结构获ZL
据台湾《联合报》报道，台湾成功大学(以下简称成大)物理系副教授杨展其与前沿量子科技研究中心特聘教授陈宜君、陈则铭团队，提出并实证调控材料侧向磊晶扭转结构的方法，有助设计与调控量子材料的电子结构与晶体几何排列，开启调控磊晶薄膜制造的崭新方向，研究成果发表在国际期刊《自然·通讯》，其核心技术也已通过
非晶半导体的结构特点
非晶半导体与其他非晶材料一样，是短程有序、长程无序结构。我们以非晶硅为例，说明非晶半导体的结构。共价键晶体有确定的键长和键角，A原子近邻有4个Si原子，B原子除了和A原子形成一个共价键外，还与另外3个原子形成共价键，以虚线来表示。在不改变相邻两键间的键角情况下，可以绕AB轴旋转，以改变虚线联结的3个
非晶半导体的定义
非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体，非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构，组成原子的排列是短程有序、长程无序，键合力未发生变化，只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体，包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“链状”的S、Se、Te、As2Se3
粗晶，准晶，液晶，非晶，纳米晶的结构，特点
晶粒是另外一个概念，搞材料的人对这个最熟了。首先提出这个概念的是凝固理论。从液态转变为固态的过程首先要成核，然后生长，这个过程叫晶粒的成核长大。晶粒内分子、原子都是有规则地排列的，所以一个晶粒就是单晶。多个晶粒，每个晶粒的大小和形状不同,而且取向也是凌乱的,没有明显的外形,也不表现各向异性,是多晶。
共晶的结构共晶的结构是什么
共晶体是百分之100的原因是由一定共晶成分的熔液在一定共晶温度析出两种或两种以上的晶体所组成的混合体。混合体中各相以一定的形式相间排列，呈共晶组织晶体不是单一的相，通常由两种以上的相组成，相是指成分，晶体结构，性能都相同的东西。共晶体是共晶成分的合金，两组成相同时凝固而获得由两相细密混合物所构成的组
非晶半导体的产品分类
非晶半导体可按H.Fritzsche将非晶半导体分为三大类：1、共价非晶固体（1）四配位非晶薄膜Si，Ge，SiC，InSb，GaAs，GaSb…（2）四配位玻璃CdGen，As2，CdSixP2，ZnSixP2，CdSnxAs2…（3）孤对半导体a、元素和化合物：Se，S，Te，As2Se3，As
非晶半导体的产品特点
广义而言，凡不具有长程序的物质统称为非晶体，有时也称为无定形（Amorphous）。至今国际上对非晶态物质尚无统一的定义和提法，一般认为与其说“非晶态物质是什么什么”，不如说“非晶态物质不是什么什么”。因为非晶态中的无序不是单纯的混乱，而是残缺不全的秩序，即非晶态物质中还存在着某种程序的有序性，这就
非晶半导体的的应用特点
（1）晶体具有确定的融点，而非晶体由于元素间结合能不一以及原子位置的无规则性而存在一个软化温度范围（这就是玻璃的特点）；（2）晶体中由于原子排列的表面效果具有解理面，在无定形固体中则无之。而非晶体中络合原子闯成锁状结构，与同种晶体相比粘性强，抗张力好。因此加工性好，容易制成均质薄膜；（3）可以藉改变
半导体产业的根基：晶圆是什么？
在半导体的新闻中，总是会提到以尺寸标示的晶圆厂，如 8 寸或是 12 寸晶圆厂，然而，所谓的晶圆到底是什么东西？其中 8 寸指的是什么部分？要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢？以下将逐步介绍半导体最重要的基础——“晶圆”到底是什么。 何谓晶圆？ 晶圆（wafer），是制造各式电脑芯
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
半导体展会|2024上海硅晶圆展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
「官网」2025深圳13届国际半导体晶圆制造展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
「官网」2025深圳13届国际半导体晶圆制造展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
晶圆推力测试机半导体推拉力测试机
芯片推拉力测试机具有测试动作迅速、准确、适用面广的特点，被广泛应用于半导体封装、光通讯器材件封装、LED封装、COB/COG工艺测试、研究所材料力学研究、材料可靠性测试等应用领域。能满足包含有：金属、铜线、合金线、铝线、铝带等拉力测试、金球、铜球、锡球、晶圆、芯片、贴片元件等推力测试、锡球、Bump
射频PA在通信领域的作用及重要性－（三）
