晶体面缺陷的定义
由于晶体表面处的离子或原子具有不饱和键，有很大反应活性，表面结构出现不对称性，使点阵受到很大弯曲变形，因而能量比内部能量高，是一种缺陷。......阅读全文
晶体面缺陷的定义
由于晶体表面处的离子或原子具有不饱和键，有很大反应活性，表面结构出现不对称性，使点阵受到很大弯曲变形，因而能量比内部能量高，是一种缺陷。
晶体面缺陷的形成原因分析
（1）小角度晶界（镶嵌块）尺寸在10-6-10-8m的小晶块，彼此间以几秒到的微小（ ）角度倾斜相交，形成镶嵌结构，有人认为是棱位错，由于晶粒以微小角度相交，可以认为合并在一起，在晶界面是形成了一系列刃型位错。（2）大角度晶界，各晶面取向互不相同，交角较大，在多晶体中，晶体可能出现大角度晶界。在这种
基因缺陷的定义
中文名称基因缺陷英文名称gene defect定 义由于某种原因(如核苷酸的缺失或突变)导致基因不能行使正常功能的现象。应用学科生物化学与分子生物学(一级学科),基因表达与调控(二级学科)
非晶半导体的定义
非晶半导体又称无定形半导体或玻璃半导体，非晶态固体中具有半导电性的一类材料。具有亚稳态结构，组成原子的排列是短程有序、长程无序，键合力未发生变化，只是键长和键角略有不同。按键合力性质有共价键半导体，包括四面体的Si、Ge、SiC、ZnSn、GaAs、GaSb等，“链状”的S、Se、Te、As2Se3
免疫缺陷病的定义
免疫缺陷病（immunodeficiency diseases）IDD是一组由于免疫系统发育不全或遭受损害所致的免疫功能缺陷引起的疾病。
原发性免疫缺陷的定义
中文名称原发性免疫缺陷英文名称primary immunodeficiency定 义并非由感染、淋巴系统恶性肿瘤或药物等引起的继发性免疫缺陷，即由内因引起的免疫缺陷。应用学科免疫学（一级学科），概论（二级学科），免疫学相关名词（三级学科）
继发性免疫缺陷的定义
中文名称继发性免疫缺陷英文名称secondary immunodeficiency定 义指并非由于免疫系统T淋巴细胞、B淋巴细胞内源性缺失或衰竭所致的暂时或永久性的细胞功能性免疫缺陷。应用学科免疫学（一级学科），概论（二级学科），免疫学相关名词（三级学科）
液晶、晶相和液相的定义
液晶------处于液晶态的一种物质；晶相------长程周期性位置/平移有序相；液相------没有长程周期或取向有序的相；
免疫缺陷病的定义及类型
定义 免疫缺陷病（immunodeficiency diseases）IDD是一组由于免疫系统发育不全或遭受损害所致的免疫功能缺陷引起的疾病。 类型 有二种类型： ①原发性免疫缺陷病，又称先天性免疫缺陷病，与遗传有关，多发生在婴幼儿。 ②继发性免疫缺陷病，又称获得性免疫缺陷病，可发生在
免疫缺陷病的定义及类型
定义 免疫缺陷病（immunodeficiency diseases）IDD是一组由于免疫系统发育不全或遭受损害所致的免疫功能缺陷引起的疾病。 类型 有二种类型： ①原发性免疫缺陷病，又称先天性免疫缺陷病，与遗传有关，多发生在婴幼儿。 ②继发性免疫缺陷病，又称获得性免疫缺陷病，可发生在
关于人类免疫缺陷病毒的定义介绍
人类免疫缺陷病毒又称艾滋病病毒，是造成人类免疫系统缺陷的一种逆转录病毒。这一病毒会攻击并逐渐破坏人类的免疫系统，致使宿主在被感染时得不到保护。感染人类免疫缺陷病毒并且去世的人，往往死于继发感染或者癌症。而艾滋病是人类免疫缺陷病毒感染的最后阶段 。
晶体线缺陷的定义和形成原因
实际晶体在结晶时，受到杂质，温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击，切割等机械应力作用，使晶体内部质点排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶体的有序排列，形成线状缺陷。位错直观定义：晶体中已滑移面与未滑移面的边界线。这种线缺陷又称位错，注意：位错不是一条几何线，而是一个有一定宽度的管道
后天继发性免疫缺陷病的定义和分类
继发性免疫缺陷病是指发生在其他疾病基础上(如慢性感染)、放射线照射、免疫抑制剂长期地使用及营养障碍所引起的免疫系统暂时或持久的损害，所导致的免疫功能低下。继发性免疫缺陷病可以是细胞免疫缺陷，也可以是体液免疫缺陷，或两者同时发生。根据发病的原因不同可将继发性免疫缺陷分为两大类：继发于某些疾病的免疫缺陷
粗晶，准晶，液晶，非晶，纳米晶的结构，特点
晶粒是另外一个概念，搞材料的人对这个最熟了。首先提出这个概念的是凝固理论。从液态转变为固态的过程首先要成核，然后生长，这个过程叫晶粒的成核长大。晶粒内分子、原子都是有规则地排列的，所以一个晶粒就是单晶。多个晶粒，每个晶粒的大小和形状不同,而且取向也是凌乱的,没有明显的外形,也不表现各向异性,是多晶。
