上海微系统所在300mmSOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界面附近氧杂质的输运机制，相关成果分别发表在晶体学领域的顶级期刊《Crystal growth & design》（23, 4480–4490, 2023）、《CrystEngComm》（25, 3493–3500, 2023, 封面文章）上。基于此模拟结果指......阅读全文
圆片周边厚度自动激光测厚仪研发
引言接触式测厚仪采用进口自带气缸型接触式传感器对带材的壁厚进行测量。主要应用于各种板材的厚度测量，在线检测和离线检测均可，并能实现自动反馈控制以及与电脑的联机通讯。1、基本原理整体设备配置有：测量主机（包括上、下测头）、步进电机（自选）、外接显示屏（可选）、报警单元等。具体操作步骤：将圆片放置在可旋
关于粗糙度和干膜厚度
表面粗糙度和漆膜厚度的关系普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、我拿干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量
2024邀您参展|中国(上海)国际硅晶圆及IC封装载板博览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
硅基磷化铟异质集成片上光源研究取得新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518959.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员游天桂、欧欣课题组，基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟（InP）单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性
电子展2024年上海硅晶圆及IC封装载板展时间+地点+展会安排
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆切割设备的重要性
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的
AML晶圆键合机共享应用
仪器名称：晶圆键合机仪器编号：13003988产地：英国生产厂家：AML型号：AWB-04出厂日期：201208购置日期：201303所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>封装工艺放置地点：微电子所新所一楼微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：郑瑶（010-62798268,13811
晶圆清洗设备的目的和分类
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
粗糙度仪又叫表面粗糙度仪
粗糙度仪又叫表面粗糙度仪尊敬的客户：您好！欢迎光临本公司，温馨提示：粗糙度仪 产品的更多信息可以我们公司的了解，我们将竭诚为您服务！粗糙度仪又叫表面粗糙度仪、表面光洁度仪、表面粗糙度检测仪、粗糙度测量仪、粗糙度计、粗糙度测试仪等多种名称，国外先研发生产后来才引进国内。粗糙度仪测量工件表面粗糙度时，将
上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积
使用表面粗糙度仪比较样块检验表面粗糙度仪
表面粗糙度仪比较样块的使用方法，是以样块工作面的表面粗糙度仪为标准，凭触觉（如指甲），视觉（可借助于放大镜，比较显微镜）等与待检查的工件表面进行比较，从而判断工件加工后的表面粗糙度仪公称值是否合乎要求。具体方法如下。 1、 触觉法，用手指或指甲抚摸被检表面和粗糙度仪比较样块的工作面，凭手的
薄膜参考板
薄膜参考板当我们测量很薄的硅晶圆或光学板层时可以使用我们的硅-二氧化硅参考晶圆。硅-二氧化硅阶梯形晶圆的表面直径是100mm，有5种不同厚度的校正镀层分布在上面从0-500nm，用于测量膜厚和不同基底的透射层是理想的参比标准。步进板由很薄的二氧化硅片镀在硅片上所构成。校正数据—硅板经过椭
什么是表面粗糙度
表面粗糙度对大部分参与滑动接触的表面而言是非常重要的。因为磨损的原始速率及持续的性质等因素高度依赖这一特性。这些表面一般是承重面，而且需标识粗糙度以确保预计用途的适用性。 许多零部件需要具有特定的表面加工结果，以便达成所要求的功能。例如烤漆前的汽车车体或曲轴或凸轮轴上的颈轴承。
表面粗糙度的方法
表面粗糙度的方法表面粗糙度等级影响着涂层的整体性能。表面高度（从峰顶到谷底的测算）决定着例如附着力、覆盖厚度和涂料使用总量等诸多方面。如果粗糙度值太高，要想确保覆盖充分，涂料需求量就会增加，否则突起的点上涂料没有覆盖到，会产生锈点。如果粗糙度值太低，就可能无法产生足够的附着力，导致涂层太早出现问题。
什么是表面粗糙度
表面粗糙度对大部分参与滑动接触的表面而言是非常重要的。因为磨损的原始速率及持续的性质等因素高度依赖这一特性。这些表面一般是承重面，而且需标识粗糙度以确保预计用途的适用性。 许多零部件需要具有特定的表面加工结果，以便达成所要求的功能。例如烤漆前的汽车车体或曲轴或凸轮轴上的颈轴承。
