研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术
钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片示意图。中国科学院上海微系统与信息技术研究所供图中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合瑞士洛桑联邦理工学院的托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关成果5月8日发表于《自然》。近年来，铌酸锂受到广泛关注，有“光学硅”之称，美国哈佛大学等国外高校和研究机构甚至提出仿照“硅谷”模式建设新一代“铌酸锂谷”的方案。欧欣团队与合作者通过研究发现，相比于铌酸锂，单晶钽酸锂薄膜不仅具有类似的优异电光转换特性，并且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面更具优势。此外，钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造，具有极高的应用价值。欧欣团队采用基于“万能离子刀”的异质集成技术，通过氢离子注入结合晶圆键合的方法，制备了高质量硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆。他们还与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，对应器件的光学损耗普遍低于已报道晶圆......阅读全文
上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufac
科学家成功研发可批量制造新型光子芯片技术
中新网北京5月9日电 (记者 孙自法 郑莹莹)中国科学院最新发布消息说，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海微系统所)、瑞士洛桑联邦理工学院组成的合作团队在国际上另辟蹊径，最近在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展，已成功研发并实现可批量制造的新型光子芯片——钽酸锂集成光
研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术
钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片示意图。中国科学院上海微系统与信息技术研究所供图中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合瑞士洛桑联邦理工学院的托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关成果5月8日发表于《自然》。近年来，铌酸锂受到广泛关注
上海微系统所开发新型光学“硅”与芯片技术
5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）的研究员欧欣团队联手瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基彭贝格团队，在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域取得突破性进展，相关成果发表于《自然》。铌酸锂有“光学硅”之称，近年间受到了广泛关注，哈佛大学等国外研究机构甚至提出了仿照“硅
铌酸锂微波光子芯片－高速精确低能耗
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518117.shtm 集成微波光子处理芯片效果图 受访者供图香港城市大学电机工程学系副教授王骋团队，与香港中文大学研究人员合作，利用铌酸锂为平台，开发出处理速度更快、能耗更低的微波光子芯片，可运
基于钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究取得重要进展
1月22日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队联合美国科罗拉多大学教授Gabriel Santamaria Botello、瑞士洛桑联邦理工学院教授Tobias J. Kippenberg团队，在基于绝缘体上钽酸锂单晶薄膜的电光频率梳芯片研究方面取得重要进展。相关研究成果以Ultra
硅光子芯片让“量子罗盘”更小更精确
科技日报北京8月14日电 （记者张佳欣）美国桑迪亚国家实验室研究人员利用硅光子微芯片组件，执行了一种名为原子干涉的量子传感技术。这是一种测量加速度的超高精度方法，也是研发无需全球定位系统（GPS）信号也能进行导航的“量子罗盘”最新成果。研究论文发表在最新一期《科学进展》上。全集成多通道硅光子单边带
硅光子芯片让“量子罗盘”更小更精确
美国桑迪亚国家实验室研究人员利用硅光子微芯片组件，执行了一种名为原子干涉的量子传感技术。这是一种测量加速度的超高精度方法，也是研发无需全球定位系统（GPS）信号也能进行导航的“量子罗盘”最新成果。研究论文发表在最新一期《科学进展》上。智能手机、健身追踪器或虚拟现实设备内部都有微小的传感器用于追踪位置
超均匀无序波导和近红外硅光子学器件
近日，来自美国和英国的一个联合研究小组的研究人员们推出了超均匀无序平台实现近红外(NIR)光子设备来创建、探测和操纵光。 他们在一个绝缘体上的硅(SOI)平台上建造了这个装置，以演示在一个不受晶体对称性约束的灵活的硅集成电路结构的功能。 科学家们报告了被动器件元件的结果，包括波导和谐振器与传
中美研究人员设计出新型硅基光子芯片
中国南京大学和美国加州理工学院研究人员11月25日在英国《自然·材料》杂志网络版上发表论文称，他们设计出一种新型硅基光子芯片，初步实现了光的单向无反射传输，拓展了光子晶体及传统超构材料的研究领域，为经典光系统中探索和发展具有量子特性的新型光子器件提供了新的研究思路。 通过光子而非电子携带信
谷歌硅光子芯片实现无电缆数据传输
据美国趣味科学工程网站2日消息，谷歌X实验室近期推出其下一代硅光子芯片Taara。这款芯片无需电缆，仅通过光束即实现了高达10Gbps（千兆比特每秒）的数据传输速度，或将重新定义连接和使用互联网的方式。 第一代Taara技术，主要依赖镜子、传感器和硬件系统等物理方式控制光束。而最新一代Taar
新款晶圆问世|硅基化合物光电集成技术大突破
据中国光谷消息，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。公开资料显示，光子集成的概念类可
