苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
近年来，大数据、互联网和人工智能的快速发展，对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一，可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息，兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发，人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关注，有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。 GaN基纳米柱具有表面体积比大、稳定性高和能带连续可调等优势，但能否作为理想材料制备人工突触器件以用于低功耗地模拟生物突触特性，这是值得研究的问题。近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙团队在前期纳米柱相关工作的基础上，研发了基于GaN基纳米柱/石墨烯异质结的人工突触器件。实验证明，在光刺激下该器件能够有效模拟神经突触特性，包括记忆特性、动态的“学习-遗忘”特性和光强依赖特性，可实现从短期记忆（STM）到长期记忆特性（LTM）的转变（图1）。相关成果以Realize l......阅读全文
苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展
近年来，大数据、互联网和人工智能的快速发展，对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一，可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息，兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发，人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的
苏州纳米所携手上海三鑫开展氮化镓基蓝光激光器研究
签约仪式 1月15日，在上海市科委的支持和双方前期深入的沟通下，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与上海三鑫科技发展有限公司就共同开展“氮化镓基蓝光激光器工程化技术”项目正式签约。所长杨辉代表苏州纳米所与三鑫公司副总经理戴立勇签订了合作协议。 激光显示被认为是继黑白、彩色、数字显
氮化镓半导体材料光电器件应用介绍
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
真空互联技术可实现新型半导体材料和器件创新
日前，由中科院苏州纳米所牵头承办的第608次香山科学会议在苏州举行，来自国内外的40多位专家学者参会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质集成与界面调控”，中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海担任本次大会的执行主席。 半导体与集成电路在人类社会各领域的应用
蓝绿光半导体激光器将国产化
记者1日从中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所（以下简称中科院苏州纳米所）获悉,该研究所与多家企业合作,成立了国内首家氮化镓基蓝绿光半导体激光器材料和器件生产企业。 这意味着,被国外垄断的蓝绿光半导体激光器将实现国产化。 氮化镓基蓝绿光半导体激光器是第三代半导体材料的重要方向。尽管目前它在市场
苏州纳米所薄膜光伏器件机理研究获进展
薄膜光伏器件由于其低成本、高效率、易加工和柔性便携等优点，被认为是最具应用前景的新型太阳能电池，因而受到广泛研究和关注。 光伏器件内部的能级排布如何影响器件工作机理，例如光生载流子的分离、输运、复合和收集等基本过程，从而决定器件的能量转换效率是领域里的一个研究热点。但是，目前还没有很好的方法来
苏州纳米所－柔性可穿戴电子器件取得进展
当前人工智能快速发展，各种类人功能智能机器人层出不穷，触觉感知是人类和未来智能机器探索物理世界的基础性功能之一，发展具有触觉功能的仿生电子皮肤柔性感知器件，并实现器件与柔软组织间的机械匹配性具有重要的科学意义和应用价值。图片来源于网络 近日，受指纹能够感知物体表面纹理的启发，中国科学院苏州纳米
苏州纳米所与苏州大学共建功能纳米材料与器件重点实验室
7月5日上午，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与苏州大学联合共建的功能纳米材料与器件重点实验室揭牌成立。 功能纳米材料与器件重点实验室以苏州纳米所和苏州大学现有的重点实验室为基础，瞄准国家重大需求，开展高水平功能纳米材料与器件的基础研究和应用基础研究，围绕“功能纳米材料的设计与可控制备”
苏州纳米所铜基硫化物纳米晶研究取得进展
铜基硫化物纳米晶作为重要的半导体材料，在光电、传感以及能源转换等领域受到了广泛的关注。近年来，研究发现非化学计量比Cu2-xS纳米晶在近红外区表现出强烈的等离子共振吸收性质，且这种独特的光学性质可通过晶体中的缺陷密度及颗粒尺寸、形貌加以调控，从而使得它在生物医药领域有极佳的应用前景。 近年来，
苏州纳米所徐科研究员获“求是杰出青年成果转化奖”
日前，第十三届中国科协“求是杰出青年成果转化奖”揭晓。 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员等5人因其既注科学研究、又积极推动科研成果转化为现实生产力、取得了明显的经济效益和社会效益、在广大青年科技工作者中起到了良好的榜样作用获得了第十三届中国科协“求是杰出青年成果转化奖”。
苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破
随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点
苏州纳米所离子选择通道原型器件研究取得新进展
苏州纳米所离子选择通道原型器件研究取得新进展 利用人工纳米管道对特定离子实现高效筛选一直是学术界和产业界的梦想，其直接应用之一就是将海水中的盐离子和水分离；对具有离子选择性的纳米管道的原型器件（即基于纳米微流体的“p-n”结）研究也是对突破传统“p-n”结纳米器件的重要探
氮化镓衬底晶片实现“中国造”
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓（GaN）衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司（以下简称苏州纳维）的主打产品。 “不会游泳的
氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究获进展
随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损耗加剧和信号源输出功率降低等问题，使系统对高精度、低损耗、大视场的波束控制器件提出严苛要求。近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所秦华团队提出并研制了基于氮化镓肖特基二极管
氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究获进展
随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损耗加剧和信号源输出功率降低等问题，使系统对高精度、低损耗、大视场的波束控制器件提出严苛要求。近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所秦华团队提出并研制了基于氮化镓肖特基二极管
苏州市副市长浦荣皋调研苏州纳米所
12月8日下午，苏州市副市长浦荣皋一行调研了中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。在所长杨辉的陪同下，浦荣皋一行考察了苏州纳米所参股公司纳晶光电有限公司。 纳晶公司主要从事氮化镓基蓝光、绿光超高亮度发光二极管（LED）及激光器（LD）的研发与生产，公司拥有多台进口MOCVD外延生长设备及芯片制造
苏州纳米所参加2013苏州新材料、纳米洽谈会
6月7日上午，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所参加了在苏州工业园区举行的2013苏州新材料、纳米医药技术海外高层次人才、项目洽谈会。 本次会议是国家外国专家局国外人才信息研究中心、苏州工业园区管理委员会和苏州市人力资源和社会保障局共同主办的“第二届国际新材料大会和第四届纳米医
苏州纳米所基于高效砷化镓电池的聚光光伏发电系统获进展
基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电系统是未来光伏领域的重要发展方向，具有稳定、高效、低成本等诸多优越性。太阳能光伏发电厂有明显的节能减排效果，同时大大减小了土地使用面积，发电系统所覆盖的土地也可以间歇性的受到光照，不影响当地植被的生存，具有就近就地分散发供电，进入和退出电网灵活的
研究实现人工光合作用高效稳定制氢
近日，中国科学技术大学教授孙海定、熊宇杰团队联合武汉大学刘胜院士团队，通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构，实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率，并在高电流密度下稳定产氢超过800小时，首次将光电极使用寿命从小于100小时的“小时级”推进至“月级”，成功突破传统光电制
微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MISHEMT器件
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半导体材料氮化镓具有高禁带
苏州纳米所等在高性能柔性储能器件研究中取得进展
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员邸江涛等与佐治亚理工学院教授Ching-ping Wong合作，设计并制备出锌掺杂氧化铜纳米线（Zn-CuO）三维阵列结构，为电化学活性物质MnO2提供导电支架，获得高负载的MnO2纳米片材料。将生长在铜线表面的Zn-CuO@MnO2材料用于同轴
氮化镓的的光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的
氮化镓的的电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的结构特性
结构特性GaN纤锌矿结构图GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
苏州纳米所GaN基核探测器研究取得新进展
GaN基材料作为第三代半导体的杰出代表，已经被广泛应用于光电子领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。另外，GaN基材料具有很好的抗辐射性和很高的化学稳定性，近年来人们逐渐开始关注其在核探测领域的基础和应用研究。常规GaN基材料因其背景载