SiC同质外延厚度分析
钝化层分析 钝化层作为保护层、绝缘层或抗反射层，在半 导体材料中扮演着重要的角色。 VERTEX 系列 光谱仪是分析钝化层的理想工具，它可以实 现快速灵敏的无损分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层 e35ad9b02ad0365623d91e444b4bbc4f.jpg 厚度分析 VERTEX 系列光谱仪可用于测量半导体层状结构 中的层厚度，精度极高。此应用是基于对红外光 在层状结构中产生的光干涉效应的分析，可用于 亚微米量级至毫米量级的厚度分析。 用反射或透射实验分析层厚度。 专用的分析软件，用于分析复杂的层状结构。 可选薄膜扫描成像附件，可测量直径至12”的 硅晶片。 c530d2bc4d39c0072b0c13fd4eb344f6.jpg ......阅读全文
SiC同质外延厚度分析
钝化层分析 钝化层作为保护层、绝缘层或抗反射层，在半 导体材料中扮演着重要的角色。 VERTEX 系列 光谱仪是分析钝化层的理想工具，它可以实 现快速灵敏的无损分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等离子层和Si-O基钝化层 分析超低K层
基于简单的支架的多片4HSiC化学气相沉积同质外延生长
虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。在这项工作中，我们展示了一种简便的方法，通过自制的常规单晶片化学气相沉积设备，在没有大型基座的情况下，在简单的支架上放置
通过氯化氢化学气相沉积法对厚4HSiC薄膜同质外延生长...
通过氯化氢化学气相沉积法对厚4H-SiC薄膜同质外延生长的工艺优化 通过氯化氢化学气相沉积法对厚4H－SiC薄膜同质外延生长的工艺优化本篇文章中提出了一种通过氯化氢化学气相沉积（HCVD）在4°切割基板上快速同质外延生长厚的4H－SiC薄膜的工艺优化方法。所使用的气体是HCl与SiH4，C2H
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高
美科学家发明新同质外延自旋电子石墨烯隧道装置
美国海军研究实验室（NRL）的科学家们已经发明出一种新型室温条件下电子隧道装置，这种装置包括的隧道势垒和传输信道都是由石墨烯构成的。这种功能化的同质外延装置为自旋电子学石墨烯器件的实现提供了一个简练的方法。其研究结果发表在杂志ACS纳米研究报告。 海军实验研究所表明氢化石墨烯是以氢原子结束的
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
傅里叶红外光谱仪在第三代Sic半导体应用
据消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视，不少半导体厂商已率
“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目中期检查进行
近日，“战略性先进电子材料”重点专项管理办公室（简称“专项办”）组织专家在苏州对“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目进行了中期检查。 会上，专项办根据国家重点研发计划相关管理办法对中期检查提出了要求。专家组听取了项目负责人的工作汇报，审阅了相关技术和财务资料，考察了实施现场，经讨论质询后认
我国学者成功制备超薄碲薄膜及其面内pn结构筑
碲，英文名tellurium，源自拉丁文tellus（意为地球），是自然界中能稳定存在的最重的硫族元素。碲在单质和化合物中具有较强的自旋轨道耦合效应，其化合物是许多新奇物理现象的载体。近期，有关碲结构和性质的理论与实验研究正在引起研究人员的关注。图1 碲晶体结构及碲薄膜原子结构示意图。 最近，
分子束外延（MBE)
分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂，要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看，当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体，而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，最近正转向针对Si半导体器件的应用
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
SiCLED研究中取得进展－为我国SiC产业注入新活力
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
第三代半导体有望写入下月十四五规划－成国产替代希望
近日，有媒体报道称，权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化，从第一代、
石墨烯怎么制作
石墨烯制作方法：一、机械剥离法机械剥离法是利用物体与石墨烯之间的摩擦和相对运动，得到石墨烯薄层材料的方法。这种方法操作简单，得到的石墨烯通常保持着完整的晶体结构。2004年，英国两位科学使用透明胶带对天然石墨进行层层剥离取得石墨烯的方法，也归为机械剥离法。二、氧化还原法氧化还原法是通过使用硫酸、硝酸
分子束外延（MBE）装置
MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的超高真空与清洁。 根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样： (1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
单晶半导体材料的制备方法
具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶
单晶半导体材料的制备方法
为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较
应力诱导曲率对4HSiC－MOS平带电压和界面态密度的影响
碳化硅（SiC）上的栅氧化膜会严重影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能。本文作者通过电容 － 电压（C－V）测试研究了应力／应变引起的曲率对栅氧界面态密度（Dit）的影响。外延晶片的曲率通过薄膜应力测量系统进行测试。在干热氧化过程中，压缩／拉伸曲率导致SiO2
SIC2016“药品分析检测技术及其发展论坛”邀请函
“科学仪器服务民生学术大会（SIC2016）”— “药品分析检测技术及其发展论坛” 邀 请 函 各有关单位： 中国仪器仪表学会主办的“第27届中国国际测量控制与仪器仪表展览会（MICONEX2016）”将于2016年9月21日-24日在北京.中国国际展览中心(新馆)隆重
SIC2016“药品分析检测技术及其发展论坛”邀请函
“科学仪器服务民生学术大会（SIC2016）”— “药品分析检测技术及其发展论坛” 邀 请 函 各有关单位： 中国仪器仪表学会主办的“第27届中国国际测量控制与仪器仪表展览会 （MICONEX2016）”将于2016年9月21日-24日在北京.中国国际展览中心(新馆)隆重举行,同期举办
碳化硅－(SiC)：历史与应用
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用。利用当代技术，人们已使用SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。这些陶瓷
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方
分子束外延（MBE）的特点
（1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长超晶格材料。 （2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。
分子束外延要点解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)简介 在超高真空环境下， 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ，以分 子束的形式射向衬底 ，进行外延生长， 故此而得名。
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
石墨烯主要制备方法
1、微机械剥离法方法：用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。缺点：产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，不能满足工业化需求。
基体厚度
磁性测厚仪测量精度不准因素有哪些？磁性测厚仪测量精度不准因素主要有：基体金属磁性、基体厚度、边缘效应、曲率、表面粗糙度、外界磁场、附着物质、测头压力、测头位置、试样的变形等。⒈ 基体金属磁性磁性法测厚受基体金属磁性变化的影响（在实际应用中，低碳钢磁性的变化可以认为是轻微的），为了避免热处理及冷加工因
什么是同质结与异质结
1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半
影响分子束外延（MBE）的因素
1、外延温度 为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。 2、基片结晶的臂开 在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制