氧化铪基铁电存储材料研究取得进展
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技术节点不兼容、擦写次数受限等问题。这一问题是基于o相HfO2基铁电材料的本征特性，难以通过传统的优化工艺加以解决。因此，探寻结构稳定且具有低翻转势垒的HfO2基铁电材料是亟待解决的难题。 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与物理研究所研究员杜世萱团队，发现了稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构。这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。研究通过基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计......阅读全文
官网2024全球存储器芯片(深圳)博览会
参展申请:2024深圳半导体展会 2024深圳国际半导体展火热招商中 深圳半导体展|半导体芯片展会|半导体材料设备展览会 2024中国(深圳)国际半导体展览会 2024中国深圳半导体展会|半导体材料与设备制造展 深圳·2024半导体博览会 深圳半导体显示博览会2024_官网 深圳半导体展|2
高维固态量子存储器研制成功
中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室李传锋研究组，在固态系统中首次实现对三维量子纠缠态的量子存储，保真度高达99.1％，存储带宽达1千兆赫，存储效率为20％，而且该存储器具有对高达51维的量子态的存储能力。该成果发表在近日物理学国际权威期刊《物理评论快报》上。 远程量子纠缠
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
2024上海国际存储器展「时间/地点/展览馆」
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日【指导单位】中国电子器材有限公
《组委会》「通知」芯片展2025深圳国际存储器芯片展
2025深圳半导体展暨中国电子信息博览会（CITE）即将于4月9日至11日在深圳会展中心盛大开幕。本届博览会以“深化交流与合作，推动产业创新发展”为主题，通过九大展馆的全面展示，为全球半导体行业带来一场交流与合作的盛宴。本届展会将重点打造半导体产业链馆和新型显示及应用馆，全面展示IC设计、半导体材料
关于2024上海国际存储器展览会开展通知|
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
高性能铁电畴壁信息存储器新方法
华南师范大学华南先进光电子研究院教授高兴森团队联合南京大学教授刘俊明等，提出了一种构筑高性能铁电畴壁信息存储器的新方法。相关研究近日发表于《先进材料》。 随着人工智能和大数据等新兴领域的发展，人们对高性能信息技术的需求也日益增长。然而，在当前器件持续微型化的趋势下，传统的信息载体和技术途径在不久
存储器老化测试系统ITT－B3000ES共享
仪器名称：存储器老化测试系统-IT&T B3000ES仪器编号：18026683产地：156生产厂家：IT&T CO.,Ltd型号：B3000ES出厂日期：购置日期：2018/10/25所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>高精尖放置地点：荷清大厦高精尖一层实验室固定电话：固定手机：15510039
碳纳米管有望实现存储器微型化
耗电量极低 能以高速记录信息 英国科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。 自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器
上海微系统所团队在超导存储器件研究取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员陈垒、王镇提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件，发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系。研究结果以Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-D
这种新材料为什么能实现稳定波导光存储器
近日，来自中国科技大学量子信息研究所的研究人员们报告了在151Eu3+:Y2SiO5晶体中使用飞秒激光微加工制作II型波导，并验证了基于该波导的光量子存储器的可靠性。图：实验装置示意图。主激光束被分成两部分，分别作为制备模式、控制模式和输入模式。输入模式可以通过自旋波AFC方案中的输入1模式注入
物理所等在阻变存储器研究中取得进展
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态（高阻态和低阻态）之间的互相转换来实现数据存储的，具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前，对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理，如导
