圆柱形锂离子电池封装特点及应用
圆柱形锂电池分为磷酸铁锂电池、氧化钴锂电池、磷酸锂电池、钴锰电池和三维材料。目前，Li-Fe-P电池的主要性能是体积大、输出电压高、电池充电周期好、输出电压稳定、充放电电流大、光催化性能稳定、操作温度高、环保。广泛应用于太阳能灯、草坪灯、电源储存、气动工具、玩具模型等。典型的圆柱充电电池由盖、阀、ptc组件、开放电流、密封圈、正相、负相、保护膜和外壳组成。1991年，日本索尼发明了第一种圆柱形锂离子电池。由于18650圆柱形锂电池历史悠久，市场覆盖率很高。圆柱形锂电池有许多规格，如14650、17490、18650、21700、26650等。圆柱形锂离子电池在日本和日本很流行。......阅读全文
锂离子电池的工作原理及特点
锂离子电池是指分别用二个能可逆地嵌入与脱嵌锂离子的化合物作为正负极构成的二次电池。电池充电时，阴极中锂原子电离成锂离子和电子，并且锂离子向阳极运动与电子合成锂原子。放电时，锂原子从石墨晶体内阳极表面电离成锂离子和电子，并在阴极处合成锂原子。锂离子电池是金属锂蓄电池的替代产品，电池的主要构成为正极、负
DIL集成电路的封装特点
DIL(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
QFP集成电路的封装特点
QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
QTCP集成电路的封装特点
QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
QIC集成电路的封装特点
QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
SOW集成电路的封装特点
SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
FP集成电路的封装特点
FP(flat package)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
QFI集成电路的封装特点
QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。
PAC集成电路的封装特点
PAC(pad array carrier)凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
PCLP集成电路的封装特点
PCLP(printed circuit board leadless package)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。
LQFP集成电路的封装特点
LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
MQFP集成电路的封装特点
MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
SQL集成电路的封装特点
SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
SOI集成电路的封装特点
SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
QIP集成电路的封装特点
QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
SIL集成电路的封装特点
SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
SMD集成电路的封装特点
SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
MSP集成电路的封装特点
MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
QFN集成电路的封装特点
QFN(quad flat non-leaded package)集成电路四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。90年代后期多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时
SOP集成电路的封装特点
SOP(small Out-Line package)小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，SO
SIMM集成电路的封装特点
SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的
SOIC集成电路的封装特点
SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
MCM集成电路的封装特点
MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以
DSO集成电路的封装特点
DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
COB集成电路的封装特点
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
PFPF集成电路的封装特点
PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
DFP集成电路的封装特点
DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。
JLCC集成电路的封装特点
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
BGA集成电路的封装特点
BGA(ball grid array)集成电路球形触点阵列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按阵列方式制作出球形凸点用 以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点阵列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得
CQFP集成电路的封装特点
CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引