除氧可提高大规模生产石墨烯质量
石墨烯被称为“21世纪的神奇材料”。自2004年发现以来，这种单层碳原子材料一直因其众多独特性能而备受推崇。但目前大量生产的石墨烯有个缺点：质量不高。现在，美国哥伦比亚大学和加拿大蒙特利尔大学联合研究团队开发出一种新方法，利用无氧化学气相沉积（OF-CVD）法来净化石墨烯，从而大规模生产高质量石墨烯。相关论文发表在29日的《自然》杂志上。这项研究展示了微量氧如何影响石墨烯的生长速度，并首次确定了氧气和石墨烯质量之间的联系。实验显示，要利用化学气相沉积（CVD）法合成高质量石墨烯，在生长过程中消除氧气是关键。这一发现或是迈向大规模生产石墨烯的一个里程碑。制造石墨烯的方法有两种，其中之一是“透明胶带法”。利用家用胶带从石墨上“撕”出不同的层。这种方法剥离的石墨烯非常干净，不含影响其性能的杂质，但只有几十微米宽，只适合实验室研究，不适合工业规模生产。为了探索石墨烯生产如何从实验室转向现实应用，研究人员在大约15年前开发了一种合成大面积......阅读全文
除氧可提高大规模生产石墨烯质量
科技日报讯 （记者张佳欣）石墨烯被称为“21世纪的神奇材料”。自2004年发现以来，这种单层碳原子材料一直因其众多独特性能而备受推崇。但目前大量生产的石墨烯有个缺点：质量不高。现在，美国哥伦比亚大学和加拿大蒙特利尔大学联合研究团队开发出一种新方法，利用无氧化学气相沉积（OF-CVD）法来净化石墨烯，
除氧可提高大规模生产石墨烯质量
石墨烯被称为“21世纪的神奇材料”。自2004年发现以来，这种单层碳原子材料一直因其众多独特性能而备受推崇。但目前大量生产的石墨烯有个缺点：质量不高。现在，美国哥伦比亚大学和加拿大蒙特利尔大学联合研究团队开发出一种新方法，利用无氧化学气相沉积（OF-CVD）法来净化石墨烯，从而大规模生产高质量石墨烯
单晶石墨烯薄膜生产速度提高150倍
中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。 石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异特
单晶石墨烯薄膜生产速度提高150倍
中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。 石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异
纳米所等在快速批量制备高质量石墨烯研究方面取得进展
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和
纳米所等在快速批量制备高质量石墨烯研究方面取得进展
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和
研究实现AB堆垛双层石墨烯快速生长
中科院上海微系统所石墨烯研究团队采用铜蒸气辅助，在Cu-Ni合金衬底上实现了AB堆垛双层石墨烯（ABBG）的快速生长，典型单晶畴尺寸约300微米，生长时间约10分钟，速度比现有报道提高约一个数量级。相关成果近日在线发表于《微尺度》杂志。 ABBG可通过电场产生可调带隙，对石墨烯在逻辑器件及光电
石墨烯使用在线式椭偏成功实现了实时监控石墨烯的生长
石墨烯薄膜生长，表征和集成项目GLADIATOR 旨在开发高质量，大面积，低成本石墨烯薄膜（透过率≤ 90%，面阻≥ 10 Ohm/sq）。在未来的石墨烯CVD制程中，对石墨烯生长过程进行在线监控及实时质量控制是必不可少的手段。UVISEL光谱椭偏仪被用于AUTh CVD 6’’石墨烯沉积系统中。A
绝缘基底上可控制备单层石墨烯薄膜研究取得进展
化学气相沉积（CVD）是生长大面积高质量石墨烯的有效方法之一。在石墨烯的CVD生长过程中，需要使用金属催化剂，石墨烯需要转移才能构筑电学器件，与当前的半导体加工工艺不兼容，同时转移会造成石墨烯的褶皱、破损和降低其电学性能。如能在绝缘衬底上实现石墨烯的无金属催化生长，那就不需要转移可直接构筑电学器
宁波材料所在二维纳米防护薄膜材料方面取得进展
