上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing）为题，发表在《自然》（Nature）上。随着全球集成电路产业发展进入“后摩尔时代”，集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高，人们迫切寻找新的技术方案。以硅光技术和薄膜铌酸锂光子技术为代表的集成光电技术可以应对这一问题。其中，铌酸锂有“光学硅”之称，近年来备受关注。与铌酸锂类似，欧欣团队与合作者证明单晶钽酸锂薄膜同样具有优异的电光转换特性，在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面比铌酸锂更具优势。此外，硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与绝缘体上的硅更接近，因此钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有应用价值。欧欣团......阅读全文
上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufac
科学家成功研发可批量制造新型光子芯片技术
中新网北京5月9日电 (记者 孙自法 郑莹莹)中国科学院最新发布消息说，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海微系统所)、瑞士洛桑联邦理工学院组成的合作团队在国际上另辟蹊径，最近在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展，已成功研发并实现可批量制造的新型光子芯片——钽酸锂集成光
研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术
钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片示意图。中国科学院上海微系统与信息技术研究所供图中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合瑞士洛桑联邦理工学院的托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关成果5月8日发表于《自然》。近年来，铌酸锂受到广泛关注
上海微系统所开发新型光学“硅”与芯片技术
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）的研究员欧欣团队联手瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展，相关成果发表于《自然》。铌酸锂有“光学硅”之称，近年间受到了广泛关注，哈佛大学等国外研究机构甚至提出了仿照“硅
基于钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究取得重要进展
1月22日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合美国科罗拉多大学教授Gabriel Santamaria Botello、瑞士洛桑联邦理工学院教授Tobias J. Kippenberg团队，在基于绝缘体上钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究方面取得重要进展。相关研究成果以Ultra
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
“掺硅补锂”电池技术介绍
从定义来说，此次智已汽车推出的“掺硅补锂”技术与蔚来固态电池所用的“无机预锂化碳硅负极”并无本质上的差异，其实质均为提高负极中硅的含量，同时增加锂的含量，来弥补因硅含量提升而导致的电池在充放电过程中锂损耗的提高。关于“掺硅”方面，实际上是在负极材料当中加入硅元素。原因在于，制约动力电池能量密度的已不
八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519020.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称微系统所）硅基材料与集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光
钴酸锂的技术特点
1、电化学性能优越：a.每循环一周期容量平均衰减﹤0.05%；b.首次放电比容量﹥135mAh/g；c.3.6V初次放电平台比率﹥85%。2、加工性能优异。3、振实密度大, 有助于提高电池体积比容量4、产品性能稳定, 一致性好
硅芯片上可集成最小量子光探测器
英国布里斯托大学的研究人员在扩展量子技术方面取得了重要突破。他们将世界上最小的量子光探测器集成到硅芯片上。相关研究发表在17日出版的《科学进步》杂志上。规模化制造高性能电子和光子学硬件是实现下一代先进信息技术的基础。然而，如果没有真正可扩展的量子技术硬件制造工艺，量子技术带来的益处将无法得到完全呈现
锂电池掺硅和补锂技术介绍
掺硅和补锂是两个技术，负极掺硅是为了提升能量密度，补锂则是为了提升循环寿命。它们都有助于提升动力电池性能，在较高能量密度的产品上，已经广泛应用。要提升电池能量密度，正极材料和负极材料的比容量都需要提升。正极端一般采用高镍材料，大家熟悉的811就是一种；负极则是采用硅基负极。之所以选择硅，是因为硅基负
“量子芯片”即将量产！这几家核心企业未来3年业绩增幅可能超700％
在当前的科技领域中，量子芯片技术被誉为下一次技术革命的浪潮。随着量子芯片的不断发展，其应用前景也是越来越广泛，未来3年业绩增幅可能超700%的5家核心企业也备受关注。 我们先来了解一下，什么是量子芯片？ 量子芯片是一种全新概念的新型芯片，现有的电子芯片主要是以硅晶管进行信息的传输，而全新概念
芯片的制作光导合成技术
原位合成适于制造寡核苷酸和寡肽微点阵芯片，具有合成速度快、相对成本低、便于规模化生产等优点。照相平板印刷技术是平板印刷技术与DNA和多肽固相化学合成技术相结合的产物，可以在预设位点按照预定的序列方便快捷地合成大量寡核苷酸或多肽分子。 在生物芯片研制方面享有盛誉的美国Affymetrix公司运用
钴酸锂的技术标准
钴酸锂的技术标准 1、名称: 钴酸锂 分子式: LiCoO2 分子量: 97.88 2、主要用途: 锂离子电池 3、外观要求: 灰黑色粉末, 无结块 4、X射线衍射: 对照JCDS标准( 16-427) , 无杂相存在 5、包 装: 铁桶内塑料袋包装 6、化学成分与物化性能指标: 镍