不同材料工艺的 PA 产业分工略有不同 普通硅工艺集成电路和砷化镓 / 氮化镓等化合物集成电路芯片生产流程大致类似，但与硅工艺不同的是化合物半导体制程由于外延过程复杂，所以形成了单独的磊晶产业。 磊晶是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技
「官网」2025深圳13届国际半导体晶圆制造工艺展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
元素半导体的结构
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。其导电能力介乎导体和绝缘体之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳（金刚石、石墨）、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体，但都尚未
扭转试验机结构及操作规范
主 机】材料扭转试验机采用卧式结构，主体结构采用整体加厚钢板结构，以保证整机的刚性;夹具采用合碳素钢45淬火(HR55～65)方式，寿命长;试样的安装拆卸方便、快捷。【驱动系统】全数字Testmart控制系统驱动;速度调节可调，加载均匀、稳定。【传动系统】采用精密减速器传动，保证传动的均匀、稳定及传
扭转试验机的原理结构介绍
扭转试验机是现在很多厂家都使用的一款试验仪器设备，今天我们来看一下扭转试验机的工作原理及其结构，更好的操作扭转试验机。 电动材料扭转试验机由机械、电器两大部分组成，它的工作原理是： 电动材料扭转试验机采用电动加载，左边传感器及传感器支座，可以左右移动，用来方便装夹试样；
扭转试验机的结构及原理
电子扭转试验机的主要功能就是为测试和检测各种扭转弹簧而设计制造的一种智能化多功能计量仪器。 具有操作简单,精度高、功能全、携带方便等特点。 扭矩传感器是用来测量扭矩力的，扭矩传感器一般用扭转试验机来标定，而扭转试验机是专门用来对试样施加扭矩，测定扭矩大小的设备。它的类型较多，结
侧向力显微镜
侧向力显微镜(Lateral force Microscope, LFM)LFM 的作用方式主要是使探针与样品表面相接触并在表面上平移，利用探针移动时所承受样品表面摩擦力以及样品表面高低起伏造成悬臂的偏斜量来探知样品的材质与表面特性。图6 的样品是在硅表面放置的单层Langmuir-Blod get
AFM的侧向力模式
侧向力模式 横向力显微镜（LFM）工作原理与接触模式的原子力显微镜相似。当微悬臂在样品上方扫描时，由于针尖与样品表面的相互作用，导致悬臂摆动，其形变的方向大致有两个：垂直与水平方向。一般来说，激光位置探测器所探测到的垂直方向的变化，反映的是样品表面的形态，而在水平方向上所探测到的信号的变化，由于物
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制
单晶炉：半导体晶圆制造的头道工序设备
半导体设备在整个半导体行业中扮演着重要的支撑角色。由于半导体制造工艺的复杂性，不同的工序需要不同的设备。从流程工序的分类来看，半导体设备主要可以分为晶圆制造设备（前道工序）和封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第一篇文章，主要介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉
单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备
半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制
砷化镓生产方式介绍
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种
双重纳米结构非晶碳薄膜问世
近日，中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室空间润滑材料组，在国际上首次制备了一种具有双重纳米结构的非晶碳薄膜材料。试验表明，该种薄膜材料具有极为优异的回弹性（弹性恢复系数高达95%），且在真空条件
砷化镓太阳能电池性能详解
砷化镓太阳能电池 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需
扭转试验机整机结构及操作方式
【主 机】材料扭转试验机采用卧式结构，主体结构采用整体加厚钢板结构，以保证整机的刚性;夹具采用合碳素钢45淬火(HR55～65)方式，寿命长;试样的安装拆卸方便、快捷。【驱动系统】全数字Testmart控制系统驱动;速度调节可调，加载均匀、稳定。【传动系统】采用精密减速器传动，保证传动的均匀、稳定及