二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入的单晶硅上方再次生长或转移单晶硅。虽然可以通过三维空间连接电极、芯粒等方式提高集成度，但是关键的晶体管始终分布在最底层，无法获得z方向的自由度。近日，山西大学教授韩拯、中国科学院金属研究所研究员李秀艳、辽宁材料实验室副研究员王汉文、中山大学教授侯仰龙、中国科学院大学教授周武等合作，提出了全新的基于界面耦合（理论表明量子效应在其中起到关键作用）的p-掺杂二维半导体方法。该方法采用界面效应的颠覆性路线，工艺简单、效果稳定、可以有效保持二维半导体本征的优异性能。进一步，利用垂直堆叠的方式，该研究制备了由14层范德华材料组成包含4个晶体管的互......阅读全文
高效晶体硅太阳能电池研究有突破
经过在8月初的论证，中科院微电子研究所在基于下转换原理的高效晶体硅太阳能电池研究中取得进展。 世界光伏新能源产业近几年飞速发展，晶体硅光伏电池仍处于主流地位，占据78%的市场份额。据业界预测，未来10至15年之内晶体硅光伏电池仍将占据市场主导地位。晶体硅电池的理论极限效率为31
新型二维晶体材料硅烯研究取得进展
寻找与硅基CMOS工艺兼容的新型电子学材料是凝聚态物理及其应用研究领域的主要任务之一。石墨烯作为由碳原子构成的二维原子晶体因具有优异的电学性质(特别是高载流子迁移率)，有望与硅基CMOS工艺兼容成为制造新一代的高性能电子学器件的新型二维材料。近年来, 中科院物理所/北京凝聚态物理国家实验室(
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
新疆理化所合成含硅氧氟混合配位基元无机硅磷酸盐晶体
由于含氟化合物独特的物理化学性能，使得其在现代化学和材料中扮演着越来越重要的角色。氧氟混合配位基元如BO3F，BO2F2，COF3，PO3F，SO3F等都已在对应的硼酸盐、碳酸盐、磷酸盐、硫酸盐等晶体结构中被发现，但硅酸盐是个例外。硅酸盐结构多样、种类繁多，具有岛状的橄榄石、层状的石英、环状的蒙
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
美将继续双反调查中国晶体硅光伏产品
美国国际贸易委员会14日裁定,从中国大陆和中国台湾地区进口的晶体硅光伏产品对美国相关产业造成实质性损害,美国政府将继续对此类产品进行“双反”调查。 根据美国贸易救济政策程序,美国国际贸易委员会当天的裁决意味着美国商务部可以继续对中国大陆和中国台湾地区出口的上述产品进行“双反”调查。美国商务
超越硅基极限的二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/515818.shtm 稀土元素钇诱导相变欧姆接触理论和原子级可控精准掺杂技术（北京大学供图）芯片是信息世界的基础核心，传统晶体管因接近物理极限而制约了芯片的进一步发展。原子级厚度的二维半导体理论上
硅基近红外光电转换取得突破
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈沁课题组联合东南大学的王琦龙教授紧密合作，在低成本高效硅基热电子红外光电探测器方面取得了系列进展。他们首先提出了Au纳米颗粒修饰Si金字塔结构的方案，实验证明他们制备的这些器件的性能与那些精心设计、成本高昂的Si基近红外光电探测器性能相当，有望应用在
新疆理化所硅基光电探测研究取得进展
实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片，一般氧化层(SiO2层)结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构
硅基光电子领域获重大突破
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510759.shtm
硅基三量子位系统内纠错首次演示
科技日报北京8月25日电 （记者刘霞）日本理化学研究所科学家在最新一期《自然》杂志撰文指出，他们首次在基于硅的三量子位量子计算系统内演示了纠错，朝着大规模量子计算迈出了重要一步，也为实现实用型量子计算机奠定了基础。量子计算机在原理上拥有超快的并行计算能力，有望在密码破译、材料设计、药物分析等领域，提
硅基动态血糖仪真有这么好吗
你用过就知道确实很不错，毕竟是大品牌，售后质量有保障，你可以尝试下。我妈妈现在用的就是硅基动态血糖仪，她的糖尿病还不算严重，“控糖”很有必要。硅基动态血糖仪可是很有用的血糖仪，不要看它小小的，该有的功能它都有，测出的血糖值也精准。硅基动态血糖仪作为随身便携的血糖监测设备，最大的优点就是它的便携性，佩
Science：IBM科学家造出世界上最小的晶体管
巨头英特尔（Intel）创始人之一Gordon Moore在1965年提出了业界著名的“摩尔定律（Moore's Law）”，大意为：集成电路上的元器件（例如晶体管）数目，每隔18个月至两年便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律在一定程度上反映了现代电子工业的飞速发展，但时至今日，随着
科学家攻克二维半导体欧姆接触难题