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
中国学者提出开发新型能源存储器件新方案
开发兼具机械柔性、高能量密度和优异安全性的微型储能器件，对于当前可穿戴电子器件的发展具有重要意义。其中，相比较于锂电池和微型超级电容器，锌空电池具有高能量密度、环境友好及低成本等优势，但其空气阴极上发生的四电子氧还原反应较为迟缓，导致其功率密度低并影响其循环稳定性，严重限制了其实际应用。
中国学者提出开发新型能源存储器件新方案
开发兼具机械柔性、高能量密度和优异安全性的微型储能器件，对于当前可穿戴电子器件的发展具有重要意义。其中，相比较于锂电池和微型超级电容器，锌空电池具有高能量密度、环境友好及低成本等优势，但其空气阴极上发生的四电子氧还原反应较为迟缓，导致其功率密度低并影响其循环稳定性，严重限制了其实际应用。
我国科研人实现碳纳米管光电传感存储器件
电荷耦合器件（CCD）与电荷存储器件（Memory）作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展，同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心联合中国科学院苏州纳米技术研究所、吉林大学，于《先进材料》在线发表了题
陈彧等发现石墨烯有望为信息存储器“大限”解围
很多人都知道，摩尔定律揭示了信息技术神话一样的发展速度；但很多人不知道的是，2018年，以硅基材料为基础的信息存储技术将面临发展“大限”。华东理工大学特聘教授陈彧带领的课题组最近发现，石墨烯材料能有效拓展信息存储空间，从而在以石墨烯为基础的新型有机高分子信息存储材料研究领域取得重大进展。研
中国科大实现独立量子存储器间的远距离纠缠
中国科学技术大学潘建伟院士及其同事包小辉、张强等，将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合，采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果以编辑推荐的形式发表于《物理评论快报》。量子存储节点分布示意图 中国科大供图量子网络的基本单元是远距离双节点纠缠。通过
上海微系统所三维存储器设计取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transaction
2025深圳数据展|2025深圳NAS网络存储器展览会
2025深圳国际数据中心展览会 Shenzhen International Data Center technology and Equipment Exhibition 参展咨询：021-5416 3212 大会负责人：李经理 136 5198 39782025年4月9-11日参展咨询：02
深圳威固特存储器单槽超声波清洗机
存储器属于电子电器行业类的产品，也是如今现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。 对于此类型产品在生产过程中常见的问题则是焊料、油渍、松脂、防腐剂、石蜡、氧化物、锈残留于表面。 而超声波清洗机的清洗效率已是众人得知的。 威固特单槽超声波清洗机使用单相220V电源，可不间断工作
“半导体相变存储器”等三个项目结题验收
上海市科学技术委员会、中国科学院前沿科学与教育局： 重大科学研究计划“半导体相变存储器”等3个项目（项目清单见附件）实施期满，根据《国家重点基础研究发展计划管理办法》的要求，应进行结题验收。结题验收工作分为课题验收和项目验收两个阶段。课题验收由项目首席科学家会同项目依托部门组织，于10月20日
IBM科学家用12个原子制成世界最小磁存储器
IBM研究中心的科学家成功展示了仅利用12个原子进行计算机信息“0”和“1”的存储，即一个比特位。目前的磁盘驱动器需要动用上百万个原子来存储一个比特位。传统磁盘使用铁磁材料进行数据存储，一个比特位内所有原子的自旋方向相同，用同一磁化方向来表示“0”或“1”。然而，铁磁材料在尺寸方面遇到
我国团队首次实现独立量子存储器间的远距离纠缠
记者7日从中国科学技术大学获悉，该校潘建伟及其同事包小辉、张强等，将长寿命冷原子量子存储技术与量子频率转换技术相结合，采用现场光纤在相距直线距离12.5公里的独立量子存储节点间建立纠缠。相关研究成果以编辑推荐的形式日前发表在《物理评论快报》上。 量子网络的基本单元是远距离双节点纠缠。通过采用量子存
研究团队发现铁硅化合物可用作非易失性存储器材料
日本东京大学与理化学研究所、东北大学、原子能研究机构等合作研究，成功地将自然界存储丰富的铁硅化合物应用于不使用电源也能保持记忆的“非挥发性存储”信息记忆技术。研究发现，铁硅化合物的表面与晶体内部不同，具有与磁铁相同性质，可通电。这一成果将有助于电子器件的省电化和高功能化。 以前，铁硅化合物因结
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作，研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。 存算一体及
长鑫存储最新专利：半导体结构及其制作方法、存储器
据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“，公开号CN117320438A，申请日期为2022年6月。 专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存