铌酸锂微波光子芯片－高速精确低能耗
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518117.shtm 集成微波光子处理芯片效果图 受访者供图香港城市大学电机工程学系副教授王骋团队，与香港中文大学研究人员合作，利用铌酸锂为平台，开发出处理速度更快、能耗更低的微波光子芯片，可运
磷酸铁锂/钴酸锂/锰酸锂/三元材料的锂电池的技术特点
锂电池是一类由锂金属或锂合金为负极材料、使用非水电解质溶液的电池。锂离子电池以碳素材料为负极，以含锂的化合物为正极，根据正极化合物不同，常见的锂离子电池有钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂、三元锂等。那么以钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、三元材料、磷酸铁锂等为材料做成的电池各具那些优缺点？1、钴酸锂电池优点：钴酸锂具
镍钴锰酸锂的技术优点
镍钴锰酸锂的优点1、高能量密度，理论容量达到280 mAh/g，产品实际容量超过150 mAh/g；2、循环性能好，在常温和高温下，均具有优异的循环稳定性；3、电压平台高，在2.5-4.3/4.4V电压范围内循环稳定可靠；4、热稳定性好，在4.4V充电状态下的材料热分解稳定；5、循环寿命长，1C循环
七大芯片材料超全解析来袭，带您进一步了解半导体材料
材料和设备是半导体产业的基石，一代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 半导体材料行业又因其具有极大的附加值和特有的产业生态支
邹世昌：我国集成电路芯片仍待掌握核心技术
中国科学院院士、材料学家邹世昌近日在“相约名人堂——与院士一起看世博”活动上说，我国的信息技术需要进一步发展，不光会制造，还要自行设计，“目前，好多产品还靠从国外引进，这是解决核心竞争力必须攻克的难题”。 在邹世昌看来，我国集成电路工艺技术较国际先进水平相差两代，要缩小差距，还需要在
锂漂移硅检测器原理
当光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的空穴对的数目N=△E/ε。入射X射线光子的能量越高，N就越大。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对，经过前置放大器转换成电流脉冲，电流脉冲的高度取决于N的大小。电
锂漂移硅检测器简介
锂漂移硅检测器，即Si(Li)探测器，是由锂向硅中漂移制作而成。锂的数量有极严格的要求，而且要求分布均匀在室温时由于锂的迁移率很高，会逐步发生反向漂移，使探测器性能下降。用液氮冷却是为了防止锂的反漂移。使探测器具有最佳的信噪比。此探测器的窗口法兰等结合部多少有些微小漏气，这些气体由置于探测器内的
离子液体中硅化锂电极的锂化/脱锂
锂离子电池应用广泛，其性能尚有提升空间。硅电极由于其较高理论容量成为了新型锂离子电池电极研究对象。 东京大学Hiroki Sakaguchi等研究者研究了Li1.00Si电极在离子液体电解质中的锂化和脱锂情况。Li1.00Si电极在有机液体电解质中显示出高库伦效率CE和低开路电压OCP，但在离
Protea公司推出新型硅芯片技术－可与MALDI联用
分析测试百科网讯 圣路易斯，2015年6月1日 -普罗蒂亚生物科学集团有限公司(PRGB)(“Protea”)今天发布了一项新的硅芯片技术，能够快速识别和定量分析小分子的生物液体。该消息是在密苏里州圣路易斯举行的第63届美国质谱年会（ASMS）质谱及相关主题上发布的。 该产品被称为REDIch
展商报名!集成电路及芯片展会2025年深圳国际集成电路及芯片展会官网
2025中国深圳国际集成电路及芯片产业博览会地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978【指导单位】中国电子器材有限公司工业和信息化部深圳市人民政府各省市电子器材公司台湾区电机电子工业同业公会中国电子元件行业协
光集成电路尺寸难题有望破解
据美国电气与电子工程师协会(IEEE)网站近日报道，哥伦比亚大学研究人员研制出迄今最小光学集成电路，其能在很宽的波长范围内表现出高性能水平，有望彻底改变光通信和光信号处理等关键技术。该突破性成果发表在近日出版的《自然·纳米技术》杂志上。 将光集成电路缩小到现有计算机芯片中集成电路的尺寸，是科学
美国研究团队开发出硅基芯片上光通信技术
美国麻省理工学院发布消息称，该校一个研究团队开发出一种新材料，可集成在硅基芯片上进行光通信，从而比导线信号传输具有更高的速度和更低的能耗。该成果发布在最新出版的《自然·纳米技术》期刊上。 这种新材料为二碲化钼，是近年来引人关注的二维过渡金属硫化物的一种。这种超薄结构的半导体可以集成在硅基芯片
天天都在说的芯片，到底是什么？
假设一百年或者几百年之后，回顾2018年到2019年的大国关系，未来的人们可能发明一个新词，或许就叫做芯片战争。虽然这种战争暂时还没听到枪炮声响和看到硝烟，但是对未来世界格局的深远影响，可能不亚于一场次级别的世界大战。这是因为围绕芯片这种国际商品而产生的交易额，是当今全球原油交易市场总额的数
镍钴锰酸锂、磷酸铁锂、钴酸锂和锰酸锂电池安全性比较
1、镍钴锰酸锂（三元）电池在实际可用的理论比能量上有极大的提高，相对于与钴酸锂电池而言，可以更好的发挥高容量作用，但从材料上看，三元电池采用镍钴锰酸锂和有机电解液，暂未从根本上解决安全性问题，如果电池发生短路讲产生过大电流，从而引发安全隐患。2、磷酸铁锂电池理论容量是170mAh/g，做成材料的实际
香山科学会议－专家称“后摩尔时代”高端硅基材料是关键
近日，香山科学会议第626次学术讨论会在上海举行，会议聚焦了高端硅基材料及器件关键技术问题。与会专家认为，硅基材料及器件的创新将决定未来集成电路及相关信息技术的发展。 著名的“摩尔定律”提出，集成电路上可容纳的元器件的数目，每隔约18至24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。当前，在摩尔定律引
上海：“科技创新行动计划”先进材料领域技术攻关项目申报指南通知
关于发布上海市2024年度“科技创新行动计划”先进材料领域技术攻关项目申报指南的通知科指南〔2024〕21号 各有关单位： 为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建设具有全球影响力的科技创新中心“十四五”规划》，上海市科学技术委员会特发布2024年度“科技