新型低功函金属粉末可辅助氮化的合成
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员章福祥团队开发了一种低功函金属粉末辅助氮化的合成新方法，实现了在低温、短时间内高效氮化合成基于d0区金属元素的窄带隙金属氮氧化物半导体材料。基于该合成路线，团队有效降低了大部分金属氮氧化物的缺陷密度，并提升了相应材料的光催化性能。此外，采用该氮化路线实现了对SrTiO3和Y2Zr2O7等材料的高浓度氮掺杂，大幅减小其带隙，拓展了氮氧化物半导体光催化材料的开发边界。相关成果发表在《先进材料》上。宽光谱捕光催化材料设计合成是实现太阳能高效光—化学转化基础，其吸收带边越宽则太阳能转化理论效率越高。大连化物所长期致力于具有较宽可见光利用的新光催化材料开发，先后设计合成了氮氧化物、含氧酸盐、金属有机框架类和金属氮卤化物半导体材料等20余例不同类型、具有我国自主知识产权的新材料，在光催化分解水制氢方面展现了良好潜力。在团队前期氮氧化物设计合成基础上，为解决传统氮化路线氮化动力学慢、氮化产物缺陷密度高等......阅读全文
新型低功函金属粉末可辅助氮化的合成
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员章福祥团队开发了一种低功函金属粉末辅助氮化的合成新方法，实现了在低温、短时间内高效氮化合成基于d0区金属元素的窄带隙金属氮氧化物半导体材料。基于该合成路线，团队有效降低了大部分金属氮氧化物的缺陷密度，并提升了相应材料的光催化性能。此外，采用该氮化路线实现了对S
我所开发出金属辅助氮化合成宽光谱捕光催化材料新方法
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202305/t20230515_6754713.html 近日，我所太阳能研究部太阳能制储氢材料与催化研究组（DNL1621组）章福祥研究员团队开发了一种低功函金属粉末（Mg、Al、Zr等）辅助氮化的合成新方法，实现了在
大化所开发金属辅助氮化合成宽光谱捕光催化材料新方法
近日，我所太阳能研究部太阳能制储氢材料与催化研究组（DNL1621组）章福祥研究员团队开发了一种低功函金属粉末（Mg、Al、Zr等）辅助氮化的合成新方法，实现了在低温、短时间内高效氮化合成基于d0区金属元素（Ta、Zr、Ti等）的窄带隙金属氮氧化物半导体材料。基于该合成路线，团队有效降低了大部分金
纳米金属粉末的特点有什么
纳米金属粉末的特点：1.高效催化剂：纳米粉末所具有的高活性、比表面积大的特点使其常适于用作为催化剂。实验研究表明，纳米钴粉、粉、锌粉等具有极强的催化效果。利用这些纳米粉末制成的催化剂在一些有机物的化学合成方面，催化效率比传统催化剂要高出数十倍，可用于有机物氢化反应、汽车尾气处理等。（纳米钴粉，纳米镍
振动筛筛分金属粉末的方法
金属粉末属于松散状物质，其性能综合反映了金属本身的性质和单个颗粒的性状及颗粒群的特性。一般将金属粉末的性能分为化学性能、物理性能和工艺性能。化学性能是指金属含量和杂质含量。物理性能包括粉末的平均粒度和粒度分布，粉末的比表面和真密度，颗粒的形状、表面形貌和内部显微结构。 工艺性能是一种综
金属和非金属粉末的特性怎么测
粉体综合特性测试仪可以应用在各大药厂、院校等对粉体物理特性研究有需求的企业。测量粉体的物理特性，性对粉体加工、输送、包装、存储等方面的工作具有重要意义。该仪器的研制成功，为科研、 工业生产等领域评价粉体综合特性测试工作的普遍开展提供了一个新的手段。功能与简介（1）振实密度、松装密度、安息角、抹刀角
氮化铟－用途简介
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使Chemicalbook得氮化铟相对于氮化铝(AlN)
氮化铟制备方法
步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜；步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台；步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空；步骤S4、在所述介电凸台及衬底上Chemicalbook生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的
氮化铬生产方法
生产方法1.将低碳铬铁在真空加热炉于1150℃氮化得到粗氮化铬铁，再经硫酸处理，除去铁杂质。经过滤、水洗、干燥，即得氮化铬。也可由氨和卤化铬反应制得。2.将高纯度电解铬粉末，在150mmHg(1mmHg=133.322Pa)柱的氮气流中，于1060℃下加热160h之后，排出氮气并进行急冷，则制得Cr
探讨金属粉末快速水分测定仪的具体原理
一、技术指标: 1、称重范围：3-110g 2、水分测定范围：0.00%-100% 3、称重zui小读数：0.01g 4、样品质量：3-110g 5、加热温度范围：起始-199℃ 6、水分含量可读性：0.01%7、显示参数：7种 8、通讯接口：RS 232 9、外型尺寸：380×205×325(mm
金属粉末快速水分测定仪－卤素水分测定仪
一、技术指标: 1、称重范围：3-110g 2、水分测定范围：0.00%-100% 3、称重小读数：0.01g 4、样品质量：3-110g 5、加热温度范围：起始-199℃ 6、水分含量可读性：0.01%7、显示参数：7种 8、通讯接口：RS 232 9、外型尺寸：380×205×325(mm) 1
氮化铟的基本特性
利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度
氮化铝的应用历史
氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为70-210W‧m−1‧K−1，而单晶体更可高达275W‧m−1‧K−1)，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮
氮化铟的应用特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。