国外开发出可使用多种中子源的半导体软错误率评估方法
由日本京都大学科研人员负责的产学协同软错误研究团队，开发了一种可使用不同中子源获取半导体软错误率的方法。 软错误率一般通过在地面上再现宇宙射线环境的特殊中子源进行实验评估。而该方法则是通过将任意中子源的1个测量结果和数值模拟进行组合求得软错误率。科研人员使用来自3个设施的7种类型中子源的测量值和高能粒子与重离子运动分析代码程序PHITS（Particle and Heavy Ion Transport code System）评估软错误率，验证了该方法的有效性。采用这种方法，科研人员可以使用大量的通用中子源来评估软错误率，满足日益增长的软错误率评估需求。相关研究成果发表于国际学术期刊《IEEE Transactions on Nuclear Science》。......阅读全文
半导体所揭示半导体界面电荷转移机理
与传统的太阳能电池相比，染料敏化太阳能电池具有原材料丰富、生产过程中无毒无污染、生产成本较低、结构简单、易于制造、生产工艺简单、易于大规模工业化生产等优势，在清洁能源领域具有重要的应用价值。在过去二十多年里，染料敏化太阳能电池吸引了世界各国众多科学家的研究，在染料、电极、电解质等各方面取得了很大
什么是半导体材料？常见半导体材料有哪些？
半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1
散裂中子源出束记：小中子有大能量
8月底的一个上午，在广东东莞国家大科学工程——中国散裂中子源靶站谱仪控制室中，工程总指挥兼工程经理陈和生发出指令，从加速器引出的质子束流首次打向金属钨靶。 一眨眼的功夫不到，科研人员便从6号和20号中子束线测量到两个慢化器输出的中子能谱，散裂中子源顺利获得中子束流。至此，中国首个散裂中子源主
中国散裂中子源高分辨中子衍射仪出束
高分辨中子衍射仪是我国首台超高分辨中子粉末衍射仪，具备国际先进的超高分辨能力。7月3日，中国散裂中子源（CSNS）高分辨中子衍射仪成功出束，开始带束调试，标志着高分辨中子衍射仪设备研制的成功。谱仪样品位置处的中子飞行时间谱。缪平 供图记者获悉，高分辨中子衍射仪由散裂中子源科学中心与北京大学深圳研究生
中国散裂中子源多物理谱仪成功出束
中国散裂中子源多物理谱仪成功出束 据《科技日报》报道，1 月 26 日 8 时 39 分，中国散裂中子源（CSNS）多物理谱仪成功出束，中子束流与预期相符。多物理谱仪是散裂中子源科学中心、东莞理工学院和香港城市大学共同建设的国内首台中子全散射谱仪，也是 CSNS 第一台合作谱仪。该谱仪的成功出
升级！中国散裂中子源二期工程启动
3月30日，国家重大科技基础设施中国散裂中子源二期工程启动。中国散裂中子源位于广东省东莞市，由中国科学院高能物理研究所建设运行，是我国首台异地建设的大科学装置。2018年，中国散裂中子源一期工程建成，成为我国第一台、世界第四台脉冲式散裂中子源装置，现已运行5年多。按计划，二期工程将以5年9个月工期，
我国散裂中子源将于明年5月破土动工
陈和生院士：大科学装置建造推动高新技术发展 “今天来了63个单位，每个单位都有1到5项新研制技术。整个BEPCII产生了几百项新研制技术，有力地促进了我国相关高新技术的发展。”中国科学院高能物理研究所所长、中国科学院院士陈和生在接受《科学时报》采访时表示。 10月19日，中科院高能物理研
散裂中子源建设－契合大湾区产业发展所需
“当初作出从北京到广东的决定是艰难的，今天看来这无疑是正确的选择。东莞和粤港澳大湾区非常适合干事创业，而散裂中子源所从事的基础与应用基础研究，正契合粤港澳大湾区产业发展所需。”近日，陈延伟如是说。作为中国科学院高能物理研究所副所长、东莞研究部主任，同时担任散裂中子源科学中心主任的陈延伟已经在广东东莞
散裂中子源建设：契合大湾区产业发展所需
“当初作出从北京到广东的决定是艰难的，今天看来这无疑是正确的选择。东莞和粤港澳大湾区非常适合干事创业，而散裂中子源所从事的基础与应用基础研究，正契合粤港澳大湾区产业发展所需。”近日，陈延伟如是说。 作为中国科学院高能物理研究所副所长、东莞研究部主任，同时担任散裂中子源科学中心主任的陈延伟已经在广
中国散裂中子源首次打靶成功获得中子束流
质子束流第一次打靶在6号束线测量的中子飞行时间谱 8月28日，位于广东东莞的国家大科学工程——中国散裂中子源（CSNS）首次打靶成功，获得中子束流。这是工程建设的重大里程碑，提前实现了今年秋天首次获得中子束流的目标，向党的十九大献礼。这标志着CSNS主体工程顺利完工，进入试运行阶段。预计2018年
中国散裂中子源完成首批港澳地区用户实验
中国散裂中子源（CSNS）自2018年下半年正式运行以来，全面推进大科学装置的开放共享，吸引了国内外大量的科研与工业用户开展中子散射实验研究，助推粤港澳大湾区国际科技创新中心建设。利用装置毗邻港澳的独特地理位置，CSNS大力加强与港澳地区研究机构的合作。2019年1月，来自香港大学、香港城市大学
“国之重器”散裂中子源曾难觅落户之地
编者按 近20年前，作为“国之重器”的散裂中子源因为“不产生GDP、也不交税”，一度没有地方愿意让其落户；如今，随着国家大力推动科技创新，推动重大科技装置的建设，有些地方出现另外一种倾向：低水平的重复建设。 对此，中科院院士、中国散裂中子源工程总指挥陈和生警示，要避免重大科技基础设施建设出现