石墨烯具有大的比表面积、高的化学惰性以及优异的阻隔性，被认为是已知最薄的防护材料，采用化学气相沉积（CVD）法制备的石墨烯薄膜可直接用于金属的腐蚀防护，逐渐成为制备石墨烯防护薄膜最主要的方法。但石墨烯薄膜在制备过程不可避免会引入空位、晶界等结构缺陷，将其长时间暴露在空气中，腐蚀介质容易通过这些缺
巧用扫描电镜实现衬底支撑石墨烯的高质量成像
常见的衬底支撑石墨烯体系，有SiC热解生长石墨烯、Cu等金属衬底上CVD法生长石墨烯、Si上转移石墨烯等。石墨烯的常用结构表征技术包括透射电镜、拉曼（Raman）、原子力显微镜（AFM）、光学显微镜以及扫描电镜（SEM）。其中，SEM具有分辨率达纳米级、观测范围大、速度快、无损等优点，在石墨烯的生长
化学所合作在石墨烯的可控制备方面取得系列进展
近年来，石墨烯作为一种新型的碳材料，因其许多独特优异的性质引起了人们的广泛关注和极大兴趣。石墨烯的可控制备是开展石墨烯基础研究和应用开发的前提，是目前亟待解决的重大科学问题之一。在众多石墨烯的制备方法中，化学气相沉积法（CVD）因兼有高质量和宏量制备的优点已成为石墨烯生长的最重要方法之一。 最
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方
刘忠范－彭海琳课题组在氮掺杂石墨烯大单晶制备取进展
石墨烯骨架被杂原子掺杂后，载流子浓度增加，并且骨架掺杂的形式有助于降低散射，维持石墨烯较高的载流子迁移率，导电性显著增加；又因为骨架掺杂原子在化学反应中可以提供更多的活性位点，因此，骨架掺杂的石墨烯在催化、能源等领域得到了广泛关注。然而，稳定且可控的骨架掺杂仍是目前石墨烯化学气相沉积（CVD）生
大尺寸单晶石墨烯及其薄膜制备和无损转移取得重要进展
金属所大尺寸单晶石墨烯的化学气相沉积法制备及其无损转移取得重要进展 最近，中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室先进炭材料研究部的成会明、任文才研究员带领的石墨烯研究团队，在大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的制备和无损转移方面取得重要进展。相关论文于2月28日在《自然—通
南大团队成功研制超平整石墨烯薄膜
近日，由南京大学物理学院高力波教授团队领衔，协同学院四个青年学者团队，以“质子辅助生长超平整石墨烯薄膜”为题，在《自然》杂志上发表了将质子辅助生长用于高质量石墨烯制备的研究成果。这项工作，不仅探索出了一种可控生长超平整石墨烯薄膜的方法，更为重要的是，该团队还发现了这种生长方法的内在机制，即质子
半导体所在hBN二维原子晶体研究方面取得系列进展
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h
半导体所在hBN二维原子晶体研究方面取得系列进展
伴随石墨烯研究的兴起，其它二维原子晶体也陆续进入人们的研究视野。其中，六方氮化硼（h-BN）逐渐成为该领域的又一亮点。高度相似的晶体结构赋予h-BN与石墨烯一些共同特性，如极高的面内弹性模量、高温稳定性、原子级平滑的表面。由于两者晶格失配很小，石墨烯可以均匀紧密地铺展在h-BN衬底上，特别是，h
氧化石墨烯和石墨烯性能的区别
氧化石墨烯和石墨烯性能的区别采用改进的Hummers法制备了氧化石墨烯,将其采用水合肼还原获得石墨烯,以氧化石墨烯和石墨烯为吸附剂,分别采用透射电镜(TEM),傅里叶变换红外光谱(FT-IR),拉曼光谱(RS)和X射线衍射光谱(XPS)对阴阳离子的不同吸附性能进行了分析表征.结果表明:两吸附剂对罗丹
石墨烯检测方法大汇总，石墨烯快速检测
超全面石墨烯检测方法大汇总，看完就是石墨烯检测专家了！ 2004年，康斯坦丁博士通过胶带从石墨上分离出石墨烯这种“神器的材料”，它的出现在全世界范围内引起了极大轰动…… 石墨烯具有非同寻常的导电性能、极低的电阻率极低和极快的电子迁移的速度、超出钢铁数十倍的强度，极好的透光性……这些优异的性能