1月11日，南京大学教授王欣然、施毅带领国际合作团队在《自然》上以《二维半导体接触接近量子极限》为题发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导
全球首台碳基硅基生物智能问世：具备进化与适应能力
据报道，近日澳大利亚初创公司Cortical Labs在西班牙巴塞罗那正式发布了全球首台商用生物计算机CL1， 这一突破性成果引发了广泛关注。 CL1的独特之处在于，它摒弃了传统硅基芯片的计算方式，转而采用真实的人类神经元与硅芯片融合的技术，开创了合成生物智能的新领域。 传统的人工智能和机器
新研究打破硅基逻辑电路的底层“封印”
5月29日，我国科学家利用化学制备的系列二维材料，提出一种全新的基于界面耦合的p-掺杂二维半导体方法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”。相关成果在线发表于《自然》。经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
创新方法打破硅基逻辑电路的底层“封印”经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离
中美研究人员设计出新型硅基光子芯片
中国南京大学和美国加州理工学院研究人员11月25日在英国《自然·材料》杂志网络版上发表论文称，他们设计出一种新型硅基光子芯片，初步实现了光的单向无反射传输，拓展了光子晶体及传统超构材料的研究领域，为经典光系统中探索和发展具有量子特性的新型光子器件提供了新的研究思路。 通过光子而非电子携带信
硅基MEMS制造技术检测方法国际提案介绍
1. 提案背景MEMS是指用微电子技术和微加工技术相结合的工艺，制造出各种性能优异、价格低廉、微型化的传感器、执行器、驱动器和微系统。MEMS已经步入我们生活的很多方面，包括汽车电子、消费电子以及医疗等领域。例如，在消费电子领域，苹果公司颇有想象力地使用MEMS加速度计来支持iPhone显示
中外学者“超快操控”硅基自旋量子比特
中国科学技术大学郭光灿院士团队郭国平教授、李海欧研究员近期与国内外学者合作，实现了硅基自旋量子比特的超快操控，其自旋翻转速率超过540兆赫，是目前国际上已报道的最高值。相关成果日前在线发表于《自然-通讯》。 硅基半导体自旋量子比特是量子计算研究的核心方向之一，其具有长量
硅基动感血糖仪日常检测血糖方便吗
方便啊，我是怀孕期间血糖偏高用的这款血糖仪，那段时间的控糖效果挺理想的。因为自己特别怕疼，使用指血血糖仪每天测量餐前、餐后血糖，真是扎怕了。后来听说硅基动感血糖仪不用扎手指就能测血糖߅赶紧体验了一下，没想到各个方面都很符合我的需求。把传感器戴在胳膊上，每五分钟生成的血糖数据就会传到手机上，还能分享给
宁波材料所纳米硅基负极材料研究取得进展
相对于传统石墨负极材料（372mAh/g），硅负极材料具有极高的理论比容量（3580mAh/g），是未来高能量密度动力锂离子电池负极材料首选。但硅负极材料在充放电循环过程中存在体积变化（高达3倍以上），造成硅颗粒粉化，从而引发SEI膜反复再生库伦效率低，电接触变差极化增大，使实际硅负极材料循环寿
中外学者“超快操控”硅基自旋量子比特
中国科学技术大学郭光灿院士团队郭国平教授、李海欧研究员近期与国内外学者合作，实现了硅基自旋量子比特的超快操控，其自旋翻转速率超过540兆赫，是目前国际上已报道的最高值。相关成果日前在线发表于《自然-通讯》。 硅基半导体自旋量子比特是量子计算研究的核心方向之一，其具有长量
化学所锂电池硅基负极研究取得进展
在实现碳达峰和碳中和目标的背景下，开发高能量密度、长寿命的锂离子电池至关重要。相较于传统石墨负极，具有更高理论比容量的硅基材料被认为是颇有前景的锂离子电池负极材料。然而，硅基负极在充放电时存在较大的体积变化，并伴随有材料结构粉化和电极/电解质间的界面副反应，限制了其循环寿命。因此，优化硅基材料的结构
化学所锂电池硅基负极研究取得进展
在实现碳达峰和碳中和目标的背景下，开发高能量密度、长寿命的锂离子电池至关重要。相较于传统石墨负极，具有更高理论比容量的硅基材料被认为是颇有前景的锂离子电池负极材料。然而，硅基负极在充放电时存在较大的体积变化，并伴随有材料结构粉化和电极/电解质间的界面副反应，限制了其循环寿命。因此，优化硅基材料的结构
半导体所硅基光子学研究取得重要突破
基于硅基微纳波导的硅基光子学由于可以实现超小体积、低能耗、CMOS兼容的单片高密度光电集成，已被各国公认为突破计算机和通信超大容量、超高速信息传输和处理瓶颈的最理想技术之一。 日前，中科院半导体研究所在该领域取得世界领先水平的重大技术突破。半导体所由王启明院士率先开展硅基光子学研究，近年来
硅基动感血糖仪是全天监控血糖吗
它能全天动态测量血糖，每5分钟就能测量一次血糖并上传到手机上，这样血糖的数据更加全面，尤其是有血糖的黎明现象或黄昏现象，能够监测到传统指血血糖仪的盲区，减少血糖波动带来的风险。硅基动感测量的数据通过手机上传到手机上，再经过分析生成有参考价值的血糖报告维稳让控糖更加科学有效。
全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作，首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入