近物所离子联合注入单晶硅制备SOI材料研究获进展
中科院近代物理研究所科研人员将320 kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。 实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温
半导体展会|2024上海硅晶圆及IC封装载板展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
一篇文章说清半导体制程发展史（四）
有朋友补充说，这种金属是钨，我查阅到资料也提到是钨；钨本身也用在后端的via中； 但是在这个问题上我有些保留，主要原因是4点：第一， 我自己上课的时候，有多位教授都明确提到过，关于这个metal gate的资料外界知之甚少，至少他们自己不知道，或因为某种原因而不愿意说；第二，从原理上说，对于
半导体产业的根基：晶圆是什么？
在半导体的新闻中，总是会提到以尺寸标示的晶圆厂，如 8 寸或是 12 寸晶圆厂，然而，所谓的晶圆到底是什么东西？其中 8 寸指的是什么部分？要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢？以下将逐步介绍半导体最重要的基础——“晶圆”到底是什么。 何谓晶圆？ 晶圆（wafer），是制造各式电脑芯
2024晶圆制造展上海。展会日期:2024
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
晶圆清洗设备的两种形式
按照清洗方式的不同，清洗设备可分为两种，分别是单片式和槽式。 一、单片式清洗机是由几个清洗腔体组成，再通过机械手将每一片晶圆送至各个腔体中进行单独的喷淋式清洗，清洗效果较好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，但缺点是清洗效率较低，成本偏高。 二、槽式清洗机是将晶圆放在花篮中，再利用机械手依次
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（二）
1. 多晶硅提纯： 先是沙子(SiO2)与碳在高温下(2000C)置换反应，生成硅和CO2。此时的硅为冶金级别的(MGS: Metallic Grade Silicon)，也就是粗制的多晶硅。 然后再用MGS的硅与HCl在300C下反应生成TCS(SiHCl3)，然后经过过滤和冷凝可
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（三）
4. 抛光(Lapping)：因为刚刚切下来的wafer，表面一定有很多损伤，而且表面粗糙，所以这一步类似CMP功效用slurry去磨平，所以我们的wafer有时候也叫polish wafer。 5. 湿法蚀刻(wet etch)：因为刚才的抛光还是机械的磨平，所以还是无法完全去除损伤
晶圆制备——如何从沙子到wafer？（一）
我们所讲的半导体制造，它的载体一定是晶圆(Wafer)，这个东西是怎么来的？我们今天就来好好讲讲。 前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了，我们的Si一定都是单晶晶格的，而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电，如果我们用了多晶或者非晶，这
金属表面漆膜厚度检测方法
金属表面漆膜的厚度也会直接影响金属表面漆膜附着力降低，金属表面漆膜的厚度过厚或过薄都是不可以的； 为了方便管控金属表面漆膜厚度，我们可以使用林上漆膜仪来检测并管控。 漆膜仪也称涂层测厚仪，是检测金属表面油漆厚度的专用仪器。 像汽车等的覆盖面基本都有油漆涂层，用漆膜测厚仪检
表面波纹度和表面粗糙度区别.
表面波纹度和表面粗糙度区别.表面波纹度 表面波纹度是间距大于表面粗糙度但小于表面几何形状误差的表面几何不平度，属于微观和宏观之间的几何误差。它是由于零件表面在机械加工过程中，机床与工具系统的振动而形成的。表面波纹度直接影响零件表面的机械性能，如零件的接触刚度、疲劳强度、结合强度、耐磨性、抗振性和密
国家863计划“6英寸SOI－MEMS标准加工技术及应用”验收
4月9日，中国电子科技集团公司第十三研究所承担的863计划先进制造技术领域项目“6英寸SOI MEMS标准加工技术及在高性能MEMS器件中的应用”通过科技部组织的专家验收。验收会由科技部高技术研究发展中心组织，来自东南大学、北京大学、北京理工大学、同济大学、中北大学、长春光机所的相关专家参加了
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题2
其他仪器方面，本实验使用Nanometrics公司的Stratus傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)测量样品厚度。表面分析实验则使用Dimension 3100原子力显微镜(AFM)。显微镜为接触测量模式，装备一个单晶矽针尖。为取得更大的扫描区域，扫描尺寸是90×90μm2，扫描
高压碳化硅解决方案：改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高