氮掺杂石墨烯生长的原子尺度机理研究获进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心博士崔萍与教授李震宇、曾长淦等校内外同行合作，在氮掺杂石墨烯生长的原子尺度机理研究方面取得新进展，通过理论计算预言了利用芳香性分子C5NCl5在Cu(111)表面上可自组装实现高浓度、高有序的氮掺杂石墨烯。该研究成果以A
意大利科学家“看见”单原子催化石墨烯生长
石墨烯是一种非常薄的二维材料，仅由单层碳原子组成。石墨烯因具有多种优秀的特性，如像塑料一样柔韧，稳定的晶格结构使其具有良好导电性，机械强度比世界上最好的钢铁还要高100倍，所以在工业和技术领域具有多种用途，被认为是近乎完美的材料。然而，石墨烯很难生产，因此其价格昂贵。 来自意大利的里雅斯特
金属所石墨烯三维网络结构的制备及应用研究取得重要进展
最近，沈阳材料科学国家（联合）实验室的成会明、任文才带领的石墨烯研究团队在石墨烯三维体材料的宏量制备和应用方面取得重要突破。他们采用兼具平面和曲面结构特点的泡沫金属作为生长基体，利用CVD方法制备出具有三维连通网络结构的泡沫状石墨烯体材料。研究发现，这种石墨烯体材料完整地复制了泡
研究发现利用硅烯插层打开外延生长的双层石墨烯能隙
石墨烯因其独特的晶格结构而具有诸多优异性能，但其零能隙特征极大地限制了它在电子学器件上的应用。近年来，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件重点实验室研究员、中科院院士高鸿钧带领的研究团队在石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料的制备、物性调控及应用等方面开展研究，取得了一系列
美石墨烯晶界硬度性能最新研究进展
近日，美国哥伦比亚工程研究人员发现，即使由许多石墨烯小晶粒拼凑而成，石墨烯的硬度性能依然卓越。这一发现解决了之前理论模拟与实验之间存在的一些矛盾;之前的理论称石墨烯的晶界硬度是较强的，而试验预测小晶粒石墨烯的硬度要远远弱于完整的石墨烯晶格。该研究近期发表在Science杂志上。 石墨烯是由
长骨的生长速度
长骨的生长速度在不同的发育阶段会有所不同。在儿童的早期生长阶段，特别是0-2岁和2-10岁，骨骼的生长速度相对较快。具体来说： 0-2岁：这个阶段是婴儿的骨骼快速生长期，尤其是脊柱和下肢。 2-10岁：这个时期孩子开始学步并逐渐能够独立行走，四肢长骨如股骨、胫骨等也会继续增长。 10-15
长骨的生长速度
长骨的生长速度在不同的发育阶段会有所不同。在儿童的早期生长阶段，特别是0-2岁和2-10岁，骨骼的生长速度相对较快。具体来说： 0-2岁：这个阶段是婴儿的骨骼快速生长期，尤其是脊柱和下肢。 2-10岁：这个时期孩子开始学步并逐渐能够独立行走，四肢长骨如股骨、胫骨等也会继续增长。 10-15
聚合诱导单体穿透单层石墨烯研究方面取得重要进展
石墨烯为单层平面碳原子以sp2杂化方式紧密结合在一起形成的二维原子晶体，是有望制备同时具有高渗透率和高选择性分离渗透膜的理想材料，因此研究有机分子通过石墨烯的行为具有非常重要的意义。尽管文献中提出了许多理论预测，但由于没有任何缺陷的石墨烯对所有原子和分子大部分是不可穿透的，相当于高阻隔的“金钟罩
聚合诱导单体穿透单层石墨烯研究方面的重要进展
石墨烯为单层平面碳原子以sp2杂化方式紧密结合在一起形成的二维原子晶体，是有望制备同时具有高渗透率和高选择性分离渗透膜的理想材料，因此研究有机分子通过石墨烯的行为具有非常重要的意义。尽管文献中提出了许多理论预测，但由于没有任何缺陷的石墨烯对所有原子和分子大部分是不可穿透的，相当于高阻隔的“金钟罩
上海微系统所实现AB堆垛双层石墨烯的快速生长
在02国家重大专项的支持下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所在石墨烯研究中取得新进展：采用铜蒸气辅助，在Cu-Ni合金衬底上实现AB堆垛双层石墨烯（ABBG）的快速生长，典型单晶畴尺寸约300微米，生长时间约10分钟，速度比现有报道提高约一个数量级。研究论文于2月24日在small 上在线发