八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519020.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称微系统所）硅基材料与集成器件实验室研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光
新方法让光子电子动量相匹配－有望使硅基器件获新功能
美国麻省理工学院和以色列理工学院的科学家近日宣布，他们合作设计出一种新方法，让光子的动量与电子的动量相匹配，从而增强光和物质的相互作用。最新研究有望催生更高效的太阳能电池、新型激光器以及发光二极管（LED）等设备。 研究人员解释称，一般而言，电子的动量比光粒子（光子）的动量大几个数量级，由于动
重磅发布！2024中国光学十大社会影响力事件
中国光学十大社会影响力事件（Light10）是中国科技期刊卓越行动计划领军期刊 Light: Science & Applications （https://www.nature.com/lsa/）携手中国科学报社旗下科学传播旗舰品牌 科学网（https://www.sciencenet.cn/）
可控硅器件的概念
晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。 可控硅器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电
硅光子平台开发获重要成果
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于互补金属氧化物半导体（CMOS)工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子
铌酸锂晶体中的交叉偏振布里渊增益特性首次被揭示
近日，电子科技大学信息与通信工程学院光纤传感与通信教育部重点实验室研究团队，联合美国科罗拉多大学博尔德分校，在《自然—光子学》上发表研究论文，首次系统揭示了铌酸锂晶体中的交叉偏振布里渊增益特性，并展示了其与二阶非线性的高效耦合机制，从而成功开发出三种创新性光子器件，可为下一代光通信、精密测量和量
助力高速、大容量数据通信，光子芯片大显身手
1月7日，《激光与光子学评论》以期刊正封面的形式在线发表了来自兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉团队的文章《基于氮化硅—薄膜铌酸锂异质集成平台的模式与偏振复用》，该工作有望助力高速、大容量数据通信，并为薄膜铌酸锂平台上有源及无源器件全集成的光子芯片提供新的解决方案。 光学复用器是集成光子回路中
中国科大在集成光量子器件中单光子阻塞取得新进展
中国科学技术大学郭光灿院士团队的邹长铃教授研究组，提出了在单个光学模式中，利用极弱的光学非线性实现光子阻塞的新原理和新方案，并分析了其在集成光学芯片上实现的实验可行性。相关成果日前发表于《物理评论快报》。 邹长铃课题组近年来致力于集成光子芯片量子器件研究。在集成芯片上，非线性光学效应能够通过微纳光
首次在集成光子芯片上产生偏振纠缠光子对
近日，中科院西安光学精密机械研究所的外专千人计划Brent E. Little与加拿大魁北克国立科学研究所、香港城市大学、澳大利亚墨尔本皇家理工大学等单位合作，利用非线性微环谐振腔中TE和TM模式间的自发四波混频效应，结合微环谐振腔的滤波选模作用，首次在集成光子芯片上产生了偏振纠缠光子对的研究成
有它助阵，集成光电子器件加工不再难
兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅，利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导，有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战，降低了器件尺寸、提升了芯
锂漂移硅检测器原理
当光子进入检测器后，在Si(Li)晶体内激发出一定数目的电子空穴对。产生一个空穴对的最低平均能量ε是一定的，因此由一个X射线光子造成的空穴对的数目N=△E/ε。入射X射线光子的能量越高，N就越大。利用加在晶体两端的偏压收集电子空穴对，经过前置放大器转换成电流脉冲，电流脉冲的高度取决于N的大小。电
锂漂移硅检测器简介
锂漂移硅检测器，即Si(Li)探测器，是由锂向硅中漂移制作而成。锂的数量有极严格的要求，而且要求分布均匀在室温时由于锂的迁移率很高，会逐步发生反向漂移，使探测器性能下降。用液氮冷却是为了防止锂的反漂移。使探测器具有最佳的信噪比。此探测器的窗口法兰等结合部多少有些微小漏气，这些气体由置于探测器内的
“掺硅补锂”电池技术介绍
从定义来说，此次智已汽车推出的“掺硅补锂”技术与蔚来固态电池所用的“无机预锂化碳硅负极”并无本质上的差异，其实质均为提高负极中硅的含量，同时增加锂的含量，来弥补因硅含量提升而导致的电池在充放电过程中锂损耗的提高。关于“掺硅”方面，实际上是在负极材料当中加入硅元素。原因在于，制约动力电池能量密度的已不
“超表面”器件能集成光子量子操作
据最新一期《科学》杂志报道，美国哈佛大学研究人员开发出一种新型光学器件，即“超表面”，可在单一的平面上完成复杂量子操作。超表面可同时承担多种传统光学元件功能，解决了光子量子信息处理领域长期存在的体积庞大、组件繁多等扩展性难题，有望推动常温下量子计算和量子网络的实现。光子是光的基本粒子，具有高速、抗干
南智光电获数千万元A轮融资，集萃华财领投
7月28日消息，南智先进光电集成技术研究院有限公司（以下简称“南智光电”）正式完成A轮数千万元融资，本轮融资由集萃华财领投，隐峰泉资本跟投。融资资金将主要用于公司“薄膜铌酸锂+X”光子芯片产线的扩建及工艺系统优化，进一步提升其在新型光子芯片中试验证、标准化制造与异质集成方向的工程化能力。 南智
微电子所硅光子平台开发取得进展
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于CMOS工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子器件和芯片的开发，最终实
光子芯片开发获“隐形斗篷”魔力相助
从《哈利·波特》的“隐形斗篷”到《星际迷航》的罗慕伦隐身战舰，这些一般只存在于科幻小说或电影中。美国科研人员最近利用这些隐形原理，为微光子集成器件设计了一个特定装置，其有助开发出较硅基芯片更小、更快、更节能的光子芯片。 未来的计算机、数据中心和移动设备将用光子芯片代替电子芯片。每块光子芯片中将
离子液体中硅化锂电极的锂化/脱锂
锂离子电池应用广泛，其性能尚有提升空间。硅电极由于其较高理论容量成为了新型锂离子电池电极研究对象。 东京大学Hiroki Sakaguchi等研究者研究了Li1.00Si电极在离子液体电解质中的锂化和脱锂情况。Li1.00Si电极在有机液体电解质中显示出高库伦效率CE和低开路电压OCP，但在离