东莞：依托散裂中子源－打造创新驱动发展新高地
中科院高能物理研究所副所长陈延伟向记者介绍散裂中子源情况。 国家重大科技基础设施工程项目——中国散裂中子源（CSNS）进展顺利，不久前已通过中国科学院组织的工艺鉴定和工艺验收。 位于广东东莞大朗镇的中国散裂中子源是我国首台、世界第四台脉冲型散裂中子源，填补了国内脉冲中子应用领域的空白，建成后
我国首台脉冲型散裂中子源如何工作？专家解答
作为世界第四台、我国第一台脉冲型散裂中子源，中国散裂中子源犹如一台“超级显微镜”，利用产生的大量中子为探针，研究物质材料的微观结构。从高铁车轮的寿命长短到电动汽车的电池性能，近年来，科研人员依托这台“显微镜”，在能源、物理、材料等领域取得了一批科技创新成果，悄悄改变了人们的生活。在中国散裂中子源产生
半导体设备展会|2024上海国际半导体扩散设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体设备展会|2024上海国际半导体单晶炉展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体展会|2024上海封装基板半导体材料与设备展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体设备展会|2024上海国际半导体清洗设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体设备展会|2024上海国际半导体测试设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体设备展会|2024上海国际半导体氧化设备展览会「上海半导体展」
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
半导体封装展2024中国上海半导体封装测试展览会「半导体展会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
什么是半导体？
半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
半导体参数仪
半导体参数仪是一种用于物理学领域的科学仪器，于2015年9月17日启用。 4200-SCS/F半导体特性分析系统主机，2个高分辨率中功率SMU 最大电流100mA，最大电压200V，最大功率2W 4200-SMU高分辨率中功率SMU（源测量单元） 最大电流100mA；最大电压200V；最大功能
半导体的特性
半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。 1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体zui显著、zui突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特
半导体电学测量
对于半导体材料的电阻率，一般采用四探针、三探针和扩展电阻。 四探针法是经常采用的一种，原理简单，数据处理简便。测量范围为10-3-104 防 米， 能分辨毫米级材料的均匀性，适用于测量半导体材料、异型层、外延材料及扩散层、离 子注入层的电阻率，并能够提供一个迅速的、不破坏的、较准确的测量
解析半导体晶闸管
认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构，形成三个PN结，分别称：阳极，阴极和控制极。图 晶闸管的结构晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接
半导体的原理
首先是半导体是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体是指具有可控导电性的材料，范围从绝缘体到导体。从科学技术和经济发展的角度来看，半导体影响着人们的日常工作和生活，直到20世纪30年代，这种材料才得到学术界的认可。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。硅是最有影响力的半导体材料之一。其次是
AFM测半导体
半导体加工通常需要测量高纵横比结构,像沟槽和孔洞,确定刻蚀深度。然而如此信息用SEM 技术是无法直接得到的,除非将样品沿截面切开。AFM 技术则恰恰弥补了SEM 的这一不足,它只扫描试样的表面即可得到高度信息,且测量是无损的,半导体材料在测量后即可返回到生产线。AFM 不仅可以直观地看到光栅的形貌,
半导体展会丨2024年上海半导体展－点击咨询
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
2024北京国际半导体展览会|北京半导体展
2024中国（北京）国际半导体展览会时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）地点：北京 · 北人亦创国际会展中心2024中国（北京）国际半导体博览会”将于2024