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、
华中科大发表光学晶圆缺陷检测领域系统综述
受SCIE期刊《极端制造》极端制造编辑部邀请，华中科技大学教授刘世元团队近日在该刊上发表了《10nm及以下技术节点晶圆缺陷光学检测》的综述文章，对过去十年中与光学晶圆缺陷检测技术有关的新兴研究内容进行了全面回顾。 随着智能终端、无线通信与网络基础设施、智能驾驶、云计算、智慧医疗等产业的蓬勃发展
什么是非晶纳米晶
非晶纳米晶是一种金属合金，但是由于其特殊的工艺将其变成了非晶态，所以非晶又被叫做玻璃金属。而纳米晶是是再非晶的基础上其尺寸大小为纳米级别，非晶纳米晶是非晶和纳米晶的混合体
具有纳米缺陷结构的BiSbTe－/非晶硼复合材料超高热电性能
AEnM： 基于Seebeck and Peltier效应，最先进的碲化铋热电材料能够直接和可逆地将热能转化为电能，在能量收集和固态冰箱方面有巨大的潜力。但是，它们的广泛使用受到转换效率低的限制，转换效率由无量纲的品质因数（ZT）决定。由于电导率和热导率相互依赖，显著提高ZT是一个巨大的挑战。
《自然》呼吁重新定义肥胖：BMI指标有缺陷
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510481.shtm
非晶纳米晶的应用领域
非晶纳米晶材料主要在航空航天领域使用，主要用作宇航员宇航服材料技术，用于应对外太空可能出现的各种不利环境，保护宇航员不受外界病菌侵害。
非晶纳米晶的应用领域
非晶纳米晶材料主要在航空航天领域使用，主要用作宇航员宇航服材料技术，用于应对外太空可能出现的各种不利环境，保护宇航员不受外界病菌侵害。
最纯砷化镓半导体面世
美国普林斯顿大学研究人员在《自然·材料》杂志报告称，他们研制出了世界上迄今最纯净的砷化镓。该砷化镓样品的纯度达到每100亿个原子仅含有一个杂质，纯度甚至超过了用于验证一千克标准的世界上最纯净的硅样品。 砷化镓是一种半导体，主要用于为手机和卫星等提供电力。新研究得到的砷化镓样品呈正方形，边长与一
共晶的结构共晶的结构是什么
共晶体是百分之100的原因是由一定共晶成分的熔液在一定共晶温度析出两种或两种以上的晶体所组成的混合体。混合体中各相以一定的形式相间排列，呈共晶组织晶体不是单一的相，通常由两种以上的相组成，相是指成分，晶体结构，性能都相同的东西。共晶体是共晶成分的合金，两组成相同时凝固而获得由两相细密混合物所构成的组
1000万毕业生待价而沽：想赚钱，还想体面
在讨论中国的“X世代”和“千禧一代”时，人们常常用“生在新中国，长在红旗下。走在春风里，准备跨世纪”作为他们一生的写照。 1965年至1980年出生的X世代把考上大学视为“鲤鱼跃龙门”，一张通知书便把穷小子变成同时代的凤毛麟角。每年毕业季都意味着一批大规模的阶级跃迁，直到1999年，毕业生还能
《自然》呼吁重新定义肥胖：BMI是一个有缺陷的指标
·BMI并不测量体脂，它也忽略了一些其他影响健康的因素，如年龄、性别和种族等，因此并不是所有BMI高的人都健康状况不佳或死亡风险更高。 ·由于BMI是根据白人的测量数据开发的，有色人种“不太适合这些参数”。与白人相比，BMI指数较低的亚洲人患心脏病等疾病的风险更大，这可能是由于体脂百分比和分布
晶相高聚物和非晶相高聚物的相关介绍
高聚物的性能不仅与高分子的相对分子质量和分子结构从结晶状态来看，线型结构的高聚物有晶相的和非晶相的。晶相高聚物由于其内部分子排列很有规律，分子间的作用力较大，故其耐热性和机械强度都比非晶相的高，熔限较窄。非晶相高聚物没有一定的熔点，耐热性能和机械强度都比晶相的低，由于高分子的分子链很长，要使分子
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2
其他仪器方面，本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式，装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域，扫描尺寸是90×90μm2，扫描
扫描式活体面积测量仪相关参数
产品资料 最大一次测量面积： 1000×150(mm) 相对误差： ≤±2% 分辨率： 1mm2 主机：170×135×60 外形尺寸： 探头：300×65×50(mm) 重量： 主机：1kg 探头：0.8kg 详细介绍 一、用途扫描式活体面积测量仪主要用于农业、气象、林业等部门测量植物