单晶硅片——12月产出环比增幅明显

旋式铸造单晶硅炉环境效益显著

　　近日，在江西省新余市科技局组织的验收会上，由中国科学院院士叶志镇领衔的专家组，对世界首创旋式铸造单晶硅炉的关键技术进行了验收。验收结果表明，“铸锭单晶均匀生长炉研制及产业化”各项指标达到科技计划项目任务书的要求，其关键技术已达国际领先水平，在具有广阔的市场前景的同时，经济效益和环境效益十分显著。

300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究新进展

　　300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工

分体式振动速度传感器介绍

   分体式振动速度传感器，利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正?比于力变化的电信号输出。压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。采用

微流控芯片的类型

　　目前常见微流控芯片主要有三个种类：单晶硅片、石英和玻璃、分子聚合物。　　最早的微流控芯片是用单晶硅制作。这主要得益于成熟的微电子和微机械加工技术。玻璃微流控芯片具备优良的光学性能和支持电渗流特性，易于表面改性，可直接借鉴传统的毛细管电泳分析技术，因此在微流控芯片发展初期受到更多重视并得到相应发展

微流控芯片有哪几种类型－？

　 目前常见微流控芯片主要有三个种类：单晶硅片、石英和玻璃、分子聚合物。　　最早的微流控芯片是用单晶硅制作。这主要得益于成熟的微电子和微机械加工技术。玻璃微流控芯片具备优良的光学性能和支持电渗流特性，易于表面改性，可直接借鉴传统的毛细管电泳分析技术，因此在微流控芯片发展初期受到更多重视并得到相应发展

HIT电池优势和特点

HIT电池优势和特点HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单

HIT电池优势和特点

HIT电池优势和特点HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单

单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备

半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制

单晶炉：半导体－晶圆制造的头道工序设备

半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂，各个环节需要的设备也不同，从流程工序分类来看，半导体设备主要可分为晶圆制造设备（前道工序）、封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第 1 篇文章，介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉是一种高效率制

双组合四探针方阻－电阻率测试仪－双电测四探针测试仪

双组合测试仪是根据标准SEMI MF1529设计，双组合测试方法使用四探针的方式不同于其他ASTM测量半导体电阻率或薄层电阻的方法。在本测试方法中，在测试样品的每个测量位置上，以两种不同的方式（配置）将探针连接到提供电流和测量电压的电路中。四探针的这种使用法通常被称为“双配置”或“配置切换”测量。单

IV测试仪高效检测－电池转换效率逼近天花板

我国光伏行业高速发展的背后是企业不断的“降本增效”，尤其是近几年，降价成为国内光伏市场的主题。为此，不少光伏企业把提高光电转换效率作为抢占先机的“法宝”。在受访业内人士看来，虽然目前光伏电池转换率临近天花板，但随着技术的不断迭代，提高转换效率仍将是光伏上下游产业链的主攻方向。由苏州莱科斯研发生产的I

七大芯片材料超全解析来袭，带您进一步了解半导体材料

　　材料和设备是半导体产业的基石，一代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现。　　半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。　　半导体材料行业又因其具有极大的附加值和特有的产业生态支

多晶硅太阳能电池的性能特点

多晶硅太阳能电池一般采用低等级的半导体多晶硅，或者专门为太阳能电池使用而生产的铸造多晶硅等材料。与单晶硅太阳能电池相比，多晶硅太阳能电池成本较低，而且转换效率与单晶硅太阳能电池比较接近，它是太阳能电池的主要产品之一。多晶硅太阳能电池硅片制造成本低，组件效率高，规模生产时的效率已达18％左右。多晶硅太

单晶炉：半导体晶圆制造的头道工序设备

半导体设备在整个半导体行业中扮演着重要的支撑角色。由于半导体制造工艺的复杂性，不同的工序需要不同的设备。从流程工序的分类来看，半导体设备主要可以分为晶圆制造设备（前道工序）和封装测试设备（后道工序）等。本文是半导体设备专题栏目的第一篇文章，主要介绍晶圆制造的头道工序设备——单晶炉。直拉式单晶硅生长炉

生物大分子单晶衍射仪

　　生物大分子单晶衍射仪是一种用于生物学领域的分析仪器，于2005年7月11日启用。　　技术指标　　Mar-X型生物大分子X射线衍射采集系统是新一代即开即用的X射线衍射仪，具有节能稳定、耗材少，操作简单、使用可靠，不需要维护等特点。　　主要功能　　晶体衍射方法是测定生物大分子空间结构解析的主要研究手

X射线单晶体衍射仪

X射线单晶体衍射仪(X-ray single crystal diffractometer)。本仪器分析的对象是一粒单晶体，如一粒砂糖或一粒盐。在一粒单晶体中原子或原子团均是周期排列的。将X射线（如Cu的Kα辐射）射到一粒单晶体上会发生衍射，由对衍射线的分析可以解析出原子在晶体中的排列规律，也即解出

x射线单晶体衍射仪

　　X射线单晶体衍射仪X射线单晶体衍射仪(X-ray single crystal diffractometer,简写为XRD)。本仪器分析的对象是一粒单晶体，如一粒砂糖或一粒盐。在一粒单晶体中原子或原子团均是周期排列的。将X射线（如Cu的Kα辐射）射到一粒单晶体上会发生衍射，由对衍射线的分析可以解

如何初步判断单晶与多晶

单晶X射线衍射的理论发展

　　发现衍射现象　　图片　　1912年劳埃等人根据理论预见，并用实验证实了X射线与晶体相遇时能发生衍射现象，证明了X射线具有电磁波的性质，成为X射线衍射学的第一个里程碑。当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的 晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有相同 数量级，故由

单晶硅属于什么立方晶格

金刚石结构，属于体心立方晶格，倒格子是面心立方！

单晶半导体材料的制备方法

为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较

单晶半导体材料的制备方法

具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶

单晶X射线衍射的原理简介

　　利用晶体形成的 X射线衍射，对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。将具有一定波长的X射线照射到结晶性物质上时，X射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射，散射的X射线在某些　　方向上相位得到加强，从而显示与结晶结构相对应的特有的 衍射现象。衍射X射线满足布拉格（W.L.Brag

半导体集成电路的制造工艺

　　集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的

HIT电池的工艺特点及技术特点

HIT电池工艺流程HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。HIT电池的制备工艺步骤简单，且工艺温度低，可避免

x射线单晶体衍射仪单晶体结构分析实验方法的发展

　　 单晶体结构分析实验方法的发展　　目前的实验室单晶体结构分析方法对于测定小分子的单晶体结构已经是相当完美了, 但对于巨大的生物大分子就显得软弱无力，主要是光源强度不够，光的平行性不良，波长又不好调。目前主要要依靠 同步辐射作为 X射线源。我国二个 同步辐射光源之一的位于合肥的国家同步辐射实验室（

简介场效应管的组成

　　FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。　　大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。

为什么实验前要用硅片对拉曼光谱仪进行标定

硅片的拉曼峰单一稳定，实验前用硅片标定一下就知道拉曼光谱仪的光谱是否存在漂移了，保证实验数据的准确了

pfa清洗花篮半导体硅片清洗器本底值低耐受腐蚀

PFA四氟清洗花篮 ITO、FTO导电玻璃、硅片PFA清洗架、F4硅片花篮 晶舟盒晶圆盒硅片盒。PFA也称可溶性聚四氟乙烯、特氟龙（Teflon），它金属元素空白值低，铅、铀含量小于0.01ppb,无溶出与析出，它不仅对温度和各种化学试剂有很好的抗性，同时具有清洗方便的优点。主要用于痕量分析、同位素

合肥研究院柔性单晶硅基微纳结构太阳电池研究获进展

　　近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所微纳技术与器件研究室研究员叶长辉课题组在柔性单晶硅基微纳结构太阳电池研究方面取得新进展，相关结果以封面论文形式发表在《纳米研究》（Nano Res. 2015, 8(10), 3141-3149）上。　　晶硅太阳电池凭